大气无线电噪声测量与分析

在中纬地区（河南省辉县）进行了冬季一个月的大气无线电噪声测量。对实测值分别与ＣＣＩＲ－３２２－２＾「１」及ＣＣＩＲ－３２２－３＾「２」报告书的预期值进行了分析比较,结果表明ＣＣＩＲ－３２２－３报告书的预期值较接近于实测值,但还存在一定的偏差,特别是白天偏差较大。     

碳化铪的生长行为及其与钨的高温弥散强化的关系

弥散碳化给粒子的生长行为及其与钨－铼合金在高于２２００Ｋ的温度下的强度的关系，采用透射电镜进行了检查。从２２００Ｋ到２６００Ｋ，Ｈｆｃ粒子以相当低的生长速率均匀长大。     

碳化物强化粉冶钼合金

本研究制取了碳化物强化的粉末冶金钼合金丝，结果表明，混料中加入还原剂（硼和／或碳）形成的难熔碳化物粒子具有稳定作用，析出物的弥散强化的形成提高了变形硬化的能力，迟滞了回复、多边化和再结晶过程，细化了变形纤维或者再结晶晶粒的尺寸，与其他粉冶钼合金丝比，瞬时和持久强度较高。     

高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管

利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管（DHBT），分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAs DHBT的直流特性差异．研究结果表明，利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性，并进一步分析了其具有良好高温特性的机理．     

铝用氟化物纤剂溶点的调整

由ＫＦ一Ａ１Ｆ３共晶组成的氟化物钎剂，由于其钎焊铝件后的残渣不对铝件产生腐蚀而得到应用。但它的熔点较高，限制了它的使用范围。因此，调整它的组成使熔点下降是人们关切的问题。本文就共晶组成的基础上添加了某些氟化物、氯化物组元进行了研究。试验表明，氟化物的加入对钎剂熔点的下降无益；氯化物（ＢｒＣｌ、ＩＣｌ、ＫＣｌ）有助于钎剂熔点的降低，尤以ＫＣｌ更为明显。添加ＫＣｌ为１９％时，钎剂熔点可降低３０℃左右。     

1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长

报道了用低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结（ＢＨ）条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流４～６ｍＡ。２０～４０℃时特征温度Ｔ０高达６７Ｋ，室温下外量子效率为０．３ｍＷ／ｍＡ。     

钼合金研究的新动向

钼是体心立方金属，具有高熔点和优良的高温强度，良好的导电导热性，膨胀系数低，抗热震性和耐热疲劳性好，钼在国防工业和电子工业中得到了广泛的应用，近年来，国内外对钼新合金的开发，生产工艺的研究做了大量的工作，取得了可喜的成绩。     

浅施主杂质态在n—Hg1—xCdxTe磁致金属—绝缘体相变中的作用

在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻，纵向磁阻和霍尔系数，观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹“Ｈｑａｌｌｄｉｐ”。基于电子在浅施主杂质上磁冻结的模型，讨论了磁致金属－绝缘体相变的机理及其温度效应和“Ｈａｌｌｄｉｐ”的起因。     

2.25Cr-1Mo钢焊接接头蠕变后焊缝中 M6C碳化物的析出位向关系

本文用透射电镜研究了２．２５Ｃｒ－１Ｍｏ钢焊接接头蠕变后焊缝中的Ｍ６Ｃ碳化物。结果表明,高温长期蠕变促进了Ｍ６Ｃ的析出长大,从焊缝内析出的Ｍ６Ｃ与α－Ｆｅ铁素体间存在Ｎ－Ｗ位向关系,即：（１１１）Ｍ６Ｃ∥（１１０）ａ「０１１）Ｍ６Ｃ∥「００１」ａ。文中还讨论分析了其他两种取向关系：（１１１）Ｍ６Ｃ∥（１１０）ａ;「１０１」Ｍ６Ｃ∥「１１１「ａ及（１１１）Ｍ６Ｃ∥（１１０）ａ;「１１２」Ｍ６Ｃ∥「１     

浅施主杂质态在n－Hg_（1－x）Cd_xTe磁致金属－绝缘体相变中的作用

在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔系数．观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹＂ＨａｌｌｄｉＰ＂．基于电子在浅施主杂质态上磁冻结的模型，讨论了磁致金属－绝缘体相变的机理及其温度效应和＂Ｈａｌｌｄｉｐ＂的起因．     

表面加工性能对低合金Mo丝的耐疲劳强度的影响

本文研究了ｄ＝１．０，５及０．２ｍｍ的技术纯度Ｍｏ（０．０２５Ｃ－０．００５Ｎ－０．１６Ｔｉ）丝和ｄ＝０．３ｍｍ的Ｍｏ－０．１Ｈｆｃ－０．１ＨｆＮ合金丝经过各种加工（拉伸，金刚砂加工处理，电抛光）后，其表面微缺陷的相对尺寸Ｒ／ｄ的变化对疲劳性能的影响，Ｒ／ｄ值从０．０６减小到０．００１导致疲劳持续时间增加了一个数量级，并且观察到性能的最大变化是在Ｒ／ｄ＝０．００２～０．００４，而Ｒ／ｄ值的继续减小     

难熔金属的磨削

难熔金属在空间设备(如:固体推进剂火箭发动机喷嘴,滑翔机用的凹人表面以及核空间能量系统)上的应用予示了,它有很好的前途。一般说来,所谓难熔金属就是其熔化温度高于铁、钴、镍的金属,如:铌(熔点:4460°F)、钼(熔点4750°F)、钽(5430°F)、钨(熔点6170°F)。除了这些难熔纯金属外,在国防应用上,人们还对其合金有相当大的兴趣。如钽合金(含80％的钽,20％的钨)等。这些难熔金属在加工上存在很多困难,它不但难于切削,而且也难于磨削,这不仅表现在原料去除率低,而且也容易损坏昂贵的工件。磨削的初步经验表明:任何材料的磨削都     

再结晶钼合金晶界偏聚及其对晶间脆断的影响

ＶＩＡ族难熔金属的脆性通常和大量填隙杂质偏聚与晶界相沉淀有关。本文研究试样均是在１５７３－２２７３Ｋ区间温度下再结晶处理１小后的各种钼合金。通过原位断裂试样的ＡＥＳ，ＳＥＭ和力学试验研究了杂质分聚和物相不均匀性对延一脆转变温度的影响。应当承认，再结晶钼合金中碳，氧分聚的温度关系是复杂的。这样一种复杂关系就是某些结构变化的结果：如位错亚结构分离；晶粒长大和晶界迁移；含不同成分和形态晶界粒子的沉淀与分     

Pb（Mg1／3Nb2／3）O3—PbTiO3的介电,弹性,压电和热电性质

研究了准同型相界附近组分的Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３铁电晶体〈００１〉方向的介电、弹性、压电和热电性质。室温时压电应变常数ｄ３３约为８００ｐＣ／Ｎ。在２００Ｋ～３６０Ｋ的温度范围内,机电耦合系数ｋｔ约为０．５３,近似为一常数。而压电应力常数ｅ３３和热释电系数ｐ３随着温度的上升而单调地增大,弹性刚度常数ｃＤ３３却逐渐减小。其铁电相变的弥散性程度很高,介电临界指数γ为１．８８。     

Y-PSZ陶瓷高温扩散相变后显微组织的HREM研究

Ｙ２Ｏ３部分稳定ＺｒＯ２陶瓷（Ｙ－ＰＳＺ）中高温相变是指从立方相（ｃ相）到四方相（ｔ相）的转变。关于这一相变的机理，周玉等［１］及Ｋ．Ｊ．ＭｃＣｌｅｌａｎ等［２］基于电子衍射谱中出现面心立方结构的消光斑点的结果，认为是位于面心立方晶胞中八个间隙位置的...     

Nb／C_（60）／p型Si结构的特性

研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１．     

TiAl中180°孪晶界面附近应力场的LACBED研究

ＴｉＡｌ中１８０°孪晶界面附近应力场的ＬＡＣＢＥＤ研究吴文涛，朱　静（治金部钢铁研究总院，北京１０００８１）ＴｉＡｌ金属间化合物具有低密度、高熔点。较高的高温强度和持久强度等性能，在航空航天领域有广阔的应用前景，但其室温塑性差，断裂韧性低，裂纹扩展速...     

高温高频用改性PbTiO3压电陶瓷材料研究

研究了Ｐｂ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｂｉ２／３（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｂｉ（Ｃｄ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３改性的ＰｂＴｉＯ３陶瓷的高温高频压电性能。结果表明，对ＡＢＯ３型钙钛矿结构的ＰｂＴｉＯ３进行Ａ、Ｂ位复合取代可得到压电性能优良，适合于高温高频应用的压电陶瓷材料。其优良的压电性能及较好的温度稳定性与Ａ位取代的Ｂｉ３＋离子价态、离子半径及Ｂ位取代的复合钙钛矿结构化合物较高的居里温度有关     

钙钛矿型铌锌酸铜陶瓷材料合成及其性能

用Ｘ射线衍射和差热分析研究了铌锌酸铅Ｐｂ「（Ｚｎ０．７Ｍｇ０．３）１／３Ｎｂ２／３」Ｏ３陶瓷材料普通合成法和两处铌铁矿先驱体合成法的合成机理。研究表明，该材料的合成过程中，首先生成焦绿石相然后在较高温度生成钙钛矿相，先驱体法可以明显抑制焦绿石相的生成并使其反应温度向高温推迟，从而可以明显提高钙钛矿的产率。而简单先驱体法（ＰｂＯ＋ＺＮ＋ＭＮ）比复事先驱体法（ＰｂＯ＋ＺＭＮ）具有更好的合成效果。采用简     

高性能5μm640×480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列

已研制出一种高性能５μｍ６４０×４８０蓝宝石衬底的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／Ａｌ＿２Ｏ＿３红外焦平面阵列（ＦＰＡ），在低于１２０Ｋ温度下，它有全电视兼容分辨率和优良的灵敏度．在９５Ｋ工作温度和１０￣（１４）光子数ｃｍ￣（－２）Ｓ￣（－１）的背景通量下，平均焦平面阵列Ｄ￣＊受背景限制，其值约为１×１０￣（１２）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），典型的平均量子效率为６０％～７０％。制造这种大面阵、高灵敏度器件的关键工艺，是在有稳定的ＣｄＴｅ缓冲层的蓝宝石衬底上，外延生长ＨｇＣｄＴｅ材料。在低于或等于１２０Ｋ的工作温度和３．４～４．２μｍ的波段内，相机的平均噪声等效温差ＮＥ△Ｔ为０．０１３Ｋ；该值比目前可实用的ＰｔＳｉ焦平面阵列相机的高一个数量级，而ＰｔＳｉ焦平阵列相机要求制冷到低于或等于７７Ｋ，才能保持其性能。