正交场→／E0×→／B0飘移电子的自发辐射

根据经典的单粒子运动方程和加速电子产生辐射的规律,计算得到了静态均匀正交场E0×B0飘移电子时产生自发辐射的谱函数．结果对具有任意速度量值的电子均适用．作为特殊情况,讨论了非相对论(γ0=1)和强相对论(γ0》1)电子注入时自发辐射情况．     

相对论电子沟道辐射产生FEL的可行性分析

采用连续介质模型,研究了电子在晶片中的单粒子运动轨迹和稳定性条件.导出了晶片中相对论电子的自发辐射谱分布,证实了晶片中相对论沟道电子产生相干辐射的可能性.     

相对论电子沟道辐射产生FEL的可行性分析

采用连续介质模型,研究了电子在晶片中的单粒子运动轨迹和稳定性条件.导出了晶片中相对论电子的自发辐射谱分布,证实了晶片中相对论沟道电子产生相干辐射的可能性.     

离子通道电子回旋脉泽频谱特性

基于等离子体状态下的离子通道电子回旋脉泽（ＩＣＥＣＭ）能够产生宽带高功率微波辐射,是一个新的可调谐同的研究方案。本文报告了该系统自发辐射的电磁频谱特性。借助相对论电子注的电磁辐射理论,初步展示了脉泽频谱的基本规律。研究结果表明,该系统的辐射带宽可近似为３γ＾２／３ωｋ／２,ωｋ是辐射功率最高的谐波频率。这一结果与文中的数值计算相符。本文深入研究离子通道对回旋电子注聚焦的新机理。文中报告的频谱特性不     

相对论电子束激励的宽带Rb2准分子发射及其增益观测

由相对论电子束激发稀有气体和碱金属Rb 的混合蒸气,观察到来自Rb2 (2 3Πg →1 3Σ u )准分子的橙红色发射带。实验研究了橙红带随温度和抽运功率的依赖特性。当抽运强度超过10m J/cm 3时,观测到自发辐射放大(ASE)现象和一个最大值为3.5% cm - 1的有效增益系数(603 nm处)     

相对论电子束在磁摆动器中的自发辐射和受激辐射

本文从经典电动力学基本公式出发,推导了相对论电子束在磁摆动器(wiggler)中的自发辐射光谱强度公式:     

电磁波Wiggler中的电子轨迹与变γ特性

本文在将相对论因子γ考虑为变量情况下,分析了电磁波Wiggler并具有轴向导引场自由电子激光中的电子轨道特性。结果表明,对应不同条件,电子轨道将分别为不稳定、不规则或环状包络形。给出γ不变,得到圆状投影轨道时的条件。     

HL-1M托卡马克的激光散射测量电子温度的相对论修正

简要介绍了HL-1M托卡马克上用激光汤姆逊散射测量等离子体电子温度的方法,阐述了相对论蓝移的原理和数据处理的方法,给出了HL-1M托卡马克上电子温度相对论修正的估算公式.散射谱中心频率蓝移量近似和电子温度成正比,在电子温度只有几百eV的情况下,散射谱中心蓝移较小,当电子温度达几千eV的情况下,散射谱中心蓝移较大.电子温度的误差与电子温度的4次方成正比,在电子温度较高即1 keV以上时,不考虑相对论效应会造成测置的结果有较大的误差,误差有时达到100～200 eV.而在电子温度较低即只有几百eV时,不考虑相对论效应只对结果造成较小误差,一般只有5～60eY.     

大别山榴辉岩中发现的Ti^0、Fe^0和FeTi合金相及其结构的确定

在中国大别山榴辉岩中,发现了金属钛(Ti0)、金属铁(Fe0)和铁钛合金,它们均以石榴石包体的形式产出。经TEM研究测量确定它们分别为:(1)Ti0属四方晶系,a=b=0·4263nm,c=0·2734nm,α=β=γ=900;(2)Fe0属面心立方晶系,a=b=c=0·7839nm,α=β=γ=900;(3)铁钛合金为面心方晶系,a=b=c=0·739nm,α=β=γ=900。钛和铁(特别是Ti0)是化学活泼性极高金属元素,极易与氧、氢、氮和碳等元素形成化合物。这是首次在柯石英榴辉岩中发现金属相组合(自然钛(1)、自然铁和铁钛合金)。在自然界很少见到自然铁和自然钛。特别是自然钛的出现更是罕见。自然铁常…     

激光等离子体相互作用中的自生磁场和超热电子热输运

应用相对论电磁粒子模拟程序,研究了线性极化强激光入射到无碰撞密度均匀等离子体时被加速的超热电子及电磁不稳定性机制。讨论了电磁不稳定性激发的自生磁场和超热电子热传导特性。 用Spitzer-Harm理论分析了电子热传导中能量的运输情况,观察到由激光的非等方加热引起的电子纵向加热现象。结果表明,不稳定性激发的强电磁场使电子束在1 μm的距离内沉积能量,同时对在激光有质动力推开电子时形成的电子热流产生抑制作用。     

一种新颖的反射结构高功率超宽带光纤光源

报道了一种新型高功率超宽带光纤光源。利用980nm激光二极管(LD)和1480nmLD双向抽运掺铒光纤，经光纤环镜反射后，得到C L波段自发辐射谱。通过调整980nmLD和1480nmLD的功率，在1524．O～1600．6nm(76．6nm)范围内，自发辐射谱功率高于-18．8dBm，并且在1539．2～l600．6nm(61．4nm)范围内，自发辐射谱的平坦度为2．8dB。总荧光功率为22．1mW。转换效率为18．8％。如果不加环镜，并且保持相同的抽运条件，得到的放大自发辐射(ASE)谱宽在1525～1565nm的C波段范围，其总的荧光功率为7．1mW，转换效率仅为6％。通过分析加环镜情况与不加环镜情况下所得到的自发辐射谱，以及加环镜情况下采用不同的抽运方式得到的自发辐射谱，最终得出结论，通过加环镜，并且用980nmLD和1480nmLD双向抽运，得到了具有最佳效果的超宽带光纤光源。实验过程中通过调整980nmLD和1480nmLD的功率，曾得到28．5mW的荧光功率，转换效率为22．3％。     

电子在多层膜摇摆器中的辐射

提出了利用多层膜作自由电子激光器的摇摆器,利用虚光子和康普顿散射讨论了运动电子在多层膜摇摆器中的自发辐射。(Fe/Cr)N等铁磁-非磁层状材料的铁磁层之间存在反铁磁耦合,因此可以利用磁性多层膜制作自由电子激光器的摇摆器。考虑到静磁场的空间周期只有7.8nm,要精确计算电子在多层膜摇摆器中运动的自发辐射的波长和辐射功率就必须考虑电子的反冲。给出了运动电子在多层膜摇摆器中的自发辐射波长和辐射功率的精确计算表达式。结果发现,自发辐射波长和辐射功率表达式中都含有康普顿波长。     

静电摇摆器自由电子激光器的高次谐波分析

讨论了一种静电摇摆器中电子的自发辐射谱和高次谐波的增益 ,其形式与平面磁摇摆器中的类似。这种静电摇摆器可由等离子体流波纹产生。当存在轴向静电力时 ,高次谐波就可能产生     

低对称晶体CdCa4O（BO3）3电光系数的测量

用干涉法测量了低对称晶体GdCa4O(BO3)3的全部电光系数。为了分离测量交叉电光系数γ51,γ53,γ42和γ62,采用了新的样品趋向。测量结果为：γ11＝0．4pm/V,γ21＝0．5pm／V,γ31＝0．6pm／V,γ13＝0．1pm／V,γ23＝0．4pm/V,γ33＝2．0pm／V,γ51＝0．7pm／V,γ42＝0．5pm／V,γ62＝0．8pm／V。     

利用非线性电场的电子回旋脉塞

电子回旋脉塞(ECM)——一般称为回旋管,是利用回旋电子的相对论群聚效应而产生受激辐射的一种毫米波大功率器件。回旋管突破了传统微波管尺寸受波长的限制。但是它需要有相对论性的电子能量,因而需要高压电源设备,较适合于大功率的场合。本文介绍一种新型的电子回旋脉塞,它利用非线性电场参与对回旋电子的互作用,使非相对论的电子也能产生空间的相位群聚效应,因而产生受激辐射。这种新工作原理的ECM既能利用回旋管所用的高频系统(如过模波导或开放式谐振腔)而较少受波长的限制,又不象回旋管那样需要高的工作电压。本文在简单回顾相对论电子回旋脉塞的工作原理之后,介绍这种新型器件的工作原理及实验结果。     

非对称高斯势量子点中LO声子自发辐射率的研究

本文在偶极近似下,基于费米黄金规则,采用LL P-Pekar幺正变换变分法研究了双参 量非对称高斯势量子点(QD)中体纵光学(LO)声子的自发辐射率,并讨论了它的单参量抛 物势近似,数值结果表明:声子自发辐射率w随电声耦合强度α、色散系数η 的增加而减小,随高 斯势阱深V₀的增加而增大;声子自发辐射率w随高斯势阱宽L的变化呈现非对称“高斯分布”并受到电声 耦合强度α、色散系数η和高斯势阱深V₀的显著影响;选用双参量非对称高斯势VG描写QD中电子的受 限效应能够反映声子自发辐射的更多量子化特性,而其单参量抛物势VP近似给出的结果较为简单和粗糙。     

关于超荧光

本文对于初始就处于粒子数反转的二能级系统,借助二次量子化,引用电子和光子的产生,湮没算符,建立了全量子方程组。该方程组包含着自发辐射、受激辐射和协作辐射三种过程。变量取c——数时,得到一组速率方程。(1)同人们以往得到的使用能量自旋算符的全量子方程组以及关于超辐射的各种形式的速率方程进行了比较讨论;(2)指出了在忽略协作辐射情形下,它们成为通常     

新型摆动器自由电子的自发辐射

Ｓ．Ｐｉｎｈａｓ于１９９０年提出一种新型摆动器－－磁场与纵向坐标无关摆动器。本文在Ｓ．Ｐｉｎｈａｓ工作的基础上，利用广义Ｂｅｓｓｅｌ函数计算了电子在这种摆动器中运动产生的自发辐射强度分布，得到了一筱较普遍的自发辐射谱表达式。结果表明：新型摆动顺自由电子的自发辐射谱与普通平面摆动器自由电子的自发辐射谱相似，谱线 形状由ｓｉｎｃ（η）函数决定。     

磁旋管（综述）简介

(接 2 0 0 0第 6期第 1 2页 )4　动力学理论参考资料 [2 ]和 [3]由动力学理论获得一些计算公式 ,可用于磁旋管各部分的设计计算。有些公式可能有误 ,请使用时详细推导一下。4.1　偏转系统磁旋管中电子注的圆偏转由激励 TM110 振荡的圆柱腔的 RF磁场实现。TM110 的场结构如图 2所示。因为需要得到大的偏转角引起增益下降和电子能量散开 ,采取纵向磁场克服了这个缺点。电子运动旋转方向应和 RF场一致。在小偏转角近似下可得解释解。假设βz=β0 =常数 ,γ=γ0 =常数 ,在迪卡尔坐标系中有 :dvxdt=- emγ[vx Bz- vz By]dvydt=- emγ[vz Bx-…     

高压合成Nb1-xB2（0〈x〈0．7）超导体的结构转变、电子结构和超导电性研究

自从MgB2（Tc=39K）超导体发现以来，AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近，我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2（0〈x〈0．7）化合物，得到了单相AlB2结构的样品。当0．2≤x〈0．5时，样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明，随着Nb含量的减少，晶格参数在x≈0．2处发生突变，在a-b面内收缩，沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系，我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量；并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系，得到了与实验一致的理论结果。