高温超导带通滤波器

本文报道用LaAlO_3衬底GdBa_2Cu_3O_1高温超导薄膜研制的四极平行耦合带通滤波器。在77K测试,结果为:中心频率为8.96GHz,带内插入损耗为0.54dB,带宽为500MHz。文中还讨论了设计制作高性能微带滤波器应注意的问题。     

CDMA系统用高性能高温超导滤波器的研制

本文研制了用于CDMA移动通信系统的高性能高温超导滤波器。该滤波器中心频率为832MHz,带宽为6MHz（相对带宽为0.72%）。为了实现结构紧凑的滤波器,采用了线条宽度和间距均为80μm的双螺旋形谐振器,在MgO基片上实现的12节滤波器尺寸仅为41.4mm×14mm。对滤波器的敏感度分析结果表明,该滤波器的频率响应特性对基片参数和仿真Cell尺寸的变化不敏感,具有较高仿真准确度。滤波器制备采用了高精度光刻和离子束刻蚀工艺,实际测试结果与仿真结果吻合得很好,并且无需调谐即表现出良好性能,插入损耗小于0.36dB,反射损耗大于15.6dB,带外抑制大于100dB。     

高温超导微波滤波器研究进展

滤波器作为通信系统射频前端的关键部件,其性能至关重要。在微波频段,高温超导薄膜材料的表面电阻比普通金属铜低两个数量级以上。由于用高温超导体可以制备出性能优异的微波滤波器,并且现代无线通信系统多网络、多制式和多业务以及抗干扰的发展需求,使得小型多频带滤波器和具有抗噪声干扰的平衡滤波器的研究备受关注。研究团队长期从事该领域研究,并已取得一些研究成果。文章从不同谐振器结构类型以及频率特性等方面介绍了多频带和平衡滤波器的研究设计工作。     

高温超导带通滤波器

本文报道用ＬａＡｌＯ２衬底ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７高温超导薄膜研制的四极平行耦合带通滤波器。在７７Ｋ测试，结果为：中心频率为８．９６ＧＨｚ，带内插入损耗为０．５４ｄＢ，带宽为５００ＭＨｚ。文中还讨论了设计制作高性能微带滤波器应注意的问题。     

小型化微波悬置屏蔽微带线滤波器的设计

本文给出了悬置屏蔽微带线交指滤波器的设计公式，并成功的研制了Ｘ线段小型化悬置屏蔽微带线交指滤波器，实验结果和理论计算吻合得很好。     

星载高温超导滤波器研制

设计、制作并测试了一种采用新颖耦合双谐振器结构的高温超导微波带通滤波器。该滤波器利用高温超导薄膜的Q值远高于常规导体的特点,使器件具有小型化和性能高的特点。分析了耦合双谐振器的耦合系数与相关物理参量之间的关系;并对实际制备的滤波器进行了测试,取得了预期效果。以上研究结果,对于实现卫星通信系统中电子设备的小型化、降低成本和加速小型化卫星通信系统的发展都起到了非常重要的作用。     

厚膜导带材料微波性能的研究

本文讨论了国产厚膜导体材料的微波性能。用国产Au浆料和Pd—Ag浆料,通过传统的厚膜工艺,在99％Al_2O_3陶瓷基片上制作了一组特性阻抗为50欧姆的微带线。用薄膜技术制作了几条和厚膜微带线一样的薄膜微带线。使用HP8410S网络分析仪测出了频率在2～12GHz范围内各条微带线的散射参数的幅度和相位。对微带线的损耗测量值和理论值进行了比较。用台阶测试仪测绘出了微带线中心导体的截面膜厚分布图。实验结果表明:在频率8GHz下,国产Au厚膜微带线的损耗和薄膜微带线的损耗几乎相等。另外,用国产Au浆料制作了一个3dB分支线定向耦合器,器件的性能良好。     

采用电容耦合式馈线的高温超导滤波器设计

为了获得结构紧凑的滤波器,在设计中采用了螺旋形谐振器和电容耦合式馈线结构.利用集总元件等效电路给出了谐振器与电容耦合式馈线组成的电路的谐振频率和有载Q值的表达式.提出了馈线为电容耦合式时的集总元件带通滤波器等效电路.并基于上述电路在MgO基片上设计和实际制作了一个高性能的高温超导微带线滤波器.该滤波器的中心频率为2542 MHz,相对带宽为0.6%,尺寸仅为10mm×15mm.测试结果表明滤波器的带内插损小于0.1 dB,反射损耗为40.0 dB,验证了该等效电路设计方法的有效性.     

高温超导微波器件在电子战接收机中的应用

高温超导微波器件同常规微波器件相比,具有非常明显的优势;本文回顾了高温超导微波器件的特点,探讨了电子战接收机对高温超导微波器件的应用要求及在系统中的应用可行性;开展了初步的应用试验,并提出了工程应用中需要解决的问题。     

高T_c超导4×4元面阵研制

选用高Ｔｃ超导薄膜ＹＢａ３Ｃｕ３Ｏ７－８，引用微加工技术，制出了４×４元面阵红外探测器，超导膜用湿法工艺光刻成折线结构，总线长约２０００μｍ，可提高敏感元工作电阻率。对于４×４元列阵，１６个敏感元公用电极的安排是关键。在设计中，１６个敏感元是同时读取信号，其探测率Ｄ在１．２×１０８～７．２×１０８ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１之间，工作温度为８８Ｋ。     

氧化物高温超导薄膜制备技术的进展

本文较系统地介绍了高温超导薄膜的制备方法与生长机理,讨论了生长工艺与薄膜超导性能之间的关系,并对高温超导薄膜的异质外延、多层膜结构及超晶格制备等一些最新进展作了介绍。     

金刚石薄膜衬底表面预处理技术

本文介绍国内外低压合成金刚石薄膜中对衬底表面预处理的几种典型的工艺方法；探讨衬底表面预处理对低压下合成金刚石薄膜的影响。     

磁约束微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜

采用国内研制的电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备,在单晶硅衬底上沉积了金刚石薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和激光拉曼谱仪(RAM)的测试,证明所沉积的薄膜具有明确的金刚石特征。所采用的ECRCVD设备,具有低压沉积、大面积均匀和低温生长的优点。这种方法在合成金刚石光学膜、半导体膜以及其它薄膜方面,很有发展潜力。     

硅薄膜场发射阴极的制造和性能

本文评述了薄膜场发射阴极的一般制造方法后,介绍了我们的制造技术。我们用硅材料为基体,用各向同性的湿法化学腐蚀工艺制出尖端,用氧化增尖和自对准栅极工艺制成TFFEC—薄膜场发射阴极。外加阳极就构成了三极管。本文给出了TFFEC和三极管的测试性能。     

薄膜镱压力传感器的特性与制造

镱压力传感器在０─３ＧＰａ范围内，与锰铜传感器和碳阻传感器相比，更适合于冲击波的动态测量。用微细加工技术制造的薄膜镱传感器，兼有镱材材和薄膜器件的优异特点。本文叙述了镱传感器的特性与制造。     

负折射率半透明薄膜的热发射特性研究

根据传输矩阵法和基尔霍夫定律研究了负折射率薄膜的热发射特性.较为系统地考察了相关参数对热辐射s偏振波的影响.研究结果表明,负折射率材料的热发射率随角频率的变化呈现复杂的振荡现象.同时也发现,它的发射率峰值有时在远离法线的区域.     

薄膜加工用考夫曼离子源的几个问题

近十年来,我国采用离子束刻蚀进行微细加工以及离子束辅助镀膜在电子和光学工业中获得了广泛应用。采用离子束增强镀膜制造超导膜、贮氢合金膜以及离子束注入表面改性等都得到了广泛的研究及应用。在这些先进的工艺中基本上都使用了考夫曼离子源,考夫曼离子源是在空间电推进技术基础上发展起来的,由于要用于空间推进,它必然要具备低气耗、低能耗、高效率、高稳定、长寿命等优点,此外它必须能产生大面积、均匀、强流的离子束。     

金属基BSiN薄膜结合力测试及AES分析

我们采用低温等离子体ＣＶＤ技术在金属表面成功地淀积了ＢＮ－ＳｉＮ复合陶瓷薄膜。并用ＢＦ－１型薄膜附着力测定仪测试了它的结合力，以及用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析其成键状态。结果表明：这种薄膜与基体之间具有较强的Ｆｅ－Ｂ键结合力。