表面加工性能对低合金Mo丝的耐疲劳强度的影响

本文研究了ｄ＝１．０，５及０．２ｍｍ的技术纯度Ｍｏ（０．０２５Ｃ－０．００５Ｎ－０．１６Ｔｉ）丝和ｄ＝０．３ｍｍ的Ｍｏ－０．１Ｈｆｃ－０．１ＨｆＮ合金丝经过各种加工（拉伸，金刚砂加工处理，电抛光）后，其表面微缺陷的相对尺寸Ｒ／ｄ的变化对疲劳性能的影响，Ｒ／ｄ值从０．０６减小到０．００１导致疲劳持续时间增加了一个数量级，并且观察到性能的最大变化是在Ｒ／ｄ＝０．００２～０．００４，而Ｒ／ｄ值的继续减小     

用PECVD法在金属衬底上沉积氮化硅薄膜

采用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法在４０Ｃｒ钢（含Ｃｒ０．８％～１．１％）或铜等金属基片上沉积氨化硅薄膜。沉积温度为２５０℃时，制备的薄膜厚度为０．２～０．４μｍ，电阻率为８×１０￣（１６）Ω·ｃｍ，介质击穿场强达到１×１０￣７Ｖ／ｃｍ。用ＸＰＳ谱研究了薄膜的结构和成分，并分析了沉积时不同的工艺参数对薄膜绝缘耐压性能的影响。     

YBCO薄膜红外探测器研究的新进展

用ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ＿３薄膜制成的１ｍｍ红外探测器，经技术保护之后，寿命已达３年。其Ｄ（５００，１０，１）＝３．７×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．４×１０￣（－１１）ＷＨｚ￣（－１／２）；超导微桥（５０μｍ×１０μｍ）红外探测器，其Ｄ（５００，１０，１）＝１×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．３×１０￣（－１２）ＷＨｚ￣（－１／２）。     

结构应用的CVD钨和钨—铼合金

研究了ＣＶＤ钨和钨－铼合金的显微组织，估价了它们作为高温材料的适用性。我们发现反应室的分压影响了沉积纯钨和钨－铼合金的显微组织和表面粗糙度。沉积纯钨和钨－铼合金的晶粒度都在０．５ｕｍ以下。实验证明，细晶粒钨的硬度（Ｈｖ〉１０００，室温（Ｒ．Ｔ）、弯曲强度（Ｒ．Ｔ￣１１７５Ｋ，δ＝７００￣１２３０ＭＰａ）和线性热膨胀系数（５７５￣１１７５Ｋ，β＝４．５￣４．９×１０＾－６Ｋ＾－１）比柱状结构钨大。     

毫米波射电望远镜准光学馈源系统及低噪声接收技术的研究

本文叙述了我国１３．７米毫米波射电望远镜准光学馈源系统及低噪声致冷接收技术。在２．６ｍｍ波段研制了具有多种功能的准光学馈源系统，插入损耗小于０．５ｄＢ；研制了宽带低噪声致冷接收机前端，在８０￣１１５ＧＨｚ的频率范围内，带内最小噪声温度达到ＴＲ（ＤＳＢ）ｍｉｎ＝１３０Ｋ。该毫米波望远镜已观测到了Ｏ３，Ｃ＾１２Ｏ（Ｊ＝１－Ｏ），Ｃ＾１３Ｏ（Ｊ＝１－０）多条分子谱线。     

209强激光对靶材的破坏机理研究

２０９强激光对靶材的破坏机理研究许德胜，郭振华，辜建辉，李再光（武汉华中理工大学激光技术国家重点实验室，４３００７４）利用强激光准直聚焦系统把万瓦级ＣＯ＿２激光会聚在直径约０．５ｍｍ范围内，使激光功率密度达到了１０￣６－１０￣７Ｗ／ｃｍ￣２，对３０多...     

在含有InSb非晶过渡层的GaAs衬底上用分子束外延生长InSb薄膜

在（１００）取向半绝缘ＧａＡｓ衬底上，采用独特的含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步分子束外延（ＭＢＥ）生长了异质外延ＩｎＳｂ薄膜。ＩｎＳｂ外延层表面为平滑镜面，外延层厚度约为６μｍ，导电类型为ｎ型，室温（３００Ｋ）和液氮（７７Ｋ）霍尔载流子浓度分别为ｎ＿（３００Ｋ）：２．０×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）和ｎ＿（７７Ｋ）：２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）；电子迁移率分别为μ＿（３００Ｋ）：４１０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ＿（－１）和μ＿（７７Ｋ）：５１２００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ￣（－１）。ＩｎＳｂ外延层双晶衍射半峰宽为１９８ａｒｃｓ，最好的ＩｎＳｂ外延层的半峰宽小于１５０ａｒｃｓ。采用ＩｎＳｂ非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度，改善了ＩｎＳｂ外延层的质量。     

n型HgCdTe晶片少子寿命分布的小光点测量

用聚焦的激光光点（宽度约为０．１ｍｍ）测量了ｎ型Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）长条状薄片样品的少数载流子寿命沿样品长条方向的分布，结果表明分布是不均匀的，讨论了引起这种不均匀的可能原因。     

液相添加剂AST对PTCR BaTiO_3陶瓷电气物理特性的影响

研究添加液相添加剂ＡＳＴ（质量分数ｗ为０．４％～１．０％或摩尔分数ｘ为１．６％～４．０％）的ＰＴＣＲ（Ｂａ０．９１Ｓｒ０．０６Ｃａ０．０３）Ｔｉ１．０１Ｏ３陶瓷材料。测量了烧结条件为１３２０～１３８０℃／０．５ｈ陶瓷材料试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线、Ｉ－Ｖ曲线、电阻温度系数α及开关温度Ｔｂ。在实验结果基础上，讨论了ＡＳＴ添加量对ＰＴＣＲ陶瓷主要电特性的影响。得出：ＡＳＴ添加量增加，ＰＴＣ效应变弱     

150ns长脉宽XeCl准分子激光器的研究

通过采用多级Ｌ－Ｃ峰化回路、增大输出镜反射率、改变ＨＣｌ浓度的方法，使ＸｅＣｌ准分子激光的脉冲宽度达到１５０ｎｓ以上（最大脉宽达１７５ｎｓ），单脉冲能量大于１２０ｍＪ。同时对紫外准分子激光的光纤耦合系统进行了研究，直径为０．４，０．６，０．８，１．５ｍｍ的紫外石英光纤的耦合输出能量分别为１０，２９，３９，５８ｍＪ     

钼酸盐Na5TbxEu1—x（MoO4）4的发射光谱研究

测定了室温下Ｎａ５ＴｂｘＥｕ１－ｘ（ＭｏＯ４）４的发射光谱。发现随ｘ的增加，Ｔｂ＾３＋离子５４６ｎｍ（＾５Ｄ４→＾７Ｆ５）的荧光发射亦随这增加。同时观察到，当ｘ＞０．７时，发光相对强度变化会出现突变。     

在砷化镓衬底上用分子束外延法生长锑化铟薄膜

用分子束外延方法在ＧａＡｓ上生长ＩｎＳｂ薄膜。方法是先在温度３８０℃生长ＩｎＳｂ有源层。然后低温（３００℃）生长一层约０．０３μｍ厚的ＩｎＳｂ缓冲层。Ｓｂ＿４与Ｉｎ的束流等效压强比为４：１时，可获得温度７７Ｋ最大霍尔迁移率的材料。在２～５μｍ厚度的薄膜中，温度７７Ｋ的霍尔迁移率大于３５０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）·ｓ￣（－１）和Ｘ射线半峰宽小于２５０（″）。温度７７Ｋ的霍尔迁移率比最近报导的结果大３倍。Ｘ射线半峰宽也相对小。对可改进薄膜性能的几种可能性作了探讨。     

小型电压控制振荡器

小型电压控制振荡器ＭＯＧ系列电压控制振荡器（ＶＣＯ）是日本村田制作所推出的新产品，重０．２２ｇ，外形尺寸为６．６ｍｍ×６．３ｍｍ×２．３５ｍｍ，比市场同类产品约小３５％。工作频率范围：１．１－２．４ＧＨｚ，适用于无线局域网（ＬＡＮ）和移动通信设备。为...     

连续波化学氧碘激光器中O2（1Δg）—I传能平衡时间的近似表述

本文通过简化的公演反应动力学模型，对Ｏ２（１Δｇ）－Ｉ传能动力学过程进行了分析，得到了Ｏ２（１Δｇ）－Ｉ之间传能平衡特征时间的近似表述，并估计了在总氧压力为１ｔｏｒｒ的工作条件下，Ｏ２（１Δｇ）－Ｉ传能平衡时间大约为０．４１￣０．８８ｕｓ，其结果与考虑了１８个各种主要动力学过程的数值计算结果（０．５￣１．０ｕｓ）基本一致。     

二种单频自稳频高输出功率的长腔He－Ne激光器

作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频自稳频高输出功率的长腔Ｈｅ－Ｎｅ激光器，其相干长度均大于１４ｍ，１ｍ放电管长（腔长为１１４０ｍｍ）单频激光器功率输出为１８～２５ｍＷ，在没有采取任何稳频措施的情况下，用这种激光器与碘稳定的Ｈｅ－Ｎｅ激光器拍频，经计算机自动采样，并进行阿仑方差（ＡｌｌａｎＶａｒｉａｎｃｅ）处理，测得其频率非稳定度为６．１７５×１Ｏ￣（－９）（≤１０ｓ）和３．３８×１０￣（－９）（≤１ｓ）．１．８ｍ放电管长（腔长为１９００ｍｍ）单频激光器功率输出为４０～５０ｍＷ，用测ｌｍ激光器同样的方法，亦在没有采用任何外加稳频措施的情况下，测得频率非稳定度为１．１×１Ｏ￣（－８）（ｒ≤１ｓ）和２×１０￣（－８）（≤１０ｓ），所有测试数据由中国计量科学院测定。     

超晶格（GeXSi1—x）1／（Si）m（001）的电子能带结构

采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在ｘ＝０．０１～０．１范围内随ｘ的变化情况以及当Ｘ＝０．０１时随硅层层数ｍ的变化情况。计算结果表明，在Ｘ＝０．０１～０．１范围内，Ｘ对导带底位置基本上没有影响，导带底位置主要由硅层层数ｍ决定，并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出，可以制成类似于（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（０     

Si1-XGeX/Si红外光电探测器

本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ型红外探测器。其波长范围为０．７０～１．５５μｍ,峰值波长为０．９６～１．０６μｍ,暗电流密度低达０．０３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ）,在１．３μｍ处的响应度高达０．１５Ａ／Ｗ（－５Ｖ）;讨论了Ｇｅ组分、外延层厚度、偏置电压等对探测器参数的影响。     

P埋层技术研究

介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究

对Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．９４）Ｔｉ＿（０．０６））Ｏ＿３和Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．６１）Ｔｉ＿（０．３９））Ｏ＿３两种主配方掺入Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、ｗ等元素，制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂ＰＺＴ热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量，第一种配方的典型电学参数为：ε＿ｒ＝２１９；ｔｇδ＝０．００７８（２０℃，１ｋＨｚ）；ｐ＝４．４３×１０￣（－８）ｃ／ｃｍ￣２·Ｋ。     

高性能5μm640×480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列

已研制出一种高性能５μｍ６４０×４８０蓝宝石衬底的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／Ａｌ＿２Ｏ＿３红外焦平面阵列（ＦＰＡ），在低于１２０Ｋ温度下，它有全电视兼容分辨率和优良的灵敏度．在９５Ｋ工作温度和１０￣（１４）光子数ｃｍ￣（－２）Ｓ￣（－１）的背景通量下，平均焦平面阵列Ｄ￣＊受背景限制，其值约为１×１０￣（１２）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），典型的平均量子效率为６０％～７０％。制造这种大面阵、高灵敏度器件的关键工艺，是在有稳定的ＣｄＴｅ缓冲层的蓝宝石衬底上，外延生长ＨｇＣｄＴｅ材料。在低于或等于１２０Ｋ的工作温度和３．４～４．２μｍ的波段内，相机的平均噪声等效温差ＮＥ△Ｔ为０．０１３Ｋ；该值比目前可实用的ＰｔＳｉ焦平面阵列相机的高一个数量级，而ＰｔＳｉ焦平阵列相机要求制冷到低于或等于７７Ｋ，才能保持其性能。