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低温烧结Nb2O5-Bi2O3-ZnO系高频介质陶瓷 总被引:4,自引:0,他引:4
本文研究液相添加剂( Cu O、 V2 O5 、 Li F、 Pb O、 H3 B O3 、 Bi2 O3) 对 Nb2 O5 Bi2 O3 Zn O 系陶瓷的烧结和介电特性的影响基于实验结果, 研制的 Nb2 O5 Bi2 O3 Zn O 系陶瓷的烧结温度900‘ C, 介电性能为: εr = 150 ~170 , tan δ= 0002 ~0008 (100 M Hz) , 电容温度系数( Δ C C) ±5 %(1 M Hz) 相似文献
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流延成型制备(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3陶瓷的显微结构及性能 总被引:3,自引:0,他引:3
采用流延成型工艺制备了(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷退火前后的显微组织结构,结果表明陶瓷主晶相为钙钛矿相结构,并伴随有形貌呈针状的第二相K2Ti6O13出现;陶瓷断面和表面的晶粒形貌有差别,采用退火处理无法消除第二相K2Ti6O13,但可有效改善陶瓷断面的晶粒形貌,同时增大材料的矫顽场,并使剩余极化强度(Pr)、压电常数(d33)、介电常数(ε)与介电损耗(tanδ)变小.(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的电滞回线表现出明显铁电体的特征,其矫顽场为2680V/mm,Pr达36.6μC/cm^2,d33达113pC/N,‰为0.27,Qm达154. 相似文献
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用sol—gel法分别制备了直接沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上和加入了TiO2种子层的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄膜,研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响.XRD结果表明直接沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的BNT薄膜具有(117)和(001)的混合取向,而加入TiO2种子层之后薄膜的最强峰为(200)取向;FE-SEM显示具有TiO2种子层的BNT薄膜,其表面主要是由具有非C轴取向的晶粒组成且更为致密;直接沉积的BNT薄膜和具有TiO2种子层的BNT薄膜的剩余极化Pr值分别为26和43.6μC/cm^2,矫顽场强&分别为91和80.5kV/cm;疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性,TiO2种子层的引入并没有降低BNT薄膜的疲劳特性;两种薄膜的漏电流密度均在10^-6-10^-5A/cm^2之间. 相似文献
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采用传统陶瓷制备工艺, 制备了掺杂Na2O-CaO-B2O3(NCB)氧化物的Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3(CLST)陶瓷, 研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系. 研究结果表明: 复合氧化物NCB掺杂量在1wt%~15wt%范围内没有杂相生成, 晶相仍呈斜方钙钛矿结构. 随着NCB添加量的增加, 陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低, 介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值也呈下降趋势, 频率温度系数τf向正方向增大. NCB氧化物掺杂能有效地将CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降低至900℃. 添加12.5wt% NCB的CLST陶瓷在低温900℃烧结5h仍具有良好的微波介电性能: εr=73.7, Qf=1583GHz, τf=140.1×10-6/℃, 满足高介多层微波器件的设计要求. 相似文献
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利用熔体提拉法生长了大尺寸,高质量的新型激光自倍频晶体Nd:GdxY1-x(Ca4O(BO3)3(简称Nd:GdYCOB),对Nd:GdYCOB晶体的XRD衍射图进行指标化,得到它的晶胞参数为a=8.080A;b=16.016A;c=3.538A,β=101.18,μ=491.1A3,对取自不同部位的晶体粉末进行ICP原子发射光 分析表明晶体整体组份均匀一致,根据熔体和晶体粉末的ICP数据计算,Nd:GdYCOB晶体中Nd3 的分凝系数为0.63,首次报道了Nd:GdYCOB晶体200-3000nm室温透过光谱和室温荧光光谱及荧光寿命,室温透过光谱表明Nd:GdYCOB晶体的紫外吸收边在-220nm,具有很宽的透光波段(-220-2700nm);Nd:GdYCOB晶体在800nm附近存在很强的吸收,适合于LD泵汪,为光光谱表明Nd:GdYCOB晶体是一种很有潜力的RGB(red,green,blue)激光自倍频晶体,掺杂4%,5% Nd:GdYCOB晶体的荧光寿命分别为105us和100us。 相似文献