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1.
Cu-Ti合金时效早期相变规律的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文应用透射电子显微镜、X射线衍射等手段研究了Cu-Ti合金时效相变早期的分解过程。研究表明,过饱和的Cu-Ti合金固溶体可能首先发生的是溶质原子的短程有序化,然后通过调幅分解机理分解为贫、富溶质区,富溶质区原子进行长程有序排列,形成D1a型的Cu4Ti有序相。同时应用图形热力学对Cu-Ti合金分解过程中调幅分解与有序化共存的现象进行了解释。Cu-Ti合金时效过程中显微硬度的变化出现了双峰现象,第一个峰值的出现与位错密度有关,而亚稳共格的有序相Cu4Ti的形成是第二个峰值出现的主要原因 相似文献
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本文应用透射电子显微镜,X射线衍射等手段研究了Cu-Ti合金时效相变早期的分解过程。研究了表明,过饱和的Cu-Ti合金固溶体可能首先发生的是溶质原子的短程有序化,然后通过调发解机理分解为贫富溶质区,富溶质区原子进行长程有序排列,形成了D1a型的CuTi有序相。 相似文献
3.
用SEM和XRD研究了金刚石薄膜与双层金属之间的接触及界面性质,采用微波等离子体CVD方法在Si(111)基片上沉积了掺硼金刚石薄膜,然后蒸发上Ti/Au金属层,在氮保护气氛下700℃热处理50min后获得一个线性的电流-电压特性,经SEM和XRD实验结果表明,Ti/Au金属与金刚石薄膜之间优良的接触性能的获得,显然是由于大金刚石膜-Ti/Tu界面处产生了TiC新相以及TiC的浸润性质的缘故。 相似文献
4.
采用XRD、SEM、EDAX、粒度分析等手段研究了在(1-x)SrTiO3xBi2O3·3TiO2(简称SBT)系统中采用化学共沉SrTiO3时,Bi2O3·3TiO2的含量对介电性能和显微结构的影响。发现当其摩尔分数x小于10%时,结构为单相固溶体,εr随x的增加而增加;当x大于10%时,为复相结构,εr开始下降。这个结果与采用SrCO3和TiO2固相合成的SrTiO3烧块时的结果相近,变化趋势一致。但化学共沉SrTiO3之晶粒细小,杂质少,故使所制介质具有非常优异的介电性能。 相似文献
5.
本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey 相似文献
6.
在室温下,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在7.62cmPt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜。Bi4Ti3O12薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射(RBS)和扩展电阻技术(SRP)来分析、表征;采用X射线衍射(XRD)技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Bi4Ti3O12薄膜中较容易出现Bi2Ti2O7杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Bi4Ti3O12薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Bi4Ti3O12薄膜具有良好的表面和界面特性。 相似文献
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本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的TiSi2薄膜的微观结构,发现了一种新的TiSi2相,初步确定它为简单正交结构,点阵常数与已知的C49-TiSi2相等,并发现新的TiSi2可向C49-TiSi2转化;在800℃条件下保温30分钟,C54-TiSi2可在Si(111)基片上外延生长,取向关系为:「121」TiSi2「110」si,(111)TiSi2(111)si。 相似文献
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沉积温度对Ti—B—N复合薄膜微结构及力学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用多靶轮流溅射技术,用Ti和六方氮化硼(h-BN)反应合成了Ti-B-N薄膜,采用XRD、TEM和显微硬度计研究了薄膜的微结构及其力学性能。结果表明,室温下沉积的Ti-B-N薄膜为非晶体的Ti(N,B)化合物,其硬度达到HK2470;高温下沉积的薄膜为TiN结构类型的Ti(N,B)晶体,薄膜在晶化后硬度略有降低。 相似文献
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一种合成SrTiO_3超细粉料的新技术 总被引:7,自引:0,他引:7
研究了一种合成SrTiO3高纯超细粉料的新方法,该法是将钛化合物的水解产物与可溶性锶盐在强碱性溶液中反应,直接生成SrTiO3高纯超细粉料。原料溶液Sr/Ti比、碱用量和反应温度对粉料中SrTiO3相含量有影响,在反应体系中加入乙醇可以改善粉料的性能 相似文献
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从Ba(CH3COO)2-CA(NO3)2-Ti(OC4H9)-H2O-CH3COOH--CH3CH2OH体系,采用溶液.溶胶-凝胶法研究多层陶瓷电容器用(Ba1-xCAx)TiO3(x=0.05)(BCT)超细粉体的制备。利用热重差热分析仪(TG--DSC)研究BCT前驱体干凝胶加热过程中各阶段的反应历程。借助X射线衍射(XRD)、比表面积测定仪研究了热处理温度对BCT粉体的物相组成、晶粒尺寸、比表面积等的影响。得到晶相单一、颗粒尺寸在35-40nrn左右、比表面积为12.9m^2/g的BCT超细粉体。 相似文献
12.
SiO_2包覆纳米TiO_2的初步探讨 总被引:19,自引:0,他引:19
为了改善纳米TiO2的分散性,利用表面包覆技术,在TiO2的表面形成致密的SiO2膜,以达到改性的目的。讨论了SiO2包覆纳米TiO2的作用、机理和包覆工艺条件,并对包覆后的TiO2通过透射电子显微镜、Z-3000Zeta电位与粒度分布仪以及红外光谱分别进行分析。实验结果表明,包膜后的TiO2表面状态发生了变化,TiO2在水溶液中的分散性能得到明显改善。由红外光谱得知,这种包覆不仅是物理包覆,也是一种化学键合,在TiO2的表面形成Ti—O—Si键。 相似文献
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选取厚度为5、10和20nm的TiO2薄膜为过渡层,采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.54Nd0.46Ti3O12(BNT)铁电薄膜,研究了过渡层厚度对铁电薄膜微观结构及电学性质的影响。结果表明,加入TiO2过渡层后,BNT薄膜微观结构得到改善,εr及2Pr值大幅提高,介电损耗及漏电流密度都有降低。过渡层厚度为20nm时,BNT薄膜的εr、tanδ及2Pr值分别为325、0.025(测试频率为10kHz)和36.1×10–6C/cm2,漏电流密度为8.45×10–7A/cm2(外加电场为100×103V/cm)。 相似文献
14.
采用传统电子陶瓷工艺制备了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/ZnNb_2O_6(BSTZ)复相陶瓷,研究了ZnNb_2O_6含量对BSTZ陶瓷结构和介电性能的影响规律.结果表明,BSTZ复相陶瓷可在较低温度下烧结成瓷;陶瓷中除了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3和ZnNb_2O_6两种主晶相,还有新相BaNb_(3.6)O_(10)生成;陶瓷的介电常数和介电损耗均随ZnNb2O6含量的增加而降低;当x(ZnNb_2O_6)=0.6(摩尔比)时,复相陶瓷在微波下的介电常数为74,介电损耗为0.043,可调性可达10.54%(1.0 kV/mm). 相似文献
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采用熔盐法制备了各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体,研究了工艺参数对晶粒形貌和尺寸的影响。发现煅烧温度、盐的种类和盐的用量显著影响晶粒的形貌和尺寸。晶粒平均尺寸随着温度升高而逐渐增大,由不规则片状向圆片状发育。随着盐用量的增加,晶粒平均尺寸先增大后减小,且在硫酸盐中,晶粒尺寸明显大于相同条件下盐酸盐中的尺寸。和固相法相比,熔盐法合成的粉体具有(00l)择优生长的优点。通过调整工艺参数可以控制晶粒的形貌和尺寸,制备各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体。 相似文献
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采用固相反应的方法制备粉料,合成了一种新型的(Zr1/2Ti1/2)1x(Nb2/3Mg1/3)xO2 (x=0.05~0.30)高频介质陶瓷。XRD分析确定粉料为单相,其晶相为ZrTiO4结构。瓷片在1 430~1 470℃之间烧结。讨论了收缩率与烧结温度的关系以及介电性能随烧结温度的变化,探讨了不同配比对材料电性能的影响,确定出最佳烧结温度为1 460℃。在1 MHz下测试了材料的介电常数及损耗。相对介电常数在26~34之间。配比为x=0.25的材料,品质因数可达到1×104。 相似文献
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Bi2O3过量对熔盐法制备Bi4Ti3O12粉体的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的Bi4Ti3O12粉体,研究了w(Bi2O3过量)对粉体的影响,优化了制备Bi4Ti3O12粉体的工艺参数。结果表明:w(Bi2O3过量)为7.5%,1100℃烧结2h所得到的Bi4Ti3O12粉体微观形貌最佳,并探讨了Bi4Ti3O12粉体在熔盐中的生长机理。 相似文献
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湿化学法合成CLSNT微波介质陶瓷粉体 总被引:1,自引:0,他引:1
用改进的 Pechini 法合成 Ca_(0.28)Li_(0.15)Sm_(0.28)Nd_(0.15)TiO_3(CLSNT)陶瓷粉体。采用 TG、DTA、XRD 和 SEM等技术对 CLSNT 陶瓷粉体进行分析。在 600℃预烧 3 h 后,钙钛矿结构的 CLSNT 相形成,但有少量 Sm_2Ti_2O_7、TiO_(1.49)、Ti_3O_5、Ti_4O_7 相。预烧温度升高到 1 000℃,只有钙钛矿结构的 CLSNT 相。用这一方法能在相对低的温度下制备出性能优良的微波介质陶瓷。在 1 230℃下烧结 3 h,εr为 98,Q·f 为 6 360 GHz,τf 为 8×10–6℃–1。 相似文献
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Kishida K Miyata M Wada N Okamoto NL Tanaka K Inui H Koyama H Hattori T Iriyama Y Ogumi Z 《Journal of electron microscopy》2007,56(6):225-234
The crystal and defect structures of coarse-grained crystals of La(2/3-x)Li(3x)TiO3 grown from the melt by the Tammann-St?ber method were studied by transmission electron microscopy and powder X-ray diffraction. The as-grown crystals of La(2/3-x)Li(3x)TiO3 have a Li-poor composition of La(0.57)Li(0.29)TiO3 and a diagonal-type unit cell of 2(1/2)a(p) x 2(1/2)a(p) x 2a(p) with the tetragonal symmetry [space group: P4/nbm (#125)] due to both the La-cation ordering and the tilting of TiO6 octahedra. The secondary La2Ti2O7 phase precipitates in the form of plates in the La(2/3-x)Li(3x)TiO3 phase with the orientation relationships of 001(p)//[100](La2Ti2O7) and {110}(p)//(001)(La2Ti2O7), which may cause detrimental effects to ionic conductivity. 相似文献