GaAs肖特基二极管中不连续性电路仿真分析

在太赫兹技术应用系统中,太赫兹混频器是太赫兹接收前端的关键部件,而太赫兹肖特基二极管是太赫兹混频器的核心器件。本文采用信号完整性的方法对肖特基二极管在无源区的特性进行建模分析,并对不连续性、寄生电容等参数进行分析。根据肖特基二极管设计的物理参数,如尺寸、材料的介电常数等,在高频结构仿真器(HFSS)中对肖特基二极管进行建模。通过多次建模仿真,最终给出肖特基二极管的等效电路模型。通过对比 HFSS中提取二极管欧姆焊盘的S参数和 Ansoft-designer中对二极管欧姆焊盘的等效电路进行仿真得到的S参数,证明了等效电路的合理性。该模型可以应用在对太赫兹混频器的电路级仿真中。     

SiC肖特基势垒二极管的研制

本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（Ｐｔ）做肖特基接触在ｎ型６Ｈ-ＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性．对实验结果进行了比较分析,Ｉ-Ｖ特性测量说明Ｐｔ／６ＨＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特性,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子为１.２３,肖特基势垒高度为１.０３ｅＶ,开启电压约为０.５Ｖ．     

高效170 GHz平衡式肖特基二极管倍频器

太赫兹源的输出功率是限制太赫兹技术远距离应用的重要参数。为了实现高效的太赫兹倍频器,基于高频特性下肖特基二极管的有源区电气模型建模方法,利用指标参数不同的两种肖特基二极管,研制出了两种170 GHz平衡式倍频器。所采用的肖特基二极管有源结区模型完善地考虑了二极管IV特性,载流子饱和速率限制,直流串联电阻以及趋肤效应等特性。通过对两种倍频器仿真结果进行对比,完备地分析了二极管主要指标参数对倍频器性能的影响。最后测试结果显示两种平衡式170 GHz倍频器在155~178 GHz工作带宽内的最高倍频效率分别大于11%和24%,最高输出功率分别大于15 mW和25 mW。从仿真和测试结果表示,采用的肖特基二极管建模方法和平衡式倍频器结构适用于研制高效的太赫兹倍频器。     

3C-SiC功率肖特基二极管特性的计算机分析

由描述功率肖特基二极管电学特性的基本方程出发，结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析，给出3C－SiC功率肖特基二极管折衷优化设计的理论依据。     

p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究

研究了 p型 Al/6H- Si C肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数。采用电流 -电压法 ( I-V)测试了肖特基二极管的理想因子 n和肖特基势垒高度b。对其基本电学参数 n和b 的温度特性进行了研究 ,并分析了串联电阻对 I- V特性的影响。     

低电阻GaN基太赫兹空气桥结构平面肖特基二极管

提出了通过增大欧姆接触电极包围角提高GaN基太赫兹肖特基二极管的截止频率的方法,该方法减小了空气桥结构平面肖特基二极管的串联电阻,进而提高了器件的截止频率.设计并制备了不同欧姆接触电极包围角的空气桥结构平面肖特基二极管,通过对器件Ⅰ-Ⅴ特性及C-V特性的测量,可知随着欧姆接触电极包围角的增大,肖特基二极管的串联电阻减小,而肖特基二极管的总电容并没有受影响.欧姆接触电极全包围结构的肖特基二极管截止频率为264 GHz,约为欧姆接触电极包围角为180°器件的1.6倍.     

退火对Pt/TiO2肖特基二极管结构及电学性能的影响

以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO2薄膜,利用扫描电子显微镜及拉曼光谱对退火前后的TiO2进行表征与结构分析.结果表明,退火后的TiO2具有良好的结晶特性,且呈锐钛矿结构.在此薄膜工艺条件下,以TiO2为半导体层在玻璃基底上制备了Al/TiO2/Pt肖特基二极管,并在153～433 K温度范围内对其进行了I-V测试,得到以下结果:在整个温度范围内,A1/TiO2/Pt肖特基二极管均表现出良好的整流特性;其理想因子随温度升高而降低,势垒高度随温度升高而升高;在433 K下,理想因子为1.31,势垒高度为0.73,表明此肖特基二极管已接近理想的肖特基二极管.     

6H-SiC高压肖特基势垒二极管

在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,通过热蒸发,制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管．测量并分析了肖特基二极管的电学特性,结果表明,肖特基二极管具有较好的整流特性：反向击穿电压约为450V,室温下,反向电压VR=-200V时,反向漏电流JL=5×10-4A*cm-2;理想因子为1.09,肖特基势垒高度为1.24—1.26eV,开启电压约为0.8V．     

Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析

采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺，制作了N型6H—SiC肖特基势垒二极管，对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明，该器件具有很好的整流特性，反向电流小、击穿电压高，且在高温下器件波动很小，能够稳定地工作，适合于在高温(600℃)等恶劣环境下长期可靠地工作。     

高截止频率肖特基二极管仿真模型研究

基于表面沟道型平面肖特基势垒二极管基本结构,采用GaAs 0.15μm伪高电子迁移率晶体管（pseudomorphic high electron mobility transistors, pHEMT）工艺制程,提出了一种垂直沟道长跨度空气桥的肖特基二极管模型.研究了不同阳极直径对肖特基二极管级联电阻的影响,对比分析了不同焊盘间距下肖特基二极管模型的S参数仿真结果,得到最优空气桥长度;仿真了最优焊盘间距下二极管肖特基结的TCAD模型,根据仿真得到的特性曲线提取肖特基二极管的SPICE参数.经实验测试,该二极管具有极低的零偏置结电容,截止频率高达9 THz,仿真结果与实测结果吻合度较高,可用于太赫兹频段上.     

浅析液晶显示模组技术及常见问题的分析

目前液晶外屏的生产线已经发展到第六代、第七代。生产工艺流程相当复杂,坏掉就很难更换,对于笔记本、数码摄像机和数码相机来说液晶屏简直就是这些数码产品的生命,应当妥善的维护和保养,尽量延长其使用寿命。基于液晶显示模组技术交流的目的,通过介绍液晶显示器模组技术中背光系统的常见组成及各部分的结构与作用,并对一些液晶显示器常见不良的分析和生产实际中常见不良问题进行一定的分析。     

3mm波段四次谐波混频器阵的研究

采用微带结构研制出3毫米波段8路四次谐波混频器阵。该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对。设计了一种便于组阵结构的四次谐波混频器,把混频器分解为反向二极管对模块和双工器模块。反向二极管对模块和双工器模块电路分别设计和安装在厚度为0.127mm和0.254mm的RT/Duriod 5880基片上。实测混频器的最低变频损耗为17dB。     

Temperature behaviour and compensation of Schottky barrier diode

This paper offers a fresh look into the temperature behaviour and compensation of Schottky barrier diode's radio frequency (RF) resistance. RF resistance of a Schottky diode varies with temperature at conventional fixed current bias as well as fixed voltage bias condition. Here we have proposed “optimum load-line biasing technique” to achieve temperature invariant RF performance of the Schottky diode based RF circuits. Mathematically we have shown and verified by measurements that the proposed technique provides temperature insensitive RF performance over a very wide range of operating temperature. Thus, without any separate temperature sensor and compensation circuits, as used in conventional temperature-compensation schemes, it is possible to achieve temperature invariant RF performance of the Schottky diode based RF circuits.     

12232液晶显示器的设计

液晶显示器件（LCD）是一种高新技术的基础元器件,它是利用液晶的各种电光效应,把液晶对电场、磁场、光线和温度等外界条件的变化,在一定条件下转换为可视信号而制成的显示器。液晶显示器具有低电压、低功耗的特点,与CMOS集成电路相匹配。文章通过对液晶显示模块12232F的具体分析研究．给出了该液晶显示模块与单片机AT89S52如何实现并串口的连接方案。     

Electrical characteristics of rectifying polycrystalline silicon/silicon carbide heterojunctions

This paper presents a study of the rectifying properties of heavily doped polycrystalline silicon (polysilicon) on 4H silicon carbide (4H-SiC). Current properties and barrier heights were found using analysis of the heterojunction. This revealed that Schottky analysis would be valid for the large barrier height devices. Isotype and an-isotype devices were fabricated on both p-type and n-type SiC and the electrical characteristics were investigated using capacitance vs voltage measurements, current vs voltage measurements (I-V), and temperature I-V measurements. Extraction of the barrier height, built-in potential, and Richardson constant were made and then compared to theoretical values for the heterojunction. Temperature I-V measurements demonstrated that the current transport mechanism is thermionic emission, confirming the validity of the Schottky diode model. The I-V characteristics show near ideal diode rectifying behavior and the capacitance-voltage characteristics show ideal junction space charge modulation for all polysilicon/SiC combinations. These experimental results match well with heterojunction band-offset estimated barrier heights and demonstrate that the barrier height of the polysilicon/4H SiC interface may be controlled by varying the polysilicon doping type.     

用于太赫兹探测的InP基异维肖特基二极管

异维肖特基二极管(HDSD)是一种具有三维金属-二维半导体结的特殊的肖特基势垒二极管。由于具有较小的结电容和串联电阻,HDSD在太赫兹探测中很有应用潜力。本文研制了InP基HDSD,据我们所知相关工作尚未被报道过。与GaAs基HDSD相比,可以预期InP基HDSD有着更好的性能,一方面因为更高的电子迁移率和二维电子气(2DEG)浓度,另一方面因为更小的肖特基势垒高度。通过交流测量得到的截止频率高于500GHz,表明InP基HDSD具有应用于太赫兹探测的潜力。     

Dynamic Pixel Models for a‐Si TFT‐LCD and Their Implementation in SPICE

A dynamic analysis of an amorphous silicon (a‐Si) thin film transistor liquid crystal display (TFT‐LCD) pixel is presented using new a‐Si TFT and liquid crystal (LC) capacitance models for a Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE) simulator. This dynamic analysis will be useful when predicting the performance of LCDs. The a‐Si TFT model is developed to accurately estimate a‐Si TFT characteristics of a bias‐dependent gate to source and gate to drain capacitance. Moreover, the LC capacitance model is developed using a simplified diode circuit model. It is possible to accurately predict TFT‐LCD characteristics such as flicker phenomena when implementing the proposed simulation model.     

3300V碳化硅肖特基二极管及混合功率模块研制

基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-SiC肖特基二极管(SBD),所用4H-SiC外延材料厚度为35 μm、n型掺杂浓度为2× 1015cm-3.二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2V下电流达到50 A,比导通电阻13.7 mΩ· cm2;反偏条件下器件的雪崩击穿电压为4 600 V.基于这种3 300 V/50 A 4H-SiC肖特基二极管,研制出3 300 V/600 A混合功率模块,该模块包含24只3 300 V/50 A Si IGBT与12只3 300 V/50 A 4H-SiC肖特基二极管,SiC肖特基二极管为模块的续流二极管.模块的动态测试结果为:反向恢复峰值电流为33.75 A,反向恢复电荷为0.807 μC,反向恢复时间为41 ns.与传统的Si基IGBT模块相比,该混合功率模块显著降低了器件开关过程中的能量损耗.     

单片机在液晶显示器系统中的应用

介绍了基于AT89C52单片机开发的液晶显示器系统的实现,包括系统的硬件电路设计和软件设计.所采用的液晶显示模块由T6963C控制器控制.该液晶显示器系统通用性强,是构成微机控制系统的显示系统的理想方案.文中分析了单片机对液晶显示器的底层控制,介绍了液晶点阵显示的优化方案,讨论了通过优化方案实现光标以及动画的方法.经过调试及使用,该液晶显示器系统以及程序设计方案运行稳定可靠,而且具有一定的通用性.