[Fe（CN）6]^4—在溴碘化银T—颗粒乳剂中的掺杂

本文研究了K4[Fe(CN)6]掺杂对溴碘化银T-颗粒乳剂感光性能的影响.结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响.K4[Fe(CN)6]的掺杂量在每克乳剂3.1×10-93.1×10-11mol之间时,乳剂感光度都有提高.最佳掺杂量为每克乳剂3.1×10-10mol.掺杂位置接近表面时效果相对较好,表明K4[Fe(CN)6]是浅电子陷阱掺杂剂.当掺杂剂的掺杂量大于每克乳剂3.1×10-8mol,且掺杂位置在乳剂颗粒较深内部时,乳剂的感光度反而下降.     

K_4[Fe(CN)_6]掺杂剂对溴碘化银颗粒乳剂感光性能影响的研究

研究了K4[Fe(CN)6]掺杂剂对溴碘化银颗粒乳剂感光性能的影响,结果表明掺杂剂的掺杂量、掺杂位置以及在乳剂颗粒内部的分布区域对乳剂的感光性能都有影响。掺杂位置接近表面或接近内核时效果明显,掺杂位置接近富碘区域时,乳剂的感光度上升的不明显,较佳的掺杂量为1×10-6mol/molAgNO3。     

K4[Ru(CN)6]对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能及光电子寿命影响的研究

本文研究了K4[Ru(CN)6]掺杂剂对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能以及光电子寿命的影响,研究结果表明,掺杂剂的掺杂量、掺杂位置以及在乳剂颗粒內部的分布区域对乳剂的感光性能都有影响.掺杂位置接近表面或接近颗粒几何核心时效果明显,掺杂位置接近富碘区域时,乳剂的感光度变化不明显或是下降.掺杂位置决定了掺杂剂的最佳用量,在66%-92%位置掺杂时,感光度提高最为显著.与未掺杂乳剂相比,最佳掺杂位置和最佳掺杂量乳剂的自由光电子与浅束缚光电子的寿命都有所延长.     

[Ru(CN)_6]~(4-)在溴化银立方体乳剂中的应用

研究了 [Ru (CN) 6]4-在溴化银立方体乳剂中的掺杂 ,[Ru4(CN) 6]4-作为 1种浅电子陷阱掺杂剂可有效地改善乳剂的感光性能。通过实验确定了最佳掺杂位置和用量 ,并从理论上进行了初步探讨。     

浅电子陷阱掺杂剂——Ru(Ⅱ)的应用研究

研究了浅电子陷阱掺杂剂———钌盐Ru (Ⅱ )加入纯溴立方体乳剂中 ,对感光度的影响 ,结果表明在乳剂颗粒的一定位置 ,掺杂一定量钌盐能明显提高乳剂感光度。     

[Ru(CN)_6]~(4-)在溴碘化银立方体乳剂中的应用

研究了[Ru(CN)6]4-在溴碘化银立方体乳剂中的掺杂,[Ru4(CN)6]4-作为1种浅电子陷阱掺 杂剂可有效地改善乳剂的感光性能。通过实验确定了最佳掺杂位置和用量,并从理论上进行了初步探讨。     

Luminol-K_3[Fe(CN)_6]化学发光法测定汽油中的铅

根据铅(Ⅱ)催化K3[Fe(CN)6]氧化Luminol产生化学发光的事实,结合流动注射分析技术,建立了一种发光定量测定铅的新方法。实验结果表明,该方法对Pb(Ⅱ)的检出限为3.8×10-7mol/L,工作曲线线性范围为1.0×10-6～1.0×10-4mol/L,测定浓度为1.0×10-5mol/L,Pb(Ⅱ)的相对标准偏差为3.5%(n=11),通过对汽油样品中铅的检测,结果满意。     

甲酸根掺杂立方体溴碘化银微晶乳剂的增感效应研究

使用反馈式微机控制双注仪,在晶体生长不同时期,依次加入不同量碘盐和一定量甲酸盐,制得了两个系列的溴碘化银乳剂:一系列为碘含量分别为乳剂颗粒总银量的0、2×10-2、3×10-2、4×10-2和5×10-2I-mol/Ag mol的溴碘化银颗粒乳剂;另一系列为碘含量与上述系列乳剂相同,并掺杂有1×10-4mol/Ag mol甲酸根的溴碘化银颗粒乳剂.对其感光性能的测试结果表明,经过化学敏化和光谱增感后,甲酸根掺杂的溴碘化银乳剂较未掺杂甲酸根的乳剂,感光度显著提高,在一定量的I-掺杂范围内(0—4×10-2I-mol/Ag mol),灰雾没有明显增加.     

含碘高氯乳剂的制备和性能研究

碘离子掺入到高氯乳剂可以显著提高其感光性能。碘离子掺入到亚表层可增加乳剂的光吸收,提高感光度,增加反差。最佳掺入量为0.6％mol/mol Ag,掺入位置在65％Ag处,KI加入速度约8s。在一定范围内(小于1.5％mol/mol Ag)碘离子掺入亚表层对清晰度没有明显影响。如果铱掺杂的掺杂位置为亚表层,掺杂量为10~(-7)mol/mol Ag,铱络合物可有效地改善含碘高氯乳剂的高照度互易律失效。     

溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究

利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T-颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率，并与未掺杂的晶体样品进行对比，分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响。结果表明，随掺杂剂用量的增加，晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加，这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合、但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同，当掺杂量一定，掺杂剂掺在碘区附近时，晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显。随着实验温度的增加，乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降。     

卤化银乳剂制备中的新型掺杂剂

本文综述了近年来乳剂制备中常用的新型掺杂剂 ,较详细地介绍了两种能提高光电子利用效率的掺杂剂 ,即过渡金属络合物浅电子陷阱掺杂剂和羧酸盐(酯 )有机空穴陷阱掺杂剂 ,总结了掺杂剂的选择原则 ,并举例说明了掺杂剂对乳剂感光度的影响 .     

浅电子陷阱技术

浅电子陷阱技术是掺杂技术的一个分支,近年来有关它的研究和应用又开始受到人们的重视。本文简单介绍了照相乳剂颗粒中浅电子陷阱的形成及原理,并对可形成浅电子陷阱的掺杂剂的类型及其在卤化银乳剂颗粒中掺杂的部位、使用量和所起的作用进行了初步的分析。在卤化银乳剂制备过程中使用浅电子陷阱剂可有效地提高照相感光度。     

金属离子对溴碘化银乳剂微晶体的掺杂效应 III.Cu~(2+)的掺杂

在本工作中,用电镜法、介电损耗法和微波光导法研究了铜离子的掺杂对于卤化银乳剂微晶体的掺杂效应。试验结果表明,铜离子的掺杂使卤化银乳剂微晶体的颗粒变小,使微晶体的介电损耗峰向高频方向稍微移动0.3对数单位。使微晶体的光电导急剧地降低。实验证明,铜离子吸附在卤化银乳剂微晶体的表面,起着深电子陷阱的作用,是导致铜离子的掺杂使乳剂的感光度降低的主要原因。     

金属离子对溴碘化银乳剂微晶体的掺杂效应——Ⅳ.铋离子Bi~(5+)的掺杂与光电子寿命

利用电镜法。介电损耗法和微发光导法,对铋离子Bi~(5+)在卤化银乳剂微晶体中的掺杂效应,做了较深入的研究。试验结果表明:铋Bi~(5+)的掺杂使卤化银的颗粒变小,使介电损耗峰向高频方向移动。随着铋离子Bi~(5+)的掺杂量的增加,乳剂微晶体的光电导在极短的时间内急剧下降,而光电子的寿命不断增加。看来铋离子的掺杂提供了大量的浅电子陷阱,造成潜影中心分散度增加和活性降低,这是造成减感的主要原因。     

明胶代用物AN—BA共聚物的合成和应用

用乳液聚合法合成的丙烯酸丁酯-丙烯腈共聚物是一种性能优良的明胶代用物,而采用无机—有机复合乳液聚合技术合成的含硅的丙烯腈-丙烯酸丁酯共聚物乳液,作为明胶代用物,不仅保留原共聚物的性能,又有良好的渗透性,可改善胶片的照相性能,适用于高温快显机器加工的照片。     

{100}面明胶-氯化银扁平颗粒乳剂研究进展

高氯化银{100}面扁平颗粒(T-颗粒)乳剂结合了高氯化银乳剂和T-颗粒乳剂的独到优势,在当代传统照相与数字影像强烈竞争的时期,它的制备与研究有助于提升传统银盐感光材料的竞争力。本文综述了高氯化银{100}面T-颗粒乳剂的制备原料、制备工艺过程、化学增感、光谱增感及该乳剂的应用前景。