网格状电阻层对FEA的作用

讨论了具有横向电阻的网格状电阻层结构的场发射阵列 ,因为场发射阵列发射的不均匀性以及异常发射都是妨碍场发射显示器发展的重大问题。电阻层的等效电阻有横向与纵向电阻之分 ,相互串接在阴极与微尖发射体之间。实验制得的场发射阵列器件 ,展示了电阻层在改善器件性能方面的重要作用     

类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制

采用真空磁过滤弧沉积（FAD）的方法制备的金刚石（DLC）薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明，DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能，阈值电场达到了2.1V/μm，当场强为14.3V/μm时，电流密度达到了1.23mA/cm^2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极，设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器（FED）样管。     

原位电阻法监测无限层薄膜沉积和热处理过程

用原位电阻法监测了无限层薄膜（Sr0．7Ca0．3）0．9K0．1CuO2沉积时电阻随时间（即膜厚）的变化过程，以及薄膜热处理过程中电阻随温度的变化过程。通过监测了解到氧含量在无限层薄膜中起着重要作用。沉积完毕对真空室充入0．1MPaO2时薄膜吸氧。对薄膜热处理时，薄膜吸氧或放氧发生在330℃以上。低真空条件下的热处理过程是可逆的；而在高真空条件下，薄膜在高温时分解，显示出半导体行为。该方法直观有效，也可以成为制备其他非绝缘薄膜的监测手段。     

原位电阻法监测无限层薄膜沉积和热处理过程

用原位电阻法监测了无限层薄膜（Ｓｒ０．７Ｃａ０．３）０．９Ｋ０．１ＣｕＯ２沉积时电阻随时间的变化过程，以及薄膜热处理过程中电阻随温度的变化过程。通过监测了解到氧含量在无支薄膜中起着重要作用。沉积完毕对真空室充入０．１ＭＰＡ Ｏ２时薄膜吸氧。对薄膜热处理时，薄膜吸氧或放氧发生在３３０℃以上。     

空间变化的地震作用下单层厂房的横向振动

本文将单层厂房的屋盖化成剪切梁，柱刚度连续化，建立了屋盖振动方程，提出了二种边界条件下厂房的拟静态和动态反应的计算方法，与以往计算方法比较，本文方法更具普遍性。     

碳纳米管阵列密度对其场发射性能的影响

本具体研究了外电场，碳纳米管自身线度，尤其管的阵列密度对其场发射性能的影响，在均匀碳纳米管阵列模型下，从理论上给出碳纳米管阵列的尖端电场，电场增强因子以及最佳阵列密度的解析表示式，理论结果表明，电场增强因子的数量级为10^2－10^4，并且碳纳米管阵列的电场增强因子与其管密度之间有着敏感的依赖关系，即当密度取某一特殊值（又被称作最佳密度值）时，电场增强因子会明显增大，相对最佳密度而言，过高或过低的管密度都将削弱碳纳米管的尖端电场，进而晚管阵列的场发射性能。     

瑞利波作用下成层地基中单桩横向振动分析

采用文克勒地基梁模型建立了成层地基中桩土相互作用的粘弹性模型,并利用现有的成层地基中的瑞利波弥散曲线解析解,通过解析法建立了瑞利波作用下多层介质中的桩体横向位移计算公式。在此基础上通过计算实例分析发现,无量纲频率α0、桩土相对刚度比Ep/Es、桩顶约束条件是影响桩体横向位移变化规律的主要因素,随着无量纲频率、桩土相对刚度比的增大,桩土分离的现象逐渐变得显著,桩顶约束的出现也会引起相同的结果。     

新型光伏阵列等效串联电阻的计算模型

该文提出一种新型光伏阵列等效串联电阻的简化计算模型,同时在该模型的基础上,提出一种等效串联电阻的工程应用模型。该模型基于光伏电池的工程电路模型,通过推导光伏阵列最大功率点时的输出电压和电流关系以求得光伏阵列运行在最大功率点时的等效串联电阻;基于光伏阵列实时运行参数与环境参数、标准情况下运行参数的关系,通过简化计算模型计算获取实时的光伏阵列等效串联电阻。现场实验结果表明:以上两种模型的计算值误差均在8%以下,满足工程精度要求,具有较高的实际工程应用价值。     

Cu层和Mo层对NiFe多层膜巨磁电阻（GMR）的影响

采用磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ和ＮｉＦｅ／Ｍｏ两个系列的多层膜，进行了结构，磁性和磁电阻测量，并对部分ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜样品作了电镜分析，对于ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜，在室温下的测量到巨磁电阻随Ｃｕ层厚度振荡的第一，二三峰。在ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜样品中未发现巨磁电阻效应，讨论了非磁性 多层膜的磁性，界面结构和巨磁电阻效应。     

Mo2C过渡层对金刚石-碳膜场发射均匀性的影响

在经过不同特殊预处理的金属钼衬底上沉积了金刚石 -碳膜 ,分别用X射线衍射谱 (XRD)、拉曼光谱 (Raman)和扫描电子显微镜 (SEM)对样品进行了分析和测试 ,并研究了样品器件的场发射特性。结果发现在金属钼衬底和金刚石 -碳膜之间形成的Mo2 C过渡层与金刚石 -碳膜场发射均匀性有着密切的联系     

对测量金属粘贴式电阻应变计电阻的误差分析

分析了测量应变计电阻的误差来源,给出了控制方法及专用工装示意图,并提出测量时注意事项。     

电化学插层对石墨晶层的剥离作用

把石墨电极置于电解槽的阳极和阴极，间歇改变电极的正、负极，使电解质对石墨晶层进行电化学插入与脱插，最终使石墨以纳米薄片形式分散于介质中。用透射电镜、傅里叶红外光谱表征了薄片石墨的结构，探讨了石墨的电化学剥离过程。     

层合梁横向冲击的动力学效应

研究了十字叠层复合材料梁横向冲击响应的动力学效应，根据冲击实验曲线及动态有限元方法计算了惯性效应和应力波效应对位移和应力响应的影响。     

小电阻对测量结果的影响

电阻是电路的基本物理参数,电阻很小时,分析计算常忽略不计.但在许多场合下如果忽略电路中存在的小电阻,将会带来测量结果的不准确,此时必须消除小电阻影响.文中介绍了几种不同测量环境下微小电阻对测量结果的影响及消除方法.     

烧结温度对氧化锆电阻的影响

本文用交流阻抗技术、SEM、EPMA、TEM及正电子湮没技术研究了烧结温度对掺有Al_2O_3的ZrO_2的电阻的影响.电阻的测量结果表明,随烧结温度升高,ZrO_2的晶界及总电阻逐步下降,进一步的研究揭示了产生这种现象的原因.随烧结温度升高,试样中Al元素逐步偏析于ZrO_2晶界,并在晶界上形成高缺陷浓度的晶界相,这就是试样中电阻降低的原因。     

以单层网格为基础的杂交结构

本文论述了空间结构构型的基本理论。首先，从形式代数的基本概念的内蕴图，论述了将内蕴图转换为真三维图形的转换规则以及基于网格结构构造以上述工作为基础编制了程序，该程序可以实现计算机图形的自动生成，完成旋变换，并能够完成节点和杆件的排序和编号，从而可为有限元程序提供前处理数据。     

层数变化对ZnO/In2 O3多层膜微观结构及光电性能的影响

用直流磁控溅射和热氧化法在玻璃衬底上制备ZnO/In2O3透明导电多层膜,当总厚度一定时,调节溅射沉积的层数与相应各层膜的厚度,研究该多层膜微观结构、光学性能和电学性能的变化.XRD和SEM分析表明:随着溅射沉积层数的增加,In2O3衍射峰的强度不断地减弱,ZnO衍射峰出现了不同的晶面择优取向;多层膜表面的ZnO晶粒粒径变小,光洁度增加.四探针法方块电阻测试表明:低温热氧化时,ZnO/In2O3多层膜的方块电阻随层数的增加而上升;高温氧化时,ZnO/In2O3多层膜的方块电阻随层数的增加而下降.可见光光谱分析表明:随着溅射沉积层数的增加,ZnO/In2O3多薄膜在可见光区的平均透过率增大,透过率的峰值向短波方向偏移.     

表面镀钛对金刚石薄膜场发射特性的影响

利用等离子体化学气相（MWPCVD）沉积法在Si（100）面上沉积了金刚石薄膜,采用SEM、AFM、XRD、Raman、XPS等方法对薄膜的结构及表面形貌进行了分析。为提高薄膜的场发射性能,在金刚石表面溅射了金属Ti,对比金刚石薄膜、金刚石／金属Ti复合薄膜的场发射性能,结果表明,金刚石／金属Ti薄膜的发射电流密度更大,且随着电场的增加电流密度急剧增加,开启电场低,约为3V／μm,当电场为25V／μm时发射电流密度可达到1400mA／cm2,并在机理上进行了一些探索,对金刚石／金属复合结构薄膜的场发射性能研究有重要意义。