硅中杂质能级的理论计算

本文采用EHT方法计算硅原子集团中简单的替代式杂质的电子能级.研究的杂质是中性的铬、钴、镍、铜和锌原子.在所有情形集团包含71个原子.为了约简久期方程必须运用群论知识.得到的杂质能级在能隙中的位置除铜外均同买验值符合良好.     

硅中铂能级的DLTS研究

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样品.分析各种样品的测试结果得到:过去报道在p~+nn~+深结中测得的Ec—0.34eV能级并不存在于N型硅中,该DLTS谱峰来源于p~+nn~+结P型区内的空穴发射.     

硅中的深杂质能级

从原子的局域赝势出发,利用线性响应理论求得了替代杂质在硅中产生的屏蔽微扰势.用赝原子轨道的集团方法计算了各种杂质原子在硅中产生的深能级.得出,短程势和长程势对深能级的形成都起重要作用.深施主态也有谷轨道分裂的现象,但分裂的能量较大,波函数是反键态性质.深受主态能级位置较深,波函数是悬键态性质.等电子杂质不易产生深能级.计算得到的深能级位置与实验作了比较.     

铂在硅中引进的深能级

本文用点群方法分析了铂在硅单晶中引起的晶格畸变,在此基础上对杂质能级作了EHT计算.计算结果与有关的实验数据进行了比较.     

电子辐照高阻NTD硅中缺陷能级和少数载流子寿命

<正>近十几年来,用中子嬗变技术在硅中进行磷掺杂,可获得n型高阻NTD硅单晶,用电子辐照在硅中引入复合中心以降低少子寿命的方法,也引起人们的极大关注.为此,我们将NTD硅制成p~+n结二极管,经电子辐照后,分别从深能级瞬态谱(DLTS)测量中获得相应的缺陷能级、俘获截面和浓度等参数,并用二极管反向恢复时间法,测量了这些样品的少子寿命.对所得结果作出初步的分析讨论.     

利用电子辐照效应改造硅外延PNP晶体管

本文介绍了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成开关晶体管的一种新方法,实用证明该方法是成功的,可取代传统的掺金工艺。文中报道了用深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究电子辐照引入缺陷的性质,证明这些缺陷具有很好的热稳定性;测到了H(0.41)能级。     

电子辐照CZ－Si单晶的深能级

常温下用剂量为４×１０（１５）电子／ｃｍ２的１．８ＭｅＶ电子束对ＣＺ－Ｓｉ单晶制成的ｐ＋ｎ二极管进行了辐照，采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）在该样品中观察到４个深能级，并对其形成原因进行了讨论。     

电子辐照SIPOS中产生深能级的研究(英文)

Some deep levels induced by electron irradiation in oxygen-doped semi-insulating polycrystalline silicon (SIPOS) have been found and studied by using DLTS measurements in conjunction with the C-V method. Experimental results show that when the irradiation energy is changed, the introduction rates are varied, Its porsible effects on S1POS used as a field shielding passivant for high-voltage semiconductor devices are also discussed.     

电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究

本文用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法和某些常规测试,较系统地研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型LPE-GaAs层逐次引入的缺陷。研究了400～550K温区等时退火行为。讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后,缺陷浓度N_T的变化和少子扩散长度L_p随N_T的变化情况。首次用理论和实验手段论证了由电子辐照引入的所有电子缺陷能级中,E_3为主要的复合中心能级。同时通过对Shockley-Read-Hall公式的简化提出了一个在诸多缺陷能级中判别出其中主要复合中心能级的方法,实验结果也证实了这种判别方法是行之有效的。     

电子辐照CZ—Si单晶的深能级

常熳下用剂量为４×１０＾１５电子／ｃｍ＾２的１．８ＭｅＶ电子束对ＣＺ－Ｓｉ单晶制成的ｐ＾＋ｎ二极管进行了辐照，采用能级瞬态谱技术在该样品中观察到４个深能级，并对其形成原因进行了讨论。     

量子点异质结中类氢杂质电子束缚能级的计算

采用球壳结构和渐变有限深谐振子势阱模型,利用镜像电荷的方法分析了不同介电常数下,界面效应对半导体量子点异质结中类氢杂质电子束缚能级的扰动情况.通过计算考虑到杂质对电子的束缚作用前后的电子的基态能,可以看出对于处在弱受限情况下的量子点,异质结厚度在小于10 nm时,界面效应对类氢杂质电子束缚能级的影响明显.当异质结壳层厚度增大的时候,界面效应的影响将逐渐减弱,受扰动的基态能也逐渐减小,最后不同Airy函数零点值所对应的基态能趋向于某一固定值,此时界面效应可以忽略.     

发光二极管电子辐照效应的研究

研究电子辐照对发光二极管（Light emitting diode,LED）性能的影响。利用电子加速器提供的电子束模拟空间电子辐射环境,试验时电子的能量是1.0 MeV,辐射最大剂量为1106 rad（Si）。辐照期间,采用异位测试的方法进行光学量和电学量的测量,并进行辐射后退火效应的研究。结果表明:随着辐照剂量的增加,LED的输出光功率近似线性衰减,其正向压降V增大,且不同的试验条件对LED性能损伤的程度不同。此外,辐射停止后的一段时间,器件的性能有所恢复,并趋于稳定。同时利用电子辐照机理对试验结果进行理论分析和讨论。     

电子辐照激活硅中不激活铜的DLTS测量方法

一般情况下,硅中的铜只有很小—部分是电激活的.因此当硅中含铜量微小时,就难于用DLTS等方法来测量它.本文提出一个用电子辐照使硅中不激活的铜电激活并用DLTS测量的方法.这对于检测硅材料中铜污染很有用处.文中还提出一个能比较准确地估算深能级平均浓度的公式.     

高阻n型硅的电子辐照

研究了高阻区熔和直拉单晶(扩铝)的P~+n管经电子辐照后产生的缺陷能级和它们的退火特性.区熔单晶中辐照生成的主要缺陷能级为 E:-0.43eV (双空位)和 E_v+ 0.49eV.在300℃退火后,这些能级的浓度与未退火前基本相同.直拉单晶中辐照生成的缺陷能级为E_c-0.18eV (氧空位对)和 E_v+ 0.49eV.在200℃以上退火后,氧空位明显减小并在300℃消失.     

深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性

为得到高B值（材料常数）的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析．结果表明：这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关．     

深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性

为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关.     

背电场硅太阳能电池离子辐照效应

空间太阳能电池受电子、质子，以及重离子辐照后，要受到损伤。文章对背电场太阳能电池低能质子、高能质子、碳、氧离子辐照效应进行了研究，对辐照前后太阳能电池光电参数进行测量，并用Ｍａｔｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法对辐照粒子的硅中的能量损失过程进行了模拟计算。结果表明，各种离子辐照技术电池的损伤是不同的，低能质子对开路电压的损伤比对睡电压的损伤大得多，而高能质子 地开路电压的损伤较低能质子的反而要小，对短路电流的     

硅中氢杂质的研究

介绍了硅中氢杂质的基本性质，氢杂质和氧原子的作用，以及氢原子对其它杂质和缺陷电学性能的影响，几时指出了目前研究中有待解决的问题。     

硅中氢杂质的研究

介绍了硅中氢杂质的基本性质 ,氢杂质和氧原子的作用 ,以及氢原子对其它杂质和缺陷电学性能的影响 ,同时指出了目前研究中有待解决的问题。     

硅中铜的深能级研究

本文用DLTS法测量了直拉硅和区熔硅中与铜有关的深能级及其俘获截面,测量了其中部分能级的空间分布,研究了区熔硅中与铜有关深能级的退火特性。结果表明在硅中与铜有关的深能级中不存在文献报道过的代位铜的三个受主态或一个施工和三个受主态,其中的多数能级是铜和晶格缺陷的络合物。