飞思卡尔450WRF功率晶体管为UHF广播应用

飞思卡尔半导体近日推出50V横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,输出功率比与之竞争性UHF TV广播解决方案高50%。     

VIP50工艺技术为后盾 NS大幅提升各种放大器性能

VIP50工艺是美国国家半导体(NS)独家专有的全新绝缘硅(SOI)BiCMOS工艺技术,VIP50的晶体管都装设于SOI圆片之上,然后以沟道互相隔离.这种隔离设计可将寄生电容减至极少,并可大幅提高放大器的带宽/功率比.其工艺优点是可以确保放大器芯片能在0.9V～12V之间的供电电压范围内操作.     

分立器件

MRF6VP3450H:RF功率晶体管飞思卡尔推出50V横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,MRF6VP3450H旨在让TV发射器采用模拟和数字两种调制格式。高效的RF功率晶体管通过把AC输入功率转换成RF输出功率,降低运营成本。     

低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管

给出了低电压微波 Si Ge功率异质结双极型晶体管 (HBT)的器件结构和测试结果 .器件结构适于低压大电流状态下应用 .采用了梳状发射极条的横向版图设计 ,其工作电压为 3— 4V.在 C类工作状态 ,1GHz的工作频率下 ,输出功率可以达到 1.6 5 W,具有 8d B的增益 . 3V时可以达到的最高收集极效率为 6 7.8% .     

低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管

给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条的横向版图设计,其工作电压为3-4V.在C类工作状态,1GHz的工作频率下,输出功率可以达到1.65W,具有8dB的增益.3V时可以达到的最高收集极效率为67.8%.     

元器件与组件

正用于E级工业电源的功率晶体管该1 3.6 M H z R F功率晶体管STAC 250V2-500E具有市场领先的稳定性和高功率密度(power density),采用热效率(thermally efficient)极高的微型封装,可用于大输出功率的E级工业电源。STA C250V2-500E的负载失匹率     

C波段大功率GaN HEMT内匹配器件

基于GaN微波功率器件工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗.采用二项式多节阻抗匹配变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,通过采用LC网络提升了管芯输入阻抗、输出阻抗,加入了稳定网络,实现了50 Ω阻抗匹配.采用高热导率金属陶瓷外壳,提高了器件散热能力.最终研制成功大功率GaN HEMT内匹配器件,器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为40 mm.测试结果表明,频率为4.5～4.8 GHz,脉宽300μs,占空比10％,工作电压VDSs为28 V,器件的输出功率大于120 W,功率附加效率大于50％,功率增益大于11 dB.     

千瓦级硅LDMOS 微波功率晶体管关键技术研究

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS 微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W 硅LDMOS 微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0. 19 ℃/ W。在50 V 工作电压、230 MHz 工作频率、脉宽为100 滋s、占空比为20% 、输入功率为6 W 的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23. 5 dB,漏极效率74. 4% ,电压驻波比10:1。该晶体管已实现工程应用。     

RFMD推出新款GSM功率放大器

美国RF Micro Devices(RFMD)公司针对GSM蜂窝手机制造商的需求,推出一款3V GSM功率放大器RF2318。它采用RFMD的砷化镓异质结双晶体二级管工艺制成,具有高功率、高效率的特点,工作频率为880～950MHz,效率高达57%。RF2138具有功率控制输出功能(控制范围:70dB)。在供电电压为3.5V时,RF2138可提供 35dBm的输出功率,输入阻抗为50Ω。由于采用砷化镓异质结双极晶体管工艺,仅需单个 3V电     

晶体管的一个重要物理参数△V_(BE)

本文从测量多种小功率、大功率晶体管在规定条件下的△V_(BE),及其随加热功率P_(Hot)的变化规律,到详细讨论测试结果.如果在相同条件下测量不同器件的△V_(BE),可以迅速评价器件热阻的大小.通过测试△V_(BE),可以对晶体管制造工艺监控;100%测试产品的△V_(BE),可以对产品作高可靠筛选.     

元件

RF功率MOSFET STMicroelectronics公司的SD29XX系列全金属化N沟道MOSFET RF功率晶体管,额定功率值从5W、28V到300W、50V。采用特殊的内部封装技术,其无支架式设计使热阻降低了25％,平均故障间隔时     

P波段900 W脉冲功率LDMOS器件的研制

设计并制作了一种50 V窄脉冲工作的P波段大功率横向扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOSFET)。在P波段、工作电压50 V、工作脉宽100 μs和占空比10%的工作条件下,该器件的带内输出功率大于900 W,功率增益大于18 dB,漏极效率大于50%,抗驻波失配比大于5∶1,表现出了良好的性能。     

低压射频功率晶体管的特点和设计原则

本文分析了低压(低工作电压)射频功率晶体的特征,并由此导出了这类晶体管的设计原则.最后,作为一个实例,给出了f_o=470MHz,V_(cc)=12V,P_o=25W,G_p(?) 5dB的低压射频功率晶体管的设计图形和实验结果.     

高性能高压自对准双扩散横向pnp晶体管

适用于高压线集成电路的一种新的横向晶体管——自对准双扩散横向(SADDL)晶体管已经开发出来。这种管子具有一个自对准形成的窄的n型基区,以提供高的h_(FE)和高的f_T;还有一个可减小电场、提供高的击穿电压BV_(ceo)的P~-型集电极。业已证明,SADDL晶体管的f_T在不降低BV_(ceo)的情况下可以得到改进,f_T值比已经报道过的其它横向晶体管的高十倍以上。制造出的350V档SADDL晶体管,具有高的h_(FE)(约100)、高的f_T(约15MHz)和高的阿莱电压(>1000V)。     

IGBT在开关应用领域全面挺进

绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600～1200V,电流容量高达600A,实验室研制水平达1600V/1200A、2800V/100A。由于IGBT既具有MOSFET这类场控型器件高输入阻抗、微功率驱动、开关速度快、安全工作区(SOA)大等特点,同时还具有双极晶体管(BJT)电流密度大、热阻小、饱和压降低诸优点,故在功率开关器件领域的竞争中,占有比较明显的优势。     

元件

额定功率为300W的MOSFET 意法半导体公司(ST)的全金属化N沟道MOSFET RF功率晶体管SD29xx系列,额定值范围从5W 28V到300W 50V。该系列产品增加了增量,更适合对可靠性、强度、热性能及成本竞争能力要求较高的应用情况。该系列产品采用了深掺杂技术,用于控制DMOS设备内寄生两极晶体管的内在特性,     

电源测试器

附图所示的电源测试器可测电源电流达20A，电压由1．7V到50V的各类电源。一旦电流设定后，电源电压可在1．7V～50V的范围内调整．而电流则保持稳定不变。其最大功率取决于晶体管的散热器．     

低偏置电压工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管

介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管的研制.在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性.功率测试结果显示:当器件工作在AB类,工作频率为2GHz,集电极偏置电压仅为3V时,尺寸为2×(3μm×15μm)×12的功率管获得了最大输出功率为23dBm,最大功率附加效率为45%,线性增益为10dB的良好性能.     

L波段350W AlGaN/GaN HEMT器件研制

基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料.室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950cm2/ (V·s),方块电阻为350 Ω,电阻均匀性为3％.通过优化工艺降低了欧姆接触电阻,提高了器件工作效率.采用源场板结合栅场板的双场板技术和增大源漏间距,提高了器件击穿电压.优化了背面减薄和背面通孔技术,提高了器件散热能力.采用阻抗匹配技术提升了芯片阻抗.最终采用预匹配技术和金属陶瓷封装技术成功制作50 mm栅宽的AlGaN/GaNHEMT器件.直流测试结果表明,器件击穿电压高达175 V.微波测试结果表明,在50 V工作电压、1.3 GHz下,器件输出功率达350 W,功率附加效率达81％,功率增益大于13 dB.     

ST推出MDmesh V功率的MOSFET晶体管

正横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicro electronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650 V额定电压应用中可实现