大容量存储器在压力信号采集系统中的应用

本文设计的压力信号采集系统主要用于石油井下来采集井底的压力信号。由于要求系统长时间的工作在井下,压力信号的存储需要大容量的存储器。因此,本文采用了低功耗、大容量的存储芯片。如何使用这种大容量的存储芯片,本文给出了硬件和软件设计方法并作了详细的说明。本文使用的大容量存储芯片硬件接口简单,通用性强。使用这种大容量存储器的压力信号采集系统稳定可靠,已通过了井下实验的测试,完全满足采集井底压力信号的要求。     

NAND FLASH在储存测试系统中的应用

主要介绍了三星公司的NAND FLASH存储器K9K8G08UOM、以FPGA为核心模块控制K9K8G08UOM的读操作、写操作和擦除操作,以及FLASH储存器在硬件设计中的具体接法。经实际电路测量验证了其功能的正确性。     

片上FLASH存储器接口的设计

DSP片内有限的存储容量限制了其信息处理能力,针对这一特点,本文设计了外部存储器接口,使DSP具有了和FLASH等异步存储器的无缝接口,用户可以方便的外接存储器芯片来扩展存储空间。文章中给出了设计思路与实现,并进行了RTL级验证,设计的外部存储器接口在功能和时序上符合各种存储器技术规范,达到了预定目标。     

大容量NAND Flash K9T1G08UOM在网络存储中的应用

针对嵌入式系统对存储的需求，提出了基于大容量NAND Flash的存储方案。简要介绍NAND Flash器件K9T1G08UOM及其编程特点，并讨论了网络存储应用的存储策略和数据可靠性方面的考虑，设计并实现了网络数据流的NAND Flash存储。     

基于FPGA的高速大容量固态存储设备设计

采用大容量的固态Flash作为存储介质,用FPGA作为存储阵列的控制器,设计了高速大容量的存储板卡,实现了数据采集过程中用相对低速的Flash存储器存储高速实时数据.FPGA既可作为高速输入数据传输到Flash中的缓存,又能实现对存储器的读写、擦除等操作时序的控制.给出了读写Flash的时序,并实现了通过工控机CPCI总线对存储器的数据读取.     

大容量Flash在井下记录仪中的应用

文章简单介绍了在井下记录仪的作用原理,重点介绍记录仪中使用的Flash K9K8G08UOM存储器的功能、特性和操作指令,硬件电路连接图,分析了K9K8G08UOM的各种工作状态,并编写了相应的时序程序流程,最后结合GUI上位机显示软件,对Flash中存储的数据进行回放,验证测试程序的正确性。该大容量高速度的存储器的应用解决了旋转导向钻井中大量数据存储的问题。     

NAND FLASH存储器K9WBG08U1M在视频记录器中的应用

为提高视频记录器的实时性和稳定性,并结合数字视频数据量较大的特点,在此设计了一种新型视频记录器。该记录器接口采用基于 FPGA+DSP架构的设计方法,设计了 K9WBG08U1M存储阵列读写时序,实现了对K9WBG08U1M阵列的实时读写。采用该记录器分别对红外热像仪输出图像和CCD相机采样图像进行连续录播实验,实验结果表明,采用该方法设计的视频记录器,由16片K9WBG08U1M存储器组成的阵列可实现连续两个半小时的视频实时录取和播放。该视频记录器满足图像实时性要求,鲁棒性好。     

基于FPGA的K9F2G08U0M Nand FLASH控制器设计

以三星公司的K9F2G08U0M为例，介绍了Nand FLASH芯片K9F2G08U0M的基本结构及工作时序，提出了一种基于状态机思想的FLASH控制器的FPGA实现方案。并在ALTERA CYCLONE系列的EP1C12芯片上实现了其功能。     

基于FPGA的K9F2G08UOM Nand FLASH控制器设计

以三星公司的K9F2G08UOM为例,介绍了Nand FLASH芯片K9F2G08UOM的基本结构及工作时序,提出了一种基于状态机思想的FLASH控制器的FPGA实现方案,并在ALTERACYCLONE系列的EPlC12芯片上实现了其功能.     

FLASH存储器与ADSP-TS101的接口电路设计及应用

ADSP Tiger SHARC系列是AD公司最新推出的高性能定／浮点数字信号处理器。本文结合ST公司的FLASH存储器SST39VF040，介绍Tiger SHARCTS101对FLASH存储器的操作方法，设计了TS101与FLASH存储器之间的接口电路和有关软件缩程。他可以在ADI公司提供的集成开发环境Visual DSP下，通过JTAG接口实现对FLASH存储器的读写访问；或者实现在TS101执行程序过程中对FLASH存储器进行直接访问。     

大容量闪存器件K9KAG08U0M与DSP的接口设计

大容量闪存器件以其体积小、容量大、易于扩展等优点在存储器领域得到广泛应用,介绍2G字节容量NANDFlash K9KAG08UOM的特点和使用方法,并以某激光惯导计算机板设计为例,重点阐述其与数字信号处理器（DSP）TMS320C6713B的硬件接口和软件设计方法。湖试和海试试验结果表明该接口设计方法可靠性高。可扩展能力强。易于编程。具有较高的实用价值。     

基于单片机的大容量静态存储器接口设计

为解决采集系统中大量数据存储及数据传输问题,对数据采集系统中基于单片机大容量静态存储器的应用进行了刨析。闪速存储器采用Atmel公司的AT29C040,对系统的总体设计思想及闪速存储器的特点做了阐述。给出了基于8位单片机进行4Mb高速存储器扩展的具体接口电路及其驱动程序。该系统具有在掉电情况下保存数据的功能,且具有存储数据容量大,体积小,功耗低,数据保存安全可靠等特点,适合于便携式流动性环境下的数据采集系统。     

一种基于AMBA总线的 NAND FLASH控制接口电路设计

NAND FLASH采用8根I／O信号线复杂的传送控制、地址和数据信息,其控制逻辑需要专门设计。该接口设计基于ARM 7TDMI核,AMBA AHB总线结构,支持1bit ECC校验和位宽转换。接口设计中的状态机由命令字发送状态组完成对NAND FLASH命令字发送,地址发送状态组完成写地址发送,读状态组完成读操作,写状态组完成写操作。该设计已通过仿真和芯片验证测试,功能符合NAND FLASH操作规范。     

I2C总线接口协议设计及FPGA的实现

简单介绍了I2C总线规范和提出一种基于FAGA的I2C总线接口协议的设计方法，并给出了仿真结果。     

基于FPGA的SDX总线与Wishbone总线接口设计

针对机载信息采集系统可靠性、数据管理高效性以及硬件成本的需求,介绍了基于硬件描述语言Verilog HDL设计的SDX总线与Wishbone总线接口转化的设计与实现,并通过Modelsim进行功能仿真,在QuartusⅡ软件平台上综合,最终在Altera公司的CycloneⅢ系列FPGA上调试。实验证明了设计的可行性。     

衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响

研究了ETOXTM结构FLASH memory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以及写入效率两方面的要求以后,确定了在VFG≈VD/2热载流子写入应力模式下,FLASH memory单元器件具有增强写入效率以及最小耐久性退化的最佳衬底负偏置条件.