电光调制实验装置

我们研制的“电光调制实验装置”的调制晶片消光比高,温度稳定性好,使用寿命长。由于采用积木式光学元件,本装置除了可供学生测量晶体的半波电压、消光比和模拟光通讯等实验外,还可粗略确定偏振器及晶片的电致双折射主轴方向,观察半波片及     

基于亚波长偏振光栅的空间光桥接器设计

为了研究自由空间的相干光探测,基于亚波长偏振光栅的衍射和偏振特性,提出了一种新的24的90空间光桥接器。该桥接器主要由一个亚波长偏振光栅、两个/2波片和两个偏振分束器构成。结果表明,通过亚波长偏振光栅将信号光束和本振光束进行空间光桥接,通过左旋和右旋圆偏振光在偏光分离时的相位性质实现所需的相位关系,避免了传统空间光桥接器中对分光元件的相位要求,易于实现稳定的相位输出,在空间激光相干探测系统中有潜在应用。     

电子元器件实用知识讲座(10)

<正> 第十讲 石英、陶瓷和保险元件 本讲介绍石英晶体元件、陶瓷谐振元件及保险元件的性能、种类、参数和外形识别等实用知识。 一、石英晶体元件 1.石英晶体元件的结构和特性 石英晶体元件通常简称为晶振元件、晶振子、晶体或晶振等。它是一种主要用以取代LC谐振回路的谐振元件,所以也常被称作石英谐振器或晶体诸振元件。晶振元件一般由石英晶片、晶片支架和封装外壳等构成。石英是一种结晶体,在结晶体上按一定方位切割成的薄片就是石英晶片。按切割晶片的方位不同,可将晶片分为AT、BT、CT、DT、X、Y等多种切型。不同切型的晶片其特性亦不尽相同,其中尤以频率温度特性相差较大,通常AT型晶片的频率温度特性较好,所以应用也广。 晶片支架的作用是固定晶片及引出电极。晶片支架一般可分为焊线式和夹紧式两种。通常低、中频率的晶振采用焊线式,高领晶振用夹紧式。晶振元件的外壳以金属壳的最为多见,其特点是体积小,密封性好,价格较低廉,彩电、录像机、游戏机及电子手表中大多采用这种晶振元件。还有一     

BSO晶体电光效应的实验研究

本文研究了含有自然旋光的BSO晶体的电光效应,并采用自然旋光与电光相移相补偿的方法和调制度函数法测量了不同生长条件下BSO晶体的半波电压。     

基于SOA互增益调制双折射效应的全光2-4电平编码转换

提出了一种利用半导体光放大器(SOA)的互增益调制(XGM)的双折射效应实现全光2-4电平编码转换的方法.两路2-电平强度调制光信号正交偏振合波后,沿SOA的主轴进入,利用SOA的偏振调制实现被调制信号光的偏振调制,通过检偏输出4-电平强度调制光,从而实现2-4电平调制的编码转换.     

KTP电光开关

利用KTP晶体的有效电光系数γc1,制成电光开关,实验研究了它的热光效应,通过温控实现了晶体的静态双折射补偿,并将它成功地运用于调Q脉冲的削波整形     

光纤电压传感器的电光晶体与传感器设计

介绍了光纤电压传感器的敏感材料电光晶体,说明了它们的点群结构和电光特性,阐述了它们可能存在的旋光性、热光效应、热释电效应、自然双折射及其对电压测量精度的影响。指出BGO晶体是目前较理想的用作光纤电压传感器的敏感材料,并介绍了传感器的结构和设计。     

LPS-Ⅱ激光稳功率仪

本仪器主要由He-Ne激光器、铌酸锂电光调制器、伺服控制电路组成,其工作原理如图1所示。由于He-Ne激光器输出为线偏振光,为避免增加损耗,光路中省去了起偏器。光路中当在z轴通光的铌酸锂电光晶体的。方向加上的电压发生变化时,由于晶体的电致双折射效应,故使通过该晶体线偏振光的偏振度发生变化,这样通过检偏器后的光强也就发生了变化,本仪器中电光调制器采用如图2所示的正交偏光工作方式,图中Ⅰ为激光功率,V_w     

电光晶体乘法器及其应用

基于电光晶体的双横向普克尔斯效应,设计并实现了一种电光晶体乘法器,可以利用电光晶体和光载波实现两个电信号的乘法运算.实验证明这种电光晶体乘法器能够用于产生光调幅波和传感电功率,直流电功率传感实验的非线性误差低于3.3%.     

利用KD~*P晶体的电光效应测量微小双折射程差

利用KD~*P晶体的一次电光效应对晶片由双折射引起的光程差做连续补偿,一般将待测晶片的双折射程差补偿到Kλ/2,K=0、±1、±2…,λ为光源波长。由KD~*P晶体上所加电压V_2与由V_2产生的双折射程差δKD~*P的线性数值关系,求出对待测晶片所补偿的双折射程差,从而求出待测晶片的双折射程差δX。采用本实验装置,可以标定1/4波片以及双折射程差小于λ的晶片,精度在±10A之内。     

声光器件的特性及应用

随着光电子学的发展,光学电子器件正在迅速地向实用化渗透,其中用电来控制光信号的手段之一,是称作布喇格元件,或AO元件的声光器件.为了发生光信号,除了直接开关光源的直接调制外,还有利用光源外部器件而进行的外部调制,通常,LED和半导体激光等是利用前者,而He-Ne激光等是利用后者.在外调制方面,除了以机械手段遮断光的方法之外,还有利用声光效应的声光器件,利用泡克尔斯效应和克尔效应等电光效应的电光器件和利用法拉第效应的磁光器件等.其中声光器件由于下述原因,     

相干光通信系统中的偏振控制

在相干光通信系统中,接收端的输入信号与本振信号的偏振状态(SOP)必须匹配,以保证其接收灵敏度。但是,通常使用的单模光纤,由于受温度或其它环境条件的影响,光纤中传输光的偏振态是不稳的,因此,有必要对传输的光信号进行偏振控制。本文所用的控制SOP的器件是挤压控制器,是一种线性双折射元件。     

外延PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的电光效应

从Landau-Devonshire唯象理论出发,通过热力学分析得到PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的电光效应与厚度和外加电场的关系. 结果表明,生长在SrTiO3衬底上的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,其线性电光系数和二次电光系数都随薄膜厚度的增加而增大,且在临界厚度附近趋于饱和,对50 nm厚的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,线性电光系数和二次电光系数分别为7.2×10-11 m/V和0.31×10-18 m2/V2,双折射变化随外加电场改变,由线性电光效应引起的双折射变化比二次电光效应引起的双折射变化明显.     

磷化镓二极管光调制器

应用电发光半导体二极管进行光调制的方法已为人们所知道,最近,人们又使外来光源的输出光在磷化镓二极管的作用下实现了光调制.我们知道,光发射二极管的光调制方法有许多种,例如,变化正向偏压、应用电光或磁光效应、直接变化能级或激光器的共振特性.磷化镓调制器应用的是电光效应,使偏振晶体产生双折射性.二个合成偏振光成     

利用单块硅酸铋晶体同时测量交流电压和电流

设计并实验实现了利用单块硅酸铋(Bi12SiO20,BSO)晶体同时测量交流电压和电流的传感方案,其光学传感单元仅由起偏器、BSO 晶体和检偏器组成。BSO 晶体兼有Pockels 电光效应和Faraday磁光效应,在起偏器和检偏器的主透光方向互相平行或互相垂直的情况下,输出光信号中同时包含被测电压和电流传感信号,其中电压传感信号为被测电压的倍频信号,而电流传感信号则与被测电流同频率,因而可以利用电子滤波器从光电检测信号中分离出电压与电流传感信号,从而实现电压和电流的同时测量。利用一块尺寸为6.04.02.9 mm3 的BSO 晶体,实验实现了6 A、200 V 范围内工频电流与电压的同时测量。     

固体激光高重复率电光Q开关研究

对光学晶体的电光效应进行了深入地分析,应用谐振腔原理研制出折叠循环腔式高重复率电光开关.在电光晶体上施加小振幅的调制电压,可获得高重复率窄脉冲光信号,调制频率可达到60～100 MHz.这种电光开关可应用于电光Q开关、电光调制器、计数器等.     

铌酸锂电光调制的研究

电光调制是利用晶体的双折射性质,将入射的一束光分为两束;同时利用晶体的电光效应,用电信号改变两束光通路上的折射率,即两束光的速度,那么,两束光的相位差就被电信号所调制;再利用干涉原理,使相位差随信号改变的两束光相叠加,从而实现光强度调制。电光调制一般由下列部件组成:     

利用BSO晶体实现光电光调制

本文研究了BSO晶体的电光效应和光电导效应,并利用这两种效应实现了光-电-光调制。     

入射光偏振方向对LiNbO3晶体近光轴电光调制的影响

分析了在垂直LiNbO3 晶体光轴方向加电压,光沿近光轴方向传播时,入射光偏振方向对电光调制器的影响.通过计算加电场后双折射光程差的变化和偏光振动方向的转动,画出在正交偏振镜下不同起偏方向的锥光干涉图,得到干涉图随起偏方向变化的规律:由偏光振动方向转动引起的消光区域随起偏方向的转动而转动,在起偏和检偏方向上始终消光,在与起偏方向成±45°角方向始终全透光,并且消光线的交点即感应双光轴头不随起偏方向的转动而变化,始终在折射率变大的感应主轴上.     

微片激光器线性调频技术的研究

提出一种激光线性调频方法。在微片激光器谐振腔中插入电光晶体,利用电光晶体的线性电光效应,通过对外加电场的控制,可以得到线性调频的激光信号。采用该方法,可获得较高的调制频率和较大的调制范围,能够满足激光雷达和测距仪的要求,而且外加电路实现简单、易控制。