(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3)Fex/3)O3体系磁电阻行为的研究

通过系统地测量（La_2/3Ca_1/3）（Mn_{（3-x）／3}Fe_x／3）O₃（x＝0、0.1、0．2、0．3的体系样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系,发现随x的变化其磁电阻率峰和电阻率峰均发生位移,磁电阻率峰值增大,并伴生磁电阻率峰展宽效应．作者认为由于Fe的替代,引起体系中Mn³⁺／Mn⁴⁺比率及磁矩的变化,加之外场对磁有序结构的调制作用,从而影响了Mn³⁺－O^－Mn⁴⁺的双交换作用,最终导致磁电阻行为发生变化．     

(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3Fex/3)O3体系磁电阻行为的研究

通过系统地测量(La     

La2/3(Ca,Ba)1/3MnO3系统的顺磁共振研究

报道了对La2/3Ca1/3MnO3和La2/3Ba1/3MnO3 同温度下的电子顺磁共振（EPR）实验研究，当温度高于某一特征温度Tmin时，共振线宽随温度降低而线性变窄；当温度低于Tmin时，共振线宽表现出反常展宽。基于“瓶颈（bottleneck)”自旋－晶格弛豫模型我们对这种行为进行了讨论，并且指出A位离子平均半径强烈影响着自旋－晶格交换作用和自旋－自旋相互作用的强弱。     

La0.7-xDyxSr0.3MnO3体系的输运行为研究

研究了La位Dy掺杂对La0.7～xDyxSr0.3MnO3(x=0．00、0．10、0．15、0．20、0．30、0．40、0．50、0．60、0．70)体系输运行为的影响．实验结果表明：随Dy掺杂的增加，体系由长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态、反铁磁状态转变．高掺杂时的输运性质在其磁背景下发生异常，在x=0．50时，发现了在ABO3结构中很少出现过的在Tc附近发生绝缘体-金属相变之后又发生从金属一绝缘体相变的现象；对x=0．60，0．70，在远离Tc的温区体系表现为绝缘体．     

(1-x)La2/3Ca 1/3 MnO 3/xSb2O 5复合体系的电子输运和磁电阻行为

用两步法制备了（1-x）La2／3Ca1／3MnO3／xSb2O5复合样品．零场下电阻温度关系测量表明，对x〈3％范围。随Sb2O5含量增加，复合样品电阻率增大，绝缘体一金属转变温度降低；而对x〉3％范围，随Sb2O5含量增加。复合样品电阻率减小，绝缘体一金属转变温度提高．磁电阻测量表明，少量Sb2O5同La,2／3C＆1／3MnO3复合，可明显增强磁电阻效应．     

La2/3Sr1/3MnO3/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究

利用脉冲激光沉积的方法在Si（100）氧化成SiO₂的基片上制备了(La_2/3Sr_1/3MnO₃)_x/(ZnO)_1-x混合物薄膜,研究了薄膜的磁电阻和伏安特性. X射线衍射分析表明,除了衬底SiO₂的衍射峰以外,分别出现了La_2/3Sr_1/3MnO₃（101）的衍射峰和ZnO（002）的衍射峰,且它们形成了两相共存体系. 实验表明：x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性,而x=0.4的样品则出现了典型的金属绝缘相变. 所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性. 在0.7T磁场的作用下,x=0.3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28.8%. 通过对伏安关系拟合表明,在La_2/3Sr_1/3MnO₃和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层,且产生了界面缺陷态.     

La1-xCaxMn1.03O3外延薄膜的巨磁电阻效应

研究了用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法在ＬａＡｌＯ３（１００）衬底上制备的Ｌａ－１ｘＣａｘＭｎ１．０３Ｏ３外延薄膜的磁电阻效应。ｘ在０．２～０．６２１范围内变化,外延薄膜的电阻率与温度的关系从类半导体行为向金属导电行为转变。在ｘ≥０．５的４个样品中没有发现电荷有序绝缘体（ＣＯＩ）和反铁磁绝缘体（ＡＦＩ）现象。ｘ＝０．２样品在１．５Ｔ磁场下磁电阻率ＭＲ的最大值为１０＾４％、磁转变温度为２３０Ｋ。     

La-Gd-Ca-Mn-O的不可逆磁电阻效应

随掺Gd量的增加，La-Gd-Ca-Mn-O化合物的金属-绝缘体相变温度逐渐下降，对应的峰值电阻率大幅度增加，磁电阻比明显提高，掺入11%的Gd可以使材料的磁电阻比提高一个数量级。Gd的掺入还引起材料磁电阻出现明显的不可逆效应。随掺Gd量增加，不可逆效应明显增大。     

用内耗技术研究La0.7Pb0.3MnO3巨磁电阻材料

用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了巨磁电阻材料La0.7Pb0.3MnO3(LPMO)的温度内耗谱和弹性模量。结果表明，内耗峰位与测量频率无关，并且峰高与频率成反比，弹性模量在对应的内耗峰处有明显的转折，内耗峰表现为相变峰的特征，结合电阻和磁化率的测试，解释了内耗和电阻-温度曲线的双峰现象，高温内耗峰和高温电阻峰与居里温度有很好的对应，来源于顺磁半导体向铁磁金属的转变，低温内耗峰和磁化率的单调下降来源于铁磁相分离过程。而较大的低温电阻峰部分来源于相分离过程。     

大磁电阻材料La0.67Ca0.33Mn1-xNixO3的研究

我们制备了La0.67Ca0.33Mn1-xNixO3氧化物材料,测量了热磁曲线,其居里温度随镍含量增加而减少,这是由于Mn^3 /Mn^4 双交换作用随镍对锰的替代减弱的结果。测量了材料的大磁电阻效应,并利用迪尼模型计算分析了含镍材料在零场以及磁场为6T下电阻随温度的变化关系。实验与计算对照结果表明：迪尼模型可以很好地描述对应于铁磁／顺磁相变的电阻峰值现象。     

La0.67Ca0.33MnO3/MgO复合体系中的电输运和磁电阻效应

用化学方法制备了（1-x）La0．67Ca0．33MnO3（LCMO）／xMgO颗粒复合体系．通过选择不同的前期预烧温度（Ts1）控制LCMO原粉的颗粒大小．研究表明，MgO的含量和LCMO的前期预烧温度对复合体系的电输运和磁电阻效应有显著的影响．对瓦1=1100℃的样品，仅在纯LCMO和x=1mol％的复合样品中可以观察到绝缘体金属转变．而对Ts1=900℃的样品，在x=7mol％的复合样品中还可以观察到绝缘体金属转变，其最大低场磁电阻（H=0．3T）从纯LCMO的5％增加到27％．SEM形貌分析表明MgO含量增加或LCMO前期预烧温度升高都使复合体系中LCMO颗粒之间的联结性减弱．运用自旋极化隧穿机理，对实验结果进行了讨论．     

磁电阻材料及其应用的研究进展

本文综述了磁电阻 (MR)材料的研究进展 ,并对目前研究热点的四类巨磁电阻 (GMR)材料进行了概括评述 ,侧重论述MR材料在信息存储等领域的应用 ,明确指出开发和应用MR材料的关键问题是提高各类GMR材料的室温MR值和降低其工作磁场     

颗粒表面覆Cu的La2/3Ca1/3MnO3复合颗粒系统中的低场高磁电阻效应

用化学方法将Cu有关的材料引入到La2／3Ca1／3MnO3颗粒表面以形成复合颗粒系统．低磁场(0．3T)下磁电阻与温度关系测量表明，伴随着Cu有关材料的引入，磁电阻图像发生了明显变化．对纯La2／3Cal／3MnO3颗粒系统，磁电阻随温度降低而单调增加；而对复合颗粒系统，磁电阻最明显的特征是绝缘体-金属转变温度附近表现出尖的磁电阻峰，且有较高的磁电阻值．结合低场磁化实验对实验结果进行了讨论．     

非正分钙钛矿锰氧化物(La0.8 Sr0.2)1-xMnO3的电磁特性

报道了A位缺位的钙钛矿锰氧化物(La0.8Sr0.2)1-xMnO3(0≤x≤0.30)多晶样品的相结构、磁性和磁电阻效应.实验表明,当x≥0.20时,化合物主要由磁性钙钛矿相和非磁性Mn3O4相所组成.它们的电阻率随温度的变化曲线均具有双峰特征,高温侧的电阻率峰出现在钙钛矿相的居里温度附近,低温侧的电阻率宽峰则是金属导电性的钙钛矿晶粒和高电阻率的半导体或绝缘体导电性的晶界或相界共同作用的结果.样品的零场电阻率ρ0随着A位缺位量x的增大而增大.适当改变x值,可以改善磁电阻比的温度稳定性.当x=0.30时,化合物磁电阻比MR在一个相对宽的温度范围内(175～328K)基本上保持不变,即MR=(9.1±0.5)%.     

(Ni0.81Fe0.19)0.66Cr0.34/Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻效应及尺寸效应

研究了以非磁性（Ni0.81Fe0.19)0.66Cr0.34薄膜作为过渡层的坡莫合金Ni0.81Fe0.19薄膜的磁电阻效应和饱和磁场，分析退火处理对样品饱和磁场的影响和经刻蚀后的磁电阻效应膜线的尺寸效应，并建立一个统计模型定性分析了其性能变化的机理，计算结果符合实验。