Co-Ni-Sr-O系低温热敏陶瓷材料研究

着重研究了工作温度范围为20~77K的低温热敏电阻器的生产工艺参数。利用先进的半导体陶瓷工艺,合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ,并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性,得到了不同阻值、不同B值的陶瓷材料,同时研究了烧结温度和恒温时间对Co-Ni-Sr-O系NTC热敏材料参数的影响。在材料粉体合成中,采用固相烧结、共沉淀法、溶胶凝胶法、Pechini法等不同方法制备,讨论了不同方法的基本原理与特点,并对一些具体制备方法进行了比较。     

Co-Ni-Sr-O系低温热敏陶瓷材料研究

着重研究了工作温度范围为20-77K的低温热敏电阻器的生产工艺参数。利用先进的半导体陶瓷工艺，合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ，并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性，得到了不同阻值、不同B值的陶瓷材料，同时研究了烧结温度和恒温时间对Co-Ni-Sr-O系NTC热敏材料参数的影响。在材料粉体合成中，采用固相烧结、共沉淀法、溶胶凝胶法、Pechini法等不同方法制备，讨论了不同方法的基本原理与特点，并对一些具体制备方法进行了比较。     

掺杂对MnCoTi系NTC热敏电阻器稳定性的影响

讨论了Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ掺杂对ＭｎＣｏＮｉｔ系ＮＴＣ热敏电阻器性能的影响。以ＭｎＣｏＮｉ系为基，掺入适量上述物质后，其老化稳定性均提高，其中Ｃｒ２Ｏ３掺杂可使老化稳定性提高６６．２％效果显著。     

Sr_xPb_(1-x)TiO_3基陶瓷材料热敏特性研究

以 Srx Pb1 - x Ti O3为基料 ,液相掺杂一定量的 Y和 Si,采用传统固相合成工艺方法制备出了具有明显 V型阻温特性的半导体热敏电阻 ,通过扫描电镜形貌观察、R- T特性测试及复阻抗分析表明 ,Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷的阻温特性明显受半导化程度的影响 ,居里点以下的 NTC效应往往随着半导化程度的提高而降低。掺杂玻璃相物质Si(OC2 H5 ) 4能增强 Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷 NTC效应 (t相似文献   

Mn-Co-Zn-O系NTC热敏陶瓷的研究

采用XRD,SEM和电学测试等手段,系统研究了Zn0.2Mn2.8-xCoxO4(0.7相似文献   

掺杂对MnCoNi系NTC热敏电阻器稳定性的影响

讨论了Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２掺杂对ＭｎＣｏＮｉ系ＮＴＣ热敏电阻器性能的影响。以ＭｎＣｏＮｉ系为基，掺入适量上述物质后，其老化稳定性均提高，其中Ｃｒ２Ｏ３掺杂可使老化稳定性提高６６．２％，效果显著。同时，阻－温特性变化规律同传统ＭｎＣｏＮｉ系材料一致，室温阻值及Ｂ值略有增加。     

SrFexSn1-xO3-δ陶瓷材料的微观结构和NTC特性

采用传统固相反应法,制备了一种新型NTC热敏陶瓷SrFexSn1-xO3-δ(0.2≤x≤0.5)。研究了该陶瓷体系样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所有样品均为纯钙钛矿相,并且呈现典型的NTC特性;随着Fe含量的升高,SrFexSn1-xO3-δ陶瓷样品的室温电阻率急剧降低,其B25/85和激活能则呈现温和降低的趋势。当0.2≤x≤0.5时,陶瓷样品的室温电阻率,B25/85以及激活能分别处于(518.00～3.56)×103Ω·cm、4912～3793K和0.424～0.327eV。     

草酸盐均匀共沉淀法制备Ni-Mn-O系NTC热敏陶瓷粉体

采用均匀共沉淀法制备了Ni-Mn草酸盐前驱体,使用XRD、SEM、激光粒度分析和TG等分析手段对最佳条件下所获得的前驱体进行表征,将该前驱体煅烧成型后,再烧结成致密陶瓷体并测量其电学性能。结果表明:最佳的共沉淀工艺条件如下:n(草酸二乙酯)/n(金属盐)=2,反应温度为80℃,反应时间为4 h。该最佳条件下制备的前驱体形成了与MnC2O4.2H2O结构相似的(Ni,Mn)C2O4.nH2O的固溶体,其呈现近八面体形貌,尺寸分布均匀,为2~10μm,基本无团聚现象。前驱体约在700℃失重完全,并可形成具有高活性的尖晶石结构的Ni0.6Mn2.4O4物相。其在1 200℃烧结可获得致密的陶瓷体,电阻率约为2 030.cm,B值为3 930 K。     

新型厚膜片式NTC热敏元件研究

作者以Ｍｎ（１＋ｘ）Ｃｏ（２－ｘ）Ｏ４作热敏基料，掺适量ＭｅＭｎ２Ｏ４添加物，有效地降低了热敏浆料的方组，改善了元件的热稳定性，使厚膜片式ＮＴＣ热敏元件达到了实用化的要求。     

抑制浪涌电流用NTC热敏电阻器

研制一种新型抑制浪涌电流用ＮＴＣ热敏电阻器，其特点为：结构简单，正常工作时元件自身的阻值很小，可将浪涌电流抑制到十分之一以内。适宜用于开关电源中。     

含锰三元系热敏半导瓷阻温特性的调控原理及方法研究

本文从材料理论的角度，比较系统地总结了含锰三元ＮＴＣ热敏电阻阻温特性的调控原理及方法，大量的工艺实验表明，只有把阻温特性调整的概念贯穿于整个工艺流程的全过程，有意识地去运用这些原理与方法，才能取得比较满意的效果。     

BaSnO3热敏电阻器电学性能的研究

介绍了以BaCO3和SnO2粉料为主原料,SiO2、Bi2O3和Sb2O3为助烧剂,Ta2O5为施主掺杂改性剂,Na与Mn无机盐为受主掺杂改性剂,采用传统固相反应法制备BaSnO3的半导体陶瓷的方法。经测试与分析可知,该半导体陶瓷的相对密度高达理论密度的97%。通过对样品电学性能的初步研究,发现该样品具有NTC效应。     

Mg-Al-Cr-Fe系高温NTC陶瓷材料的改性研究

采用传统陶瓷方法制作了Mg1+xAl0.8Cr0.6Fe0.6Lay(x=–0.10,–0.05,0,0.05,0.10,0.15,0.20;y=0,0.05)系高温NTC陶瓷材料,借用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了MgO含量及La2O3掺杂对陶瓷材料相结构和电学性能的影响规律。结果表明:适当增加MgO的含量可以有效提高陶瓷材料的常温电阻率和B值(材料常数),La2O3掺杂可改善高温NTC陶瓷材料B值的稳定性。当x=0.15,y=0.05时,在1 873 K烧结可获得ρ25=7.55×1010.cm,B=8 795 K的高温NTC陶瓷材料。     

Al2O3含量对Ni0.6Mn2.4-xAlxO4热敏材料性能的影响

采用传统固相反应法制备了Ni_(0. 6)Mn_(2. 4-x)Al_xO_4(x=0.08,0.1,0.12,0.14,0.16,0.18)热敏陶瓷材料。借助XRD、SEM和电性能测试手段,系统地分析了Al_2O_3含量和烧结温度对该热敏陶瓷组织结构、电性能及其稳定性的影响。结果表明,Al_2O_3的增加不会改变Ni_(0. 6)Mn_(2. 4-x)Al_xO_4陶瓷的晶体结构,但其最佳烧结温度有所不同,Al_2O_3含量越高,致密化所需烧结温度也越高。增加Al_2O_3含量有助于减小晶粒尺寸,增加晶界,最终使室温电阻率ρ_(25)和B值均增加。高温300℃/100 h下的老化系数明显比常规150℃/1000 h要高,其中电阻率的最大老化系数为7.02%。     

Mn的形态对NTC热敏陶瓷性能的影响

以MnO2及MnCO3为锰的引入源,研究了锰的引入形态对Mn-Co-Ni三元系NTC热敏陶瓷电性能的影响。结果表明:锰的引入形态对材料的阻温特性无根本的改变,但对材料的室温电阻及B值有很大的影响,且随着MnCO3含量的增加呈U型变化。     

NTC热敏陶瓷Ni0.66Mn2.34-xCoxO4的电性能研究

采用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了Ni0.66Mn2.34-xCoxO4(0相似文献   

BaTiO_3系PTCR热敏电阻器用烧结助剂的研究

研究了烧结助剂的作用，实验结果表明：如只引入半导化元素，不引入烧结助剂，则室温电阻率ρ２５很大，甚至是绝缘体。由于烧结助剂的加入，既改善了ＰＴＣＲ热敏电阻陶瓷的烧结性，又改善了其ρ２５、耐电压Ｖｂ、ＰＴＣ效应等特性，从而使产品的各种特性易于重复。烧结助剂昔日多用ＡＳＴ，现在常用ＳｉＯ２，其加入量ｘ宜小于２％。ＳｉＯ２的纯度、杂质等化学特性，与粒子形状、粒度分布、晶系等物理特性，对ＰＴＣＲ热敏电阻器的电性能有很大的影响。据此提出了ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ热敏电阻器用ＳｉＯ２的技术标准。     

薄膜封装型NTC热敏电阻器的研制

为适应电子整机产品狭窄空间安装的需要,NTC热敏电阻器(NTCR)要进行超薄设计。采用固相反应法制粉,压锭烧结制作NTCR芯片,焊接引线和薄膜封装等工艺方法实现产品的薄形化封装,研制出了一种阻值R25为10k?,材料常数B为3435K,产品最大厚度仅0.5mm的新型薄膜封装型NTC热敏电阻器,为家电产品和生产设备的轻薄化推出了一种新型NTC热敏电阻器。     

低温烧结改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究

研制了一种添加 Bi(Cd1 / 2 Ti1 / 2 ) O3、Mn O2 、Si O2 的新型低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷材料。实验发现 ,低熔物 Si O2 是影响烧结的主要因素 ,除能明显降低该材料烧结温度外 ,还能起掺杂改性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因数及低介电常数等优点。 96 0°C烧成时主要性能参数为 :厚度机电耦合系数 kt=0 .49;径向机电耦合系数 kp=0 .0 2 7;压电各向异性比 kt/ kp=18;压电应变常数 d33=6 5 p C.N- 1 ;机械品质因素 Qm=5 14;密度 ρv=7.4g.cm- 3;居里温度 TC=312°C;介电常数 εT33/ ε0 =177;介质损耗 tanδ=0 .6 3%。该材料在叠层压电滤波器和叠层压电降压变压器方面显示出很好的应用前景。     

Co-Mn-Ni系NTC热敏电阻超微细粉体的液相法制备

讨论了液相法制备Co-Mn-Ni三元系NTC热敏电阻超微细粉体的一些主要方法,如共沉淀法,均匀沉淀法,溶胶–凝胶法等的基本原理与优缺点,并对一些具体制备方法进行了比较。