Si晶体中Cu和Fe杂质在Frank型位错上的不同沉淀行为

本文运用电子束感应电流技术和透射电子显微镜研究了直拉Ｓｉ单晶中Ｃｕ和Ｆｅ杂质在Ｆｒａｎｋ型位错上的沉淀行为．发现尽管在Ｓｉ中Ｃｕ杂质浓度远高于Ｆｅ杂质，但Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上，而Ｆｅ杂质会沾污Ｆｒａｎｋ型位错．研究结果表明，样品中微小Ｐｕｎｃｈｅｄ－ｏｕｔ位错的存在和Ｃｕ杂质在Ｓｉ中的重复成核机制是Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上的主要原因．     

Fe/Al2O3/Fe隧道结的微结构HREM研究

1975年Julliere[1]在Fe/Ge/Co中第一次发现4.2K,14%的磁电阻效应(TMR).此后人们对隧道结进行了广泛研究,比如Ni/NiO/Ni,Ni/NiO/Co和Ni/Al2O3/Co等.     

Al2O3,ZrO2功能薄膜的性能及制备技术

综述了Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２功能薄膜的性能、用途、制备技术及国内外研究概况；展望了其今后的应用前景提出了需要解决的问题。     

YBa2Cu3O7—X／W和y2o3／w热场发射阴极研究

作者研制成功了YBa_2Cu_3O_(7-x)/W和Y_2O_3/W两种场发射阴极,并得到了相应的场发射图象。由场电流和电压测量,再经F-N公式计算,可确定YBa_2Cu_3O_(7-x)/W场阴极在室温下的逸出功为4.1eV。在相同几何参数和电参数下,Y_2O_3/W的场电流较钨场阴极为大,且较稳定。     

Fe-30Mn-6Si合金中热诱发马氏体的高分辨电镜观察

对低层错能Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中发生的ｆｃｃ（γ）→ｈｃｐ（ε）马氏体相变，目前主要有两种形核理论。Ｓａｔｏ等［１］认为由极轴机制形核，而李箭和Ｗａｙｍａｎ［２］则同意徐祖耀［３］提出的相变通过层错自发堆垛机制形核。而且这两种观点都有一定的理论依据和...     

W—La2O3合金的生产方法

本发明涉及一种生产钨与氧化镧合金的方法，将氢氧化镧掺合到金属钨粉末中进行混合，压制混合粉末制成压坯，对压坯进行预烧结和烧结制成合金，氢氧化镧被作为氧化镧的掺杂剂原材料，使压坯或预烧结坯在烧结前能在潮湿气氛中放置较长时间也不会发生裂损。     

Al2O3陶瓷表面的准分子激光活化沉积金属Cu技术

本文研究了通过ＸｅＣｌ准分子激光照射Ａｌ２Ｏ３陶瓷表面后,使其表面沉积金属Ｃｕ的技术,实验结果表明,Ａｌ２Ｏ３试样浸入Ｃｕ２ＳＯ４溶液后,金属Ｃｕ膜只沉积于激光照射区。经准分子激光照射,Ａｌ２Ｏ３表面结构的变化和Ａｌ富集区的产生是金属Ｃｕ沉积的主要原因。     

纳米粉添加剂对Al2O3陶瓷烧结性能及微结构的影响

用纳米ＺｒＯ３作为烧结助剂加入Ａｌ２Ｏ３陶瓷中,研究其对Ａｌ２Ｏ３陶瓷烧结性能及显微结构的影响。结果表明,纳米ＺｒＯ２的加入可以提高Ａｌ２Ｏ３陶瓷的烧结活性,降低烧结温度,当纳米ＺｒＯ２的加入量达到９ｖｏｌ％时,Ａｌ２Ｏ３陶瓷在１６００℃以下就可烧结致密,此外,纳米ＺｒＯ２的加入,对Ａｌ２Ｏ３陶瓷的显微结构也产生影响。在纳米ＺｒＯ２加入量较少时,ＺｒＯ２粒子以“晶内型”和晶界型两种形式存在;而当ＺｒＯ２加入量达到９ｖｏｌ％时,其主要位于四个Ａｌ２Ｏ３晶粒相交的晶界上,阻碍了Ａｌ２Ｏ３晶粒的异常长大,从而获得细晶结构的Ａｌ２Ｏ３陶瓷材料。     

多孔硅表面的Al2O3钝化处理

用A12O3钝化的方法对多孔硅进行了后处理，获得了光致发光强度强、发光稳定的样品。通过对样品进行傅里叶变换红外吸收谱的测试和分析，指出了A12O3结构的产生是实验中多孔硅发光稳定性提高的原因。     

陶瓷添加剂MnO2,Fe2O3,Li2CO3的热分析

陶瓷添加剂能使陶瓷材料具有良好的烧结状态和最佳的压电性能。本文作者采用Ｄｕｐｏｎｔ—２０００型热分析仪对常用添加剂ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、Ｌｉ２ＣＯ３进行了ＤＴＡ、ＴＧＡ分析，研究了几种物质在烧结过程中的物理、化学变化。     

W—La2O3在高温时的抗拉性能

本文研究了再结晶纯Ｗ和Ｗ－Ｌａ２Ｏ３合金在１２７３～１９７３Ｋ温度范围内的抗拉性能，研究结果指出，Ｗ－Ｌａ２Ｏ３的强度比纯Ｗ高，但除了在１２７３温度以下时外，其伸长率一般比纯Ｗ低，在低于该温度时纯Ｗ具有穿晶断裂的缺点。Ｗ－Ｌａ２Ｏ３合金优良的机械性能，大概是由于其含有伸长的晶粒结构，使之可以抵抗晶界滑移的结果。     

Fe2O3的掺杂对BaSn0.11Ti0.89O3陶瓷介电性能的影响

实验发现Fe2O3可以有效地展宽并压抑BaSn0.11Ti0.89O3电介质陶瓷材料的居里峰值。该文研究了Fe2O3的掺杂对BaSn0.11Ti0.89O3基陶瓷的介电性能的影响。用环境扫描电镜(SEM)对不同掺杂量样品的表面形貌进行了观察。发现其介电常数-温度(ε-T)曲线、材料的抗电强度、品粒的粒径及其分布以及晶粒生长状况等都随Fe2O3掺杂量的变化而有规律地变化，并在所获数据的基础上讨论了Fe2O3掺杂的改性机理。     

低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响

为提高外延ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率,研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响,结果表明在一很窄的温区内,Ｓｉ的生长速率提高了一倍．进一步升温Ｓｉ的生长速率迅速下降．用四级质谱仪对低温Ｓｉ－ＧＳＭＢＥ中Ｓｉ２Ｈ６的热裂解过程进行了研究,对该现象做了解释．     

原位XPS分析Al2O3作为势垒层的Er2O3/Si结构

在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er2O3/Al2O3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al2O3作为势垒层的Er2O3与Si界面的电子结构.XPS结果表明,Al2O3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前后没有变化;Er的4d芯能级峰来自于硅酸铒中的铒,并非全是本征氧化铒薄膜中的铒;衬底硅的芯能级峰在沉积Al2O 3时没有变化,说明Al2O3薄膜从沉积到退火不参与任何反应,与Si界面很稳定;在沉积Er2O3薄膜和退火过程中,有硅化物生成,表明Er2O3与Si的界面不太稳定,但随着Al2O3薄膜厚度的增加,其硅化物中硅的峰强减弱,含量减少,说明势垒层很好地起到了阻挡扩散的作用.     

不同波长泵浦的掺铒Al2O3薄膜光波导1．53μm荧光特性

本文通过分析饵的能级结构,考虑了合作上转换、激发态吸收及交叉驰豫等上转换机制,给出了掺铒（Er^3 )Al2O3薄膜光波导1480nm、80nm和820nm3种泵浦波长下的速率方程,通过求稳态解,分析了3种波长泵浦时发射的1．53μm荧光特性以及合作上转换和激光态吸收对荧光的影响,结果表明利用980nm波长泵浦时可得到相对较强的1．53μm荧光,产浦强度时激发态吸收对荧光影响较大,而在高掺（Er^3 ）浓度时合作上转换占主导地位。     

双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件

报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果.     

双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件

报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果.