Mimix推出GaAs HBT MMIC压控反馈振荡器

美国休斯顿Mimix Broadband公司推出一种GaAs HBT MMIC压控反馈振荡器(VCO)。该器件采用一个片上滤波器以给最佳振荡条件。该电路包括一个线性耦合郎之移相器、一个耦合郎之正交发生器、一个四象限I／Q调制器和一个输出缓冲差动放大器。这种VCO适用于无线通信用途，如毫米波点对点无线电设备、本地多点分配业务及卫星通信。     

60GHz宽调谐范围推—推压控振荡器设计

基于65nmCMOS工艺实现了60GHz推—推压控振荡器（VCO）设计。采用互补交叉耦合去尾电流源结构以降低相位噪声。压控振荡器输出包含两级缓冲放大器,第二级缓冲放大器偏置在截止区附近以增大二次谐波的输出功率。在1.2/0.8V电源电压下,压控振荡器核心和缓冲放大器分别消耗2.43mW和2.95mW。在偏离中心频率1MHz处相位噪声为-90.7dBc/Hz。输出功率为-2.92dBm。特别的,压控振荡器的调谐范围达到9.2GHz（15.3%）,与调谐范围相关的性能指标FOMT为-182.7dBc/Hz。该压控振荡器可应用于57GHz～64GHz开放频段超高速短距离无线通信。     

集成电路

10～500MHzVCO缓冲放大器针对分立压控振荡器（VCO）或基于模块的VCO设计,Maxim公司推出了灵活、低成本、高反向隔离缓冲放大器,型号为MAX2470／MAX2471。两种器件的输出采用50差模方式,用于驱动单路差模（平衡）负载,或分别驱动两路单端输入（非平衡）负载。MAX2470为单端输入,可供选择的两种频率范围是：10MHZ至500MHZ和10MHZ至200MHz;MAX2471为差模输入,频率范围：10MHz至500MHz。以最灵活的方式提供高输入电阻,能够适应各种振荡器结构。高反向隔离与低电流损耗相结合,使其成为低功耗、高性能应用的理想选择。M…     

一种S波段压控振荡器级联的注入锁定

针对压控振荡器(VCO)阵列注入锁定电路复杂和规模受限问题,提出一种S波段VCO阵列级联的新方法。通过在多个VCO之间加入耦合网络,将传统的单级注入改进为级联注入锁定,并通过网络级联方式实现级联级数的扩展。各级VCO之间通过耦合网络实现级联,首级VCO通过信号源参考信号进行锁定,次级VCO耦合前级VCO射频输出端信号进行锁定,每级均通过VCO电压调谐端进行注入。注入信号可锁定VCO输出频率,改善每级VCO输出相位噪声。通过级间耦合的形式,实现了一个微波源锁定多个VCO的输出。设计加工了2种级联注入VCO阵列,VCO的输出频率与注入信号频率相同,各级VCO相噪保持一致,当源相噪为-107.28 dBc/Hz时,各级VCO的输出相噪保持一致,为-105 dBc/Hz。该注入锁定方式电路简洁且成本低,未来有望应用在相控阵中。     

采用可调谐高Q有源电感的高优值VCO的研究

对采用新型可调谐、高Q的有源电感(THQAI)的高优值(FOM)压控振荡器(VCO)进行了研究。在LC振荡回路模块中,利用THQAI具有高Q值、较宽调谐范围的特性,分别实现了VCO的低相位噪声和宽的频率调谐范围;在负阻电路模块中,将电流进行复用,使其只有一条直流工作支路,降低了VCO的功耗,又由于电路中的MOS晶体管始终工作在饱和区,进一步降低了VCO的相位噪声;在输出缓冲级,采用共源NMOS晶体管,放大了该VCO的输出波形。最终,这些技术手段使得VCO的调谐范围、相位噪声和功耗均得到了改善,因此获得了高的FOM值。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺库,利用射频集成电路设计工具ADS对该VCO进行性能验证。结果表明,该VCO的振荡频率调谐范围高达73%,最低相位噪声仅为-123dBc/Hz,且功耗仅为13.4mW,FOM值为-195.1dBc/Hz,具有较好的综合性能。     

集成电调谐X波段耿氏和雪崩二极管功率放大器

描述了用于调频与调相通讯系统具有一瓦输出功率和30dB增益的完全集成X波段功率放大器。放大器由两级电调谐注入锁相振荡器构成,每一级振荡器具有250兆赫,最小锁定带宽可调500兆赫左右。为更好地权衡调频(FM)、调幅/调相(AM,PM)转换、输出功率和效率,第一级采用耿氏二极管,第二级采用硅雪崩(IMPATT)二极管。对于放大器性能给出每级的调频噪声和调幅/调相转换。放大器设计包括一个组合的功率监控器和“出锁”检测电路。另外,描述了温度补偿电流电压调整器和当发生出锁时关闭放大器的自动交连电路。讨论了每一级在整个温度与频率范围内自由振荡频率的温度补偿。     

带辅助RC电路的非对称多谐振荡器

这篇论文论述了非对称多谐振荡器的设计。这些多谐振荡器包括一个由电流源充电,用比较器控制开关周期性地放电的大电容器。这些多谐振荡器的独特之处在于带有一个小时间常数的辅助RC电路,连接在大电容器与比较器之间。辅助RC电路的输出电压在第一个暂稳态期间(space)跟踪大电容器的电压。辅助RC电路中的小电容重新充电用来决定第二个暂稳态的持续时间(mark),同时讨论了三种变型电路。如果空度比(space/mark)较小(～10),要在大电容器和辅助RC电路之间插入附加的缓冲放大器。对空度比为中等值的多谐振荡器,缓冲放大器被省掉,辅助RC电路中的电容器并入大电容器(也能被省略)。对空度比大的(～1000),辅助RC电路被直接联接到大电容器上。本文给出了两个暂稳态的计算方法和有用的设计关系式,给出一个对不同空度比(9.99和999)多谐振荡器的例子。     

偶数级差分环形振荡器的稳定平衡态分析

与具有奇数增益级的差分环形振荡器不同,偶数级振荡器除了具有能够起振的非稳定平衡态,还有可能在起振前处于一种稳定平衡状态从而使电路锁定不能起振。该文主要分析了这种稳定平衡状态存在的原理,同时为了避免振荡器设计中的这种风险,提出了一种振荡器起振电路,使得电路在起振前处于接近非稳定平衡态的状态,从而能够快速起振。在0.13 m 1P8M 标准CMOS工艺下流片实现的4级差分环形压控振荡器(VCO)及其改进版本很好地验证了该文提出的理论和解决方法。经测试发现,第1款不带起振电路的4级VCO芯片锁定于稳定平衡态,不能起振;两种改进版本3级VCO和带起振电路的4级VCO都能够正常输出振荡信号。     

采用两个SC切谐振器的低噪声甚高频晶体控制振荡器

本文叙述一种新颖的双晶体控制甚高频晶体振荡器电路的设计与性能,这种振荡器电路的输出信号单边相位噪声谱远低于常规单晶体振荡器得到的噪声谱。采用多(双)晶体谐振器可使离载波偏 f≤1 kHz 的边带相位噪声电平减小5dB。这种振荡器是对称式的,包含两个低选择性调谐回路(防止振荡在晶体 B 模谐振频率上),因此每个谐振器以相同的方式工作。两个 SC 切晶体谐振器都在高激励电平(5到8毫瓦)上工作,振荡器的两个单独输出信号是通过各自与同型式共基极缓冲放大器相串联的谐振器提取的。当调制频率超过谐振器有载带宽时,由于谐振器的窄带传输响应,使振荡器信号相位噪声被进一步抑制。此外,还因为两个负载电路(缓冲放大器)的附加噪声谱不相关,故在高调制频率(f≥10kHz)上,信号频率在负载电路输出端相加,可使输出信号的边带相位噪声电平减小3dB。用80兆赫样机振荡器进行了验证,测得它的边带相位噪声电平:f=100赫时为-134dB/Hz,f=1kHz 时为-164dB/Hz 和 f≥10kHz时为-181dB/Hz。后来单独对振荡器用谐振器的短期稳定度进行测量,结果表明,在 f=1kHz 以下的振荡器输出信号的边带相位噪声电平是由谐振器不稳定性引起的,而不是维持级晶体管的相位噪声所致。另外,有一种方法,就是采用工作状态相同的两个谐振器,由于所用两个谐振器的机械应力显示出大小相等而方向相反的加速度—频率灵敏度,可使谐振器件的输出信号频率不稳定度减小。     

PLL调频立体声接收机制作

锁相环(PLL)电路PLL(锁相环)电路的基本组成如图1。压控振荡器(VCO)是一种用电压控制振荡频率的电路。假定基准振荡器的频率为100kHz,若要构成一个700MHz 的PLL 路,VCO 的输出需经过分频系数 N=700的分频器。也得到一个100kHz 的信号,若两者完全相同,比较器输出的 VCO 的控制电压不变,就能得到稳定的70MHz 的输出。由于某种原因使频率发生变化,经比较器和 LPF 输出的电压产生高低变化,对 VCO 的振荡频率起到补偿作用,使振荡稳定。若频率增高,加在 VCO 上的电     

新颖的压控振荡器

电阻可编程振荡器(RPO)LTC6900是一款优秀的宽频振荡器,功耗比与较早的LTC1799减小了一半,但是以牺牲频率范围为代价,输出频率为1kHz～20MHz。与传统的555型计时器或谐振元件振荡器(如晶体和陶瓷谐振器)相比,LTC6900具有频率较宽、抗振动、体积小、加电迅速、功耗低、频率性能好等优点。振荡器的输出频率由单个外部电阻(Rset)和一个引脚可设置的分压器(÷1、÷10和÷100)来设置,这两个器件合起来能提供一个较宽的输出范围,电路参见图1。LTC6900应用到需外部电压设置频率时,构成一个压控振荡器(VCO)。实现VCO的一种方法是将电流导…     

一种低压低功耗伪差分环形压控振荡器的设计

基于TSMC 28 nm CMOS工艺设计了一个伪差分结构的低压低功耗CMOS环形振荡器。电路包括偏置电路、环形振荡器和输出缓冲器。伪差分环形振荡器有五级延迟单元,延迟单元采用Maneatis对称负载。在Cadence Spectre上进行前仿真。结果表明,VCO工作在0.9 V电源电压下时,其频率调谐范围为0.65 GHz~4.12 GHz。在3.6 GHz以下频率范围内具有很好的调谐线性度。中心频率约为2.3 GHz时,其相位噪声为-79.06 dBc/Hz@1 MHz。输出缓冲电路能够实现轨对轨的输出摆幅,输出占空比可优化至50%。环形振荡器的功耗约为5.7 mW。     

基于LTCC技术的VCO研制

压控振荡器(VCO)在通信、雷达、测试仪器等领域中的应用非常广泛,但宽带调谐、小型化一直是VCO的设计瓶颈。文章描述了基于一种低温共烧陶瓷(LTCC)技术的微波振荡器的设计和制作,建立内埋式电感模型,并通过专用微波电路设计软件(AWR)对VCO电路进行分析,调整VCO匹配电路。测试结果表明,VCO输出频点为1.5～2.3GHz,输出相位噪声为-106dBc/Hz@100kHz,输出功率为13dBm。外形尺寸为6.9 mm×6.9 mm×1.2mm,远小于传统VCO体积,适应系统小型化的趋势。     

使用电流反馈运放的射频振荡器

电流反馈放大器是一种众所周知的电路部件,有许多用途。从这种电路的基本框图可以看出,其输入级是一个电压输出器——实际是一个对称的发射极跟随器(图1)。这样配置的电路可对输出电流进行取样,将其转换成在一个大阻抗两端的电压,然后再用一个大功率、低输出阻抗放大器将该电压放大,送到输出端。这种设计思路就是将放大器的输入级用作基本考毕兹(Colpitts)振荡器的电压输出器。     

具有接地参考输出的增强型三相VCO

很多电路中都能看到三相VCO (压控振荡器)的应用,包括电源变换器与电子音乐合成器中用作控制源与调制源。曾有个设计实例描述了一个简单的三相VCO的电路原理(参考文献1)。原电路的输出仅有600 mV p-p,不能耐受大负载。特别是在低工作频率下电路只消耗很少工作电流时,为输出信号提供的交流耦合不能正常工作,并使负载问题恶化,电路的直流工作点会随频率而变     

基于PLL的有源环路滤波器的研究及性能分析

在锁相式频率合成器电路中,环路滤波器决定其电路的传输特性。当压控振荡器(VCO)的控制电压超出或非常接近电荷泵输出电压时,就需要用有源环路滤波器。文中采用ADIsim PLL V3.6软件,建立锁相环仿真模型,研究了不同阶数和拓扑结构的有源环路滤波器对锁相环(PLL)环路的影响,并对其锁相系统环路的锁定时间、频率误差、参考杂散以及相位噪声进行了详细的性能分析。对实际的工程应用提供了一定的参考价值。     

MAX275x系列单片集成2.4 GHz压控振荡器

1 概述 MAX2750/MAX2751/MAX2752是独立工作于2.4 GHz频率的压控振荡器(VCO),将元器件集成在一个芯片上,使外围器件缩减为几个旁路电容.该器件随输入控制电压的变化而提供相应的压控缓冲输出.输入控制电压为0.4 V～2.4 V,振荡器的频率变化范围对应于出厂设置的限制标准.输出信号通过一个放大级(必须做到50 Ω匹配)可以实现较大功率输出并保持元件适应环境变化的独立性.     

一种高速信号的可编程有源连续时间均衡器的设计

介绍了一种基于0.18μm标准CMOS工艺实现的,用于均衡1.25 Gb/s高速信号的可编程有源连续时间均衡器。通过外部可编程逻辑器件输出的控制信号,控制该均衡器的输入信号Ctrl,从而改变其高频增益提升系数,最大可以实现长达40英寸(1 000 mm)的FR-4背板传输线衰减后的接收信号的均衡。该均衡器的电路主要由R-C电阻电容衰减差分放大器和MCML输出缓冲级组成,其中R-C放大器完成输入信号的高频增益提升,MCML缓冲级完成输出信号的整形并提供一定的增益。该均衡器的工作电压为1.8 V,在输入信号速率为1.25 Gb/s时,总的工作电流为1.6 mA。     

SiGe HBT及高速电路的发展

详细讨论了SiGeHBT的直流交流特性、噪声特性,SiGeHBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGeHBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA),电压控制振荡器(VCO)以及涉及到的无源器件等。     

ECC82三管前置放大器制作

在前文两管前置放大器的基础 上,再加一个双三极管作左、右声道的输出缓冲级,从而使整个前置放大器具有较好的适用性,即其性能不受后级功放输入阻抗大小的影响,而且还能让前置放大级工作在最佳负载条件下取得较低的失真,此外还为简单地加入衰减式音调控制提供了有利条件。 一、电路简介 图1为本前置放大器原理图。除电源部分共用外,每个声道包含输入级(V1)、衰减式高低音控制网络(虚线框部分)和输出级(1/2V2)三部分。 输出级采用三极管阴极跟随器,来