空间粒子辐射LET谱的中低轨道卫星实测结果及误差分析

某中轨道卫星上搭载的传能线密度（LET）谱探测器首次实现了我国中轨道自主搭载粒子辐射LET谱的探测。本文对LET谱探测器进行了介绍,对ΔE-E望远镜测量LET谱方法进行了评价,给出了该探测方法引入的测量误差。对LET谱探测结果与低轨LET进行了比对分析,研究结果为了解中低轨LET谱特征提供了参考。     

低剂量照射及其微观剂量分布

辐射防护关心低剂量照射的生物效应,特别是辐射致癌效应。多大水平的照射为低剂量照射并无明确规定。UNSCEAR[1986B-24段,1988F-7段]提出对低LET辐射可以把0-0.2,0.2-2.0,2-10和>1cGy分别称为低、中、高和极高剂量;对高LET辐射(如快中子)把<0.05Gy和>0.05Gy分别称为低和高剂量。对所有辐射,低剂量率指<0.05mGy/min,高剂量率指>0.05Gy/min,介于其问者为中等剂量率。通常的     

北京市环境外照射贯穿辐射剂量的测量

本文报道了北京市环境外照射贯穿辐射剂量的测量结果。天然外照射贯穿辐射剂量率的平均值为78.4mrad/y,地层γ辐射剂量率为48.1mrad/y。路面上的γ辐射剂量率为38.5mrad/y。     

高LET重离子照射人肿瘤细胞的DNA双链断裂及修复研究

依托兰州近代物理研究所的HIRFL装置对人肝癌细胞SMMC-7721进行高LET的重离子辐照,同时利用脉冲场凝胶电泳研究高LET辐射引起的细胞DSB及其修复的特点.对于不同离子的辐射进行了比较分析,探索重离子的辐射生物学效应机理.结果发现,随着剂量的增加,初始DSB在给定剂量范围内呈线性增长,LET较高的氩离子的剂量效应曲线具有较大的斜率.对于DSB分布情况的研究发现,LET不同,大小片段的分布随着剂量的变化呈现不同的变化情况.修复研究显示两种LET辐射的快修复在30 min左右都已经结束,此后都开始了慢修复,对于高LET的氩离子辐射来说,快修复和慢修复完成的修复量均高于较低LET的碳离子辐射.4 h时,两种辐射残余的DSB基本一致.结果证明了高LET辐射下初始DSB与剂量的线性依赖关系,且发现不同种类的离子辐射引起的DSB的剂量效应曲线的斜率不同.结果也显示了DSB的非随机分布现象和DSB修复的双阶段模式,发现LET、离子种类和剂量对于DSB的片段非随机分布同时存在影响,同时修复结果提示慢修复机制和错修复在高LET辐射引起损伤的修复研究中可能具有重要意义.     

辐射防护的生物学基础

摘要 电离辐射生物效应是辐射防护的生物学基础。辐射产生的有害健康效应分为两种类型：①组织反应（也称确定性效应）；②癌症及遗传效应（也称随机性效应）。为了辐射防护目的，ICRP将继续把辐射防护的实际体系建立在“线性无阈”剂量响应关系假设之上。在吸收剂量高至100mGy的剂量范围内（低LET或高LET），组织不会显现出这样的辐射敏感性，以致足以使临床相关功能损伤的阈剂量被超过。另外，还对非癌症疾病和宫内照射的辐射效应作了简单的介绍。     

氚的相对生物效应

随着氚在工业、农业、医学、水文和生物学研究中应用愈来愈广泛,氚的相对生物效应(RBE)已受到各国的重视。相对生物效应是指以相同的剂量照射时,一种射线的生物作用对通常X射线作用的比值。RBE值随辐射的线能量传递(LET)而变化,通常能量为200～250keV的X射线在组织中的LET为2.5keV/μ,25keV的软X射线的 LET约为6keV/μ,氚的β射线(平均能量为5.6keV)的LET为 9.3keV/μ,较X射线的LET为大。     

辐射事故中确定性健康危害的剂量学评价方法(Ⅰ)

确定性效应是辐射事故中主要关心的健康危害。辐射事故照射,除大剂量急性照射情况外,更多的还有受照延续时间不等、照射水平不一的多次受照情况,甚至尚有数天内连续受照的。本文从辐射效应的“线性-平方”模型出发,借助目前已经掌握的确定性效应的剂量阈值,针对剂量的不同时间分布,集中探讨低LET辐射事故中评价确定性健康危害的剂量学方法。引用了分割照射和延续照射的外推剂量概念,提出了外推剂量可加原理和等外推剂量等效应原理。     

ICRP第148号出版物《参考动植物的辐射权重》内容简介

长期以来认识到,电离辐射的给定吸收剂量(单位戈瑞,Gy)对生物体的生物学影响程度可能取决于所涉及的辐射类型。这种差异已经通过实验得到量化,并称为特定辐射类型的相对生物效能(RBE)。RBE值是通过实验测定的,是产生相同水平的观测效应的试验辐射和低传能线密度(LET)参考辐射的剂量比。在包括人类和动物细胞系的体外实验和动物体内实验中,测量了各种终点的RBE值。     

加速重离子辐射对水稻的生物学效应研究——Ⅰ.加速重离子及~(60)Coγ射线辐照水稻干种子的当代生物学效应

用高传能线密度(LET)的~(56)Fe(190keV/μ)、~(40)Ar(90keV/μ)离子束及低LET的~(60)Coγ射线(0.27keV/μ)照射水稻干种子,对当代幼苗生长、根尖微核细胞率和染色体畸变率的效应,进行了实验分析。结果表明:对比三种辐射源,微核细胞率与染色体畸变率均随处理剂量增加而增加,且呈线性关系。以幼苗的生长半抑制剂量(D_(50))为指标,三种电离辐射(~(56)Fe、~(40)Ar离子束和~(60)Coγ射线)的相对生物学效应(RBE)比值为6.3∶1.9∶1。以微核细胞率为指标,三者的RBE比较值为11∶4∶1。可见高LET的~(56)Fe和~(40)Ar比低LET的~(60)Co有较高的辐射生物学效应,尤其是在诱发细胞核染色体畸变和微核出现方面,高LET离子束有很高的效率。     

质子致DNA链断裂损伤的剂量效应研究

质子作为一种高传能线密度（LET）的辐射，具有能量沉积与局部剂量远大于低LET辐射（如X射线、γ射线和电子束等）的特点，通过物质时有完全不同的径迹结构，能够更有效的诱发DNA发生双链断裂，产生更多的不能修复性损伤，引起细胞的转化和死亡以及癌的发生等较高的相对生物效应（RBE）。在DNA分子水平上研究质子致生物损伤的机理，深入了解其辐射特点及危害程度，并研究相应的防护途径十分重要，     

北京市居民所受外照射天然贯穿辐射剂量的评价

北京市居民性腺所受外照射天然贯穿辐射剂量率的平均值为73.4mrad/y,其中宇宙射线的贡献为27.1mrad/y,建筑物产生的为37.6mrad/y。建筑物和道路建设使居民所受剂量发生了变化。建筑物使居民所受性腺剂量增加了19.7%,道路则使其减小了2.36%。     

用热释光剂量计测量景泰兰产品的表面剂量率

本文介绍了用 CaSO_4∶Dy-Teflon 薄膜剂量计测景泰兰产品表面剂量率的方法和结果。7类42种饰品以及各种瓶、盘、洗子等20件景泰兰工艺品的表面剂量率都在0.015mrad/h 以下,实际上大部分在天然本底的涨落范围之内。为了比较,还同时测量了台湾省产的几件饰品和日本产的三个瓶,其中台湾省产的链饰的表面剂量率较高,平均达到0.78mrad/h。     

一台DMD—450型真空镀膜机低能X射线的剂量水平

本文主要介绍了西北电讯工程学院一台 DMD-450型真空镀膜机低能 X 射线的辐射水平,并测算出工作条件为11kV、125mA 时,人在观察窗外7cm 处观察1h 眼晶体所受到的吸收剂量为1.78mrad。如果在观察窗处使用5mm 厚的铅玻璃,可使剂量降为本底水平。     

单粒子微束辐照装置的束流光学计算

利用束流光学计算程序TRANSPORT和TURTLE对基于2×3MV串列静电加速器的单粒子微束细胞精确照射装置的束流传输光学进行了一阶近似计算,得到了包括束流包络、束流相图、束斑大小及束流发散程度的相关数据.计算结果表明,对于能量1.5 MeV,经2 mm×2 mm狭缝入射且初始发散角x'～y'≤3mrad的典型质子束...     

Limitations on MOSFET dosimeter resolution imposed by 1/f noise

A sensitive microcomputer-controlled MOSFET-based dosimeter system has been constructed to examine the effects limiting the ability of MOSFET dosimeters to detect very small radiation doses. It is shown that the dose resolution of this system is limited by 1/f noise in the sensor MOSFET's themselves. Doses below 1 mGy (100 mrad) can be detected. Structural changes to the sensor MOSFET's that might provide further improvements in resolution through reduction of 1/f noise are discussed     

15 TW激光与氮气作用产生稳定电子束的实验研究

利用15 TW激光脉冲,系统研究了基于电离化注入的激光尾波场加速。实验中,研究了等离子体密度、相互作用位置、激光脉宽以及激光能量对电子束的电荷量、发散角、指向性、能量以及产生概率的影响。将约400 mJ、25 fs的激光脉冲聚焦在喷嘴前沿,等离子体密度约9×10¹⁸ cm^-3时,电子的产生概率高达100%,获得了水平（竖直）发散角（6.5±0.5） mrad（（5.3±0.3） mrad）、水平（竖直）指向稳定性±1.2 mrad （±0.7 mrad）、峰值能量（135±8） MeV和电荷量（13.5±2.0） pC（＞50 MeV）的稳定电子束,为其应用奠定了基础。     

Neutralization rate for slow Ar ions in front of KCl(0 0 1)

Charge state distributions of reflected ions are measured when 5 keV Ar^q+(q = 0−2) ions are incident on a clean KCl(0 0 1) surface at grazing angle, θ_i. Although the charge state distribution does not depend on the incident charge state at larger θ_i, significant dependence of the charge state distribution on incident charge state is observed at smaller θ_i. The ionization of Ar⁰ is completely suppressed at θ_i < 20 mrad, while large neutralization probability is observed for Ar⁺ incidence. These features allow us to derive the position-dependent neutralization rate of Ar⁺ in front of KCl(0 0 1). The obtained neutralization rate decreases exponentially with distance from the surface as it is usually assumed.     

离体照射全血后SCE、染色体和其随体联合的变化

本文以两种不同剂量(0.5和1.0 Gy)照射外周血,作了三个不同时间的培养(51、72、96小时),用BudR-Giemsa标记染色体,观察细胞周期变化、姊妹染色单体交换(SCE)率、染色体畸变和随体联合等。结果表明受照后细胞分裂周期有些变化;SCE率变化不大,与培养时间和剂量都无明显关系;双着丝染粒色体畸变与培养时间呈负相关,与剂量呈正相关;随体联合SA_c和DG_c指标都随剂量增加而降低,随体联合的形式C/T比值变化不大,尚符合随机分配的遗传基本原则。     

Gamma-Ray Irradiation Effect on Loss Increase of Single Mode Optical Fibers, (II)

In order to examine the reliability of optical fiber systems in nuclear power plants, we estimated the induced losses of pure silica core and GeO₂ added core single mode optical fibers (Si-SMF and Ge-SMF) exposed over a long period to low dose rate γ-rays (less than 100 R/h, 40 yr). Also γ-ray induced losses under a high dose rate and high temperature condition such as 10⁶R/h and 200°C were estimated in view of an accident.

In both cases, the induced losses were concluded to depend mainly on total dose from the results of low dose rate irradiation experiments and a study on temperature dependences of induced losses

It was ascertained from the estimation that the Si-SMF had less radiation sensitivity than the Ge-SMF in the radiation environment of nuclear power plants The induced loss of the Si-SMF exposed for 40 yr to 1 R/h γ-rays was estimated to be about 2 dB/km and almost five times lower than that of the Ge-SMF.