钨和氧化铈及氧化铪弥散钨烧结的膨胀分析

分析了测定了钨粉和掺氧化铪和氧化铈钨粉致密化的膨胀数据。收缩特性曲线与Ｗ基体内添加的氧化物种类有关。通过分析等密度点移动与线性加热速率的关系确定致密化速度的活化能。     

卤化等离子体中钨和硅化钨的腐蚀

本文阐述了用等离子体,离子束,反应性中子束以及含氟、氯和溴的卤原子类对钨和硅化钨膜的腐蚀。讨论和比较了腐蚀条件对腐蚀速率,各向异性和对二氧化硅及光刻胶的选择性的影响。这些研究使得对钨和硅化钨的基本的腐蚀化学有了深入的了解。     

钨点阵技术提高白炽灯泡的发光效果

一种精微的3D钨光电晶体点阵（TPCL）已经由Sandia国家实验室开发出来,并且试验证明了可以将白炽灯泡浪费的大多数红外能量（热能）转换为可见光的频率。该方法使用标准的MEMS改进技术,并且TPCL技术可以将目前灯泡的发光效率从5％提高到60％以上。     

金属卤素灯中钨的腐蚀

在金属卤素灯中钨的员害量由化学浸蚀和物理反应造成的，这个工作回顾了钨腐蚀研究中流行的趋势，尽管在解释金属卤化物中的反应机制作了相当大的努力，但在放电灯泡中没有钨腐蚀和迁移的定量模型，未来的进步要求动力学模型的发展与这些复杂系统的流体动力学，热力学和扩散相结合的有关数据的测定。     

半导体六氟化钨的合成方法

六氟化钨是用钨金属与不断循环的含少量氟的ＷＦ气体反应制得，整个反应在中热反应器中进行。高纯度ＷＦ６在生产超大规模集成电路中对钨金属的沉积很有帮助。     

CMOS工艺中钨的化学机械抛光技术

介绍了深亚微米CMOS集成电路中研制的关键技术———钨化学机械抛光,比较了化学机械抛光技术与传统反应离子回刻法在金属层与层之间的垂直连接中的优缺点,并指出了钨化学机械抛光工艺中尚存的一些问题,最后对该工艺进行了总结与展望。     

电子封装中钨铜材料的钎焊问题研究

本文主要叙述电子封装中钨铜材料钎焊工艺中焊缝及材料腐蚀等质量缺陷，分析研究了各种焊接缺陷出现的原因及现象，解决电子封装中钨铜材料钎焊工艺中出现的各种焊接外观的问题。     

工业还原NS—掺杂蓝钨过程中掺杂剂相的形成和结合

本文叙述了用于生产具有不下垂性能的细钨丝的ＮＳ－掺杂蓝钨工业还原过程中掺杂剂相的形成和结合。在还原过程中结合适量的掺杂剂是钾残留在烧结锭中的基本保证，钾能在丝材制造中形成钾泡串，使在随后的的灯丝工作时形成大晶联锁微结构，而这是不下垂特性的关键所在。本文的第一部分讨论了金属钨粉的工业生产方法。虽然掺杂Ｋ、Ａｌ、Ｓｉ的钨粉的生产方法与末掺杂的钨粉的生产方法基本相同，但仍有一些特别的区别要介绍。本文分析