针对服务器与DC／DC电源系统的4A高速MOSFET驱动器

8引脚电源栅极驱动器，每相位40A电流 TPS28225驱动器以4．5～8．8V电压控制MOSFET栅极；在7～8V电压范围内，器件效率达到最高；具有14ns自适应停滞时间控制，14ns传输延迟时间，2A大电流电源以及4A吸入电流。     

利用新一代功率MOSFET——QFET改进开关电源的性能

新型功率MOSFET——QFET带有低通态电阻和栅极电荷。利用MOSFET——QEFT开关能够提高开关电源的效率。     

CoolMOS CS服务器高压功率晶体管应用高端电源

CoolMOS CS服务器系列高性能功率晶体管是英飞凌科技公司(Infineon)专门为计算机服务器，以及通信设备、平板显示器等其他高功率密度应用而设计的。     

新型功率MOS器件的结构与性能特点

电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,分析比较了近十年来10种实用的具有新结构的功率MOS器件的结构与性能特点。     

冗余电源，不可或缺的模块!

一项服务使用的人越多，对它的要求也就越高，甚至不能出现任何意外的状况，短短几分钟的停滞也会带来不必要的损失。于是，很多服务器的可用性要求超过99．995％，也就是说这个级别的服务器年停机时间不允许超多0．4小时，每天低于5秒钟。机房内的基础环境固然很重要，服务器自身的能力也不容忽视。     

VMOS管小型固体激光器电源

VMOS场效应晶体管有许多超过双极晶体管的优点，特别适合于功率电子学应用。我们使用VMOS管、光隔离器等器件研制的小型激光器电源，性能良好。本文给出了实际电路及实验结果。     

低功耗高/低边MOSFET驱动器MIC5014/5015的应用

MIC5014/5015是MICREL公司生产的低功耗MOSFET驱动开关,该芯片价格低廉,应用广泛,本文介绍了MIC5014/5015芯片的工作原理和主要技术参数,并提供了多个应用电路.     

高效和廉价电源用功率器件的选用

选择最佳品质的功率晶体管多年来，开关电源在选择功率器件时最直截了当的方法是确定电压和电流，然后据此确定选用哪一个型号的器件。但是，您得到应有的效率了吗？在当今竞争激烈的市场中，效率都超过８５％甚至９０％。效率越高，市场定位的优势就越明显。为了能以富有...     

Zetex全新微型双极封装提升电源效率

<正>模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors近日推出新型ZXTC2045E6器件,它与互补NPN和PNP晶体管集成在一个SOT236封装内,可满足     

以LFPAK为封装的汽车功率MOSFET系列

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）发布了以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOS．FET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验,新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是高度可靠的功率SO—8封装。     

面向电源设计的MOSFET硅技术平台

为笔记本电脑增强动力移动微处理器领域最新推出的产品对笔记本电脑电源的设计人员提出了新的挑战，并进一步加重了直流—直流转换器的功率负担。直流—直流转换器是用来为笔记本电脑输送电能的装置，而笔记本电脑对电源的要求是非常苛刻的。Ｉｎｔｅｌ公司最新推出的移动...     

Diodes保护接口为电源管理IC提供完善保障

Diodes公司近日推出AP9050专用保护接口,为新一代电源管理IC(PMIC)提供过压保护.新器件包含一个LDO稳压器和一个N沟道功率场效应晶体管(FET),能够妥善控制供给PMIC的电流,在出现有效的墙上适配器或USB电源电压时启动,当检测到过压情况时立即关掉.     

SiC 器件在雷达电源中的应用

现代雷达的发展迫切需要电源提升功率密度和效率。基于第三代半导体碳化硅(SiC)材料的功率器件在耐压等级、高频工作、高温性能等方面有较大优势。文中详细阐述了SiC 器件的特性和各类型SiC 功率器件的发展现状,分析了SiC功率器件在雷达电源中的应用方向,并基于SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)设计了阵面电源样机,完成了高开关频率性能测试。实验结果表明:SiC MOSFET 的高频工作能降低系统损耗,并提升电源功率密度。