结构应用的CVD钨和钨—铼合金

研究了ＣＶＤ钨和钨－铼合金的显微组织，估价了它们作为高温材料的适用性。我们发现反应室的分压影响了沉积纯钨和钨－铼合金的显微组织和表面粗糙度。沉积纯钨和钨－铼合金的晶粒度都在０．５ｕｍ以下。实验证明，细晶粒钨的硬度（Ｈｖ〉１０００，室温（Ｒ．Ｔ）、弯曲强度（Ｒ．Ｔ￣１１７５Ｋ，δ＝７００￣１２３０ＭＰａ）和线性热膨胀系数（５７５￣１１７５Ｋ，β＝４．５￣４．９×１０＾－６Ｋ＾－１）比柱状结构钨大。     

钼—铼合金管的挤压方法

本发明关于钼－铼合金挤夺成筒或管的生产方法，重量含１０－５０％铼构成的钼－铼 金是能够在高温下挤压成无缝无缝的。生产方法包括制作坯料或半成品。在沿坯料长度方向的轴线上有一定位孔，将坯料加热到不低１３００℃，通过挤压方式挤压已加热的坯料。     

快速加热冷变形钨铼合金及钼铼合金的软化

本文研究了快速脉冲加热对用真空熔炼法和粉末工艺方法获取的钨铼和钼铼材料的软化性能和永久塑性水平，以及对材料的其它结构敏感性能发生变化的影响作用。在预先脉冲热加工的所有速度条件下，在粉末钨铼合金中发现了相对延伸极度灵敏的显著效果。所得到的研究结果能够推测性能地解释铼对此类合金塑性提高的影响作用，但不包括杂质跟移动晶格位错的结合能减弱的情形。     

钨铼5—钨铼26热电偶的多项式拟合

依据ＯｍｅｇａＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＨａｎｄｂｏｏｋ中的钨铼５－钨铼２６热电偶分度表和Ｓａｎｄ－ｓｔｒｏｍ＆Ｗｉｔｈｒｏｍ提供的钨铼５－钨铼２６热电偶在－２４０～０℃校正数据，对钨铼５－钨铼２６热电偶在－２４０～２３００℃进行了多项式拟合，偏差为±１℃。提供了热电势步长为０．１ｍＶＷ５％ＲｅｖｓＷ２６％Ｒｅ热电偶的分度表。     

碳化铪的生长行为及其与钨的高温弥散强化的关系

弥散碳化给粒子的生长行为及其与钨－铼合金在高于２２００Ｋ的温度下的强度的关系，采用透射电镜进行了检查。从２２００Ｋ到２６００Ｋ，Ｈｆｃ粒子以相当低的生长速率均匀长大。     

钨—铼合金中的σ相形成及其影响（II）

本文第二部分亦通过实验分析了在粉末冶金烧结态Ｗ－２５Ｒｅ（％）合金条加工成不同型材过程中钨－铼合金中生成σ相对其显微结构和机械性能的影响。合金板，条和丝等型材加工步序包括热轧，锻压，施锤和拉拔，而且，其中间热处理对制品结构及其性能都具有重要影响。运用光学显微镜。电子探针显微分析方法测定了在不同加工工序阶段的产品性能并通过硬度试验测定了不同σ相含量的影响作用，只要通过控制显微结构内的σ相形态并尽可能     

钨铼合金丝米电阻随直径变化的统计分析

本文讨论了用于电真空器件阴极热子的钨铼合金丝米电阻随直径的变化规律,并最终得到了WRe3,WRe20和WRe25合金丝米电阻随直径变化的经验公式。     

钼—钨—铼合金

介绍一种具有良好耐腐蚀性，延伸性，抗拉强度和较高再结晶湿度的钼，铼，钨合金材料。该合金可用于制作氯碳氟化合物等化学制品加工设备。     

新闻在线

国内IT渠道代理商ORBBIT讯宜已和光盘制造厂商铼德(Ritek)科技签署协议,正式成为其铼德系列刻录盘片及光储产品的国内唯一总代理。此次讯宜成功引入铼德品牌,,包括DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM、CD-R、CD-RW以及世界上最先进的单面双层DVD刻录盘(DVD+RDouble Layer)在内的全新铼德刻产品将陆续上市,并继续沿袭高性价比的产品策略,冲击国内刻录光盘市场。作为铼德品牌的全国唯一总代理,ORBBIT讯宜不仅将Ritek这一优秀品牌带到了国内广大消费者的面前,也进一步扩大了ORBBIT讯宜的产品层面,将“打造IT家乐…     

生长在Si（001）衬底上的应变合金Ge_xSi_（1－x）的价带电子能带结构

采用经验的紧束缚方法，对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的应变合金ＧｅｘＳｉ１－ｘ。的价带结构进行了计算．并与相应组分的体合金的价带结构进行了比较．当考虑应变对电子能带的影响时，采用了经验的标度定则．这里的标度指数根据对Ｇｅ、Ｓｉ的畸变势常数实验值的拟合而决定．文中给出了应变合金及体合金的三支价带沿Ｌ－Γ－Ｘ方向的色散关系，Γ点价带顶能级、自旋－轨道互作用分裂值△ｓｏ及轻、重空穴能级在应变下的分裂值△ｈｌ随合金组分Ｘ的变化关系，三支价带顶的等能面，以及三支价带的空穴有效质量随合金组分Ｘ的变化关系．     

用于磁头芯的软磁薄膜的特性

从适用于磁头芯的角度评述了软磁薄膜的新进展，最近十年研究出多种饱和磁通密度超过１．０Ｔ的合金薄膜和由普通材料Ｆｅ－Ａｌ－Ｓｉ制得的薄膜以及钴基非晶态合金薄膜。几科报导的所有具有高饱和磁通密度的材料都是铁基合金、针基微晶合金和针基多层膜合金。     

DD6单晶高温合金疲劳断口的扫描电子显微分析

随着燃气涡轮发动机工作温度的提高 ,要求涡轮部件材料具有更高的高温强度、疲劳强度和抗氧化蠕变性能 ,而普通多晶材料已很难满足要求。由于镍基单晶高温合金材料表现出优异的高温力学性能 ,现已被广泛用于先进涡轮发动机的叶片材料。ＤＤ6镍基单晶高温合金是我国自主开发的第二代单晶高温合金 ,其拉伸性能及蠕变断裂性能与国外第二代单晶合金如ＳＣ1 80、Ｒｅｎ啨Ｎ4、ＣＭＳＸ 4及ＰＷＡ1 484相当。由于该合金中铼的含量较低 ,所以具有低成本的特点[1] 。本文对 76 0℃一种多滑移取向单晶材料低周疲劳行为后的断口进行了分析 ,以期得到单…     

过共晶Al－Si合金共生区激光表面处理

用２ｋＷ连续ＣＯ２激光对过共晶Ａｌ－１８Ｓｉ合金以不同能量密度和扫描速度进行快速熔凝处理。用扫描电镜、电子微区分析仪分析了微观结构。从计算机对Ａｌ－Ｓｉ合金ｆ－ｎｆ系统的非平衡理论计算所得的共生区及实验结果的分析可见，当能量密度和扫描速度决定的凝固条件处于共生区中部时，过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金激光表面处理可以得到共晶间距低于２００ｎｍ的完全共晶结构。     

液相烧结93W—4.9Ni—2.1Fe合金基相结构的变化

合金９３Ｗ－４９Ｎｉ－２．１Ｆｅ具有二个重合金基相的结构特征,其基相并不是象有的文献报导的那种含有大晶粒尺寸的Ｎｉ－Ｆｅ－Ｗ固溶体的面心立方结构,而是由细晶粒的非晶形相以及不同成份的金属间化合物构成。部分Ｗ从母基中分离出来,向Ｗ相聚集,结晶在基相中形成不同的相。     

三元合金（GaSb）1—xGe2x,（InP）1—xGe2x的亚稳有序无序相变以及相变…

根据普适参数紧束缚方法得到的最近邻对原子相互作用能以及改进的Ｋｉｋｕｃｈｉ近似，我们计算了合金（ＧａＳｂ）１－ｘＧｅ２ｘ，（ＩｎＰ）１－ｘＧｅ２ｘ的亚稳相图，在计算亚稳相图时，Ｇｅ原子取为无序分布以消除相分离，对于亚稳合金（ＧａＳｂ）１－ｘＧｅ２ｘ，相应于亚稳有序无序相转变点的临界转变浓度Ｘ０为０．２６，对于亚稳合金（ＩｎＰ）１－ｘＧｅｘ，ｘ０为０．１６，计算机值及实验值符合较好，根据关联虚晶近似     

工艺因素对玻璃可与伐合金浸润性的影响

测定了在不同工艺条件下ＤＭ－３０５及ＢＨ－Ｇ／Ｋ两种玻璃可与伐合金之间的浸润角大小。对浸润角受气氛和金属表面氧化膜成分的影响进行了研究。为合理选择该种玻璃与可伐合金的封接工艺提供了理论依据。     

生长在Si（001）衬底上的GexSi1—x合金的电子能带结构

采用紧束缚方法对生长在ＳＩ（００１）衬底上的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金形变层的电子能带结构进行了计算，并与ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的能带结构进行了比较。计算结果表明，对大部分合金组分ｘ，形变层的导带底片在△轴上；当ｘ≥０。９后，导带底处在Ｌ点。形变层直接能隙Ｅｇ及间接能隙Ｅｇ和Ｅｇ都比同组分ｘ的合金小，其下降量随组分ｘ的增大而增大。形变层的价带顶自旋－轨道分裂值△ｓｏ也比相同组分的合金大，其增大值也随合金组     

工艺因素对玻璃与可伐合金浸润性的影响

测定了在不同工艺条件下ＤＭ－３０５及ＢＨ－Ｇ／Ｋ两种玻璃与可伐合金之间的浸润角大小。对浸润角受气氛和金属表面氧化膜成分的影响进行了研究。为合理选择该种玻璃与可伐合金的封接工艺提供了理论依据。关键词     

GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管

用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管,Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明,ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料,其反向电压为－５Ｖ时,反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２．     

内热式液态合金离子源

本文介绍了一种实用的液态合金离子源结构，我们利用本结构研制成功了Ａｕ－Ｓｉ和Ａｕ－Ｓｉ－Ｂｅ液态合金离子源，测出了它们的发射特性。