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本文用半经验紧束缚法(LCAO)对赝形生长在(001)Si1-yGey(0≤y≤1)衬底上的Sim/Gen(2≤m+n≤40)应变层超晶格的能带结构进行了系统的计算.结果表明,当Si层和Ge层的厚度m和n的取值分别为(1,4),(2,3),(3,2),(4,1),(2,8),(3,7),(4,6),(6,4),(3,6),(6,3),(7,7)时,对称应变Sim/Gen超晶格的能带结构为直接带隙,其中m+n=10的规律已为近两年其它理论计算和部分实验结果所证实.本文所得的m+n=5及其它m+n≠10的直接 相似文献
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在11K-80K温度范围内研究了用MBE生长的ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱.在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算,并讨论了导带偏移Qc和平均晶格常数的取值对计算结果的影响,还研究了x值对轻、重空穴激子能级位置的影响.在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子(6阶),还观测到垒中和阱垒间光学声子的组合模 相似文献
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Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点,藕助Schroedinger/Poisson方程及器件方程,进行了Ka波段AlGa/InGaAs低噪声PHEMT用异质层数值计算及CAD优化,确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分、浓度、与厚度、上述优化分析的结果用于器件的实验研制,取得了34.4GHz下噪声系数(NF)1.92dB、相关增益Ga6.5dB的国内最好结果。 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSe(0≤x≤1)三元半导体合金薄膜.在室温下测量了这些样品的红外反射光谱.采用介电函数的经典色散理论,并且考虑衬底的影响后,计算了样品的红外反射光谱并与测量结果作了比较.我们发现对于x<0.2,0.2<x<0.5和x≥0.5三种不同情形,反射光谱表现出不同的结构. 相似文献
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在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子(GaAs:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(photoluminescence-PL)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs(GaAs:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SecondaryIonMasSpectrometry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在GaAs:Er样品中的剖面分布.SIMS测量分别给出O注入前后Er和O在GaAs:Er,O中的深度剖面分布,分析表明Er和O共注入后形成光学激活有效的发光中心. 相似文献
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本文利用椭圆偏振光谱法测量了用MOCVD方法在GaAs衬底上生长的AlGaInP及AlGaInP掺Si两个样品,在可见光区室温下的光学常数,求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论(EMA)和线性内插法计算了样品中Al的组分,并与X射线微区分析法(能谱法)的测量结果加以比较,三者结果相符。 相似文献
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利用AlGaAs的水汽氧化技术(湿法氧化)成功地在AlGaAs层上生长出基质氧化膜。测量表明:膜厚为100-200nm,折射率范围为1.6-1.8。该膜具有优良的电绝缘特性,电阻率大于10^10Ω.cm击穿场强大于5×10^6V/cm。硅上用MBE生长的QW-GaAs材料在生长基质氧化膜后,经RTA处理(1050℃15s)后,产生明显的IILD(杂质诱导层无序)作用,GaAs量子阱中PL峰蓝移... 相似文献
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本文报导在4×622Mb/s)×160km等三个常规单模光纤无中继传输实验系统,以及4.354Gb/s×200km常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果.带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别>+4dBm/信道(4×622Mb/s)和11dBm(单路2.5Gb/s),频率稳定度分别优于6×10-6和4.1×10-6.带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到-46.8dBm(622Mb/s,NRZ223-1PRBS)和-39.5dBm(4×2.5Gb/s,NRZ223-1PRBS).系统各信道误码率分别优于4×10-12~4×10-15. 相似文献
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