中芯国际采用ARM物理IP，支持90nm工艺设计

日前，中芯国际集电路和ARM公司共同宣布，中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARMMetro低功耗／高密度产品和Advantage高性能产品，用于90纳米低渗漏和主流处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案方面的协作和承诺。     

中芯国际采用低功耗Silicon Realization技术构建其65nm参考流程

电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司宣布中国最大的半导体晶圆厂中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）,     

ARM与中芯国际宣布将拓展合作关系

ARM和中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布双方将在中芯65纳米和40纳米低漏电工艺节点上合作开发先进的ARM物理IP库平台。该协议将免费提供ARM的DesignStart在线IP访问入口供双方客户使用,可下载9轨和12轨multi-Vt逻辑库套件,电源管理包,ECO包和ARM优化的高密度存储编译器。该协议扩展了双方长期合作关系,以提供双方客户得以用于180纳米,130纳米,110纳米和90纳米的工艺技术上具高度差异化的IP。     

英飞凌与中芯国际将合作协议扩展至90nm生产领域

世界领先的半导体解决方案提供商英飞凌科技股份有限公司和中国乃至全球领先的半导体制造商之一的中芯国际集成电路制造有限公司近日共同宣布，双方已经签署合作协议，进一步扩展在标准。     

中芯国际发布65nm标准单元库

中芯国际集成电路制造有限公司于1月21日宣布发布三套自主设计的65nm标准单元库的初始版本。该单元库包括一套高性能的超高速（VHS）单元库,一套密度和速度优化的高速（HS）单元库以及高速单元库的功耗管理工具包（PMK）。这些单元库提供了一系列的技术优势以及设计创新,包括提供多种驱动和功能的单元,对时序和功耗进行了广泛的特征化以及对密度、速度和功耗的优化。     

中芯国际获特许SAIFUN NROM技术

中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）以及SAIFUN半导体日前共同发布公告，中芯国际已经在其以闪存为基础的产品上获特许使用SAIFUNNROM技术。     

ARM继续与中芯国际进行合作

近日,英国ARM公司宣布:中芯国际(SMIC)已获ARM922T微控制器内核和EmbeddedTraceMacrocell(ETM9)片上调试外设授权。ARM922T内核是中芯国际从ARM获得的第二个微处理器内核授权,本次合作展现了这家总部设于上海的代工厂发展ARM体系结构的决心和ARM支持中国半导体业的决心。ARM公司是16/32位嵌入式RISC微处理器技术方案供应商。中芯国际是国内的半导体代工厂。ARM继续与中芯国际进行合作@韩昊     

ARM和TSMC签署65nm和45nm技术的物理IP长期协议

近天，ARM公司和中国台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）签署协议把公司的长期合作关系扩展至开发一套全新的ARM Advantage^TM产品，该产品是Artisan物理IP系列产品的一部分，用来支持TSMC的65nm和45nm工艺。通过该协议，用户可以从ARM Access Library Program获得针对TSMC先进技术的ARM Advantage产品。     

中芯国际将采用Magma的RTL到GDSH设计方案

中芯国际集成电路制造有限公司与Magma Design Automation公司日前宣布正式建立合作伙伴关系。     

中芯国际和灿芯半导体携手合作

<正>中芯国际集成电路制造有限公司11月15日宣布即将投资灿芯半导体——一家上海ASIC设计以及Turnkey服务公司。该协议允许灿芯为客户提供基于中芯国际领先的代工制造和IP技术的完整的设计以及制造方案。具体的增值服务包括:特定应用架构和RTL设计,领先的物理设计,以及包括测试和包装等完整的产品化服务。该合作整合了IC设     

中芯国际上海300mm芯片生产线成功投产

中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际），于日前举行隆重仪式，庆祝其上海300mm芯片生产线一中芯国际八厂成功投产进入正式运营阶段。200多名关注、关心、支持和从事集成电路行业的贵宾出席了该仪式。     

ARM继续与中芯国际进行合作授权用于片上系统技术的ARM922T内核

日前,英国ARM公司宣布,中芯国际(SMIC)已获ARM922TTM微控制器内核和EmbeddedTraceMacrocellTM(ETM9TM)片上调试外设授权。ARM922T内核是中芯国际从ARM获得的第二个微处理器内核授权,本次合作展现了这家总部设于上海的代工厂发展ARM体系结构的决心和ARM支持中国半导体业的决心。中芯国际获得了ARM922T内核授权,通过经验证的基于ARM内核芯片的制造能力,将能向本地提供ARM微处理器的生产服务。本次合作通过使用高性能、低功耗的ARM922T内核,将令中国的无晶圆设计公司减少片上系统产品的上市时间。同时,半导体公司还将从ET…     

中芯与灿芯40LL ARM Cortex—A9成功流片

目前国际领先的Ic设计公司及一站式服务供应商——灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM联合宣布,     

中芯国际2006年技术研讨会在上海召开

<正>中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)于9月8日在上海举行了中芯国际2006年技术研讨会。本次研讨会吸引了三百多位来自全球各地的客户、芯片设计工程师、技术合作伙伴与供应商等的参与。     

中芯国际和卓胜微电子合作开发55纳米射频IP平台

正中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)和卓胜微电子(中国知名射频IP公司),近日共同宣布卓胜微电子的蓝牙射频IP已在中芯国际55纳米低功耗逻辑工艺上通过硅验证,并已集成到中芯国际某客户的产品流片当中。     

中芯国际举办先进技术专题研讨会

中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）,近日于上海举办了“2012年先进技术专题研讨会”。会上展示了中芯国际最新的研发成果、先进技术设计方法介绍、IP和Library解决方案、防静电（ESD）方法介绍等。     

中芯国际和新思科技扩展40nm低功耗Reference Flow5．0

全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司,与世界领先半导体代工企业之一中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布：从即日起推出其40nmRTL—to—GDSII参考设计流程的5．0版本。此款经过生产验证的流程借助Synopsys的完整工具套件,将多样化的自动化低功耗和高性能功能整合在其中,给中芯国际的客户带来了目前芯片设计所需要的差异化性能和功耗结果。     

新思携手中芯国际推65／40nm的SoC设计解决方案

新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布已正式提供用于中芯国际先进65-nm工艺的系统级芯片（SoC）综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的DesignWare接口、模拟IP产品组合和其它基础性IP,