玻璃表面铁酸锌和掺杂铁酸锌薄膜的光催化效率和红外光谱特性

采用溶胶－凝胶法在玻璃基片上分别制备了TiO2薄膜、掺杂2％ ZnFe2O4的TiO2薄膜和ZnFe2O4薄膜，利用紫外吸收光谱、红外吸收光谱等测试手段对薄膜的性质进行了研究，得到了薄膜的激发波长、光催化效率和红外吸收曲线。结果表明ZnFe2O4薄膜及掺杂ZnFe2O4的TiO2薄膜具有较高的光催化降解性能，薄膜在近红外波段有较强的吸收。     

基于拉曼光谱的类金刚石薄膜的热稳定性研究

利用阴极真空弧放电设备制备了表面光滑的类金刚石薄膜材料,通过多波长激发的拉曼光谱研究了不同退火条件下所制薄膜的热稳定性.实验结果表明,在小于400℃的温度处理下,类金刚石薄膜微观结构几乎不发生变化,薄膜处于稳定区;当温度升高至600℃,微观结构开始发生微妙的变化,认为处于亚稳定区;当温度升至800℃甚至1 000℃时,类金刚石薄膜的微观结构发生显著变化,薄膜开始出现石墨化,物理性质不能保持稳定.     

碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究

讨论了引入Ⅲ-V族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层，用常压气相外延手段在蓝宝石/Ⅲ-V族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程，在C面（0001）蓝宝石上成功地生长出Sic薄膜，扫描电子显微镜显示薄膜表面连续，光滑，证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义，同时在表面发现直径为1-10μm的六角形缺陷，对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析，并对缺陷产生的机理进行了探讨，认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源。     

几种多糖的红外光谱研究

研究了壳聚糖、葡聚糖、茯苓多糖、魔芋甘露聚糖等多糖的红外光谱。中红外光谱的研究表明,所研究的几种多糖中,葡聚糖为α-多糖,其余均为β-多糖;实验表明,采取的红外线光谱分析方法是可行的。     

欧李红色素的光谱特性研究

欧李果颜色鲜艳并含有大量的水溶性红色素,是一种极好的天然色素资源.本文通过对欧李红色素的光谱特性研究,初步确定欧李红色素属于花青素类化合物.     

一种改进的RMC目标光谱特性建模方法

提出了一种改进的基于反向蒙特卡罗法(reverse Monte-Carlo method,RMC)的目标光谱特性建模方法,该方法通过对光线种类的区分,有效避免了无效光线对于计算结果的影响,并将光线经目标表面多次散射后的能量衰减充分考虑在内,提高了目标光谱特性建模的准确性。基于该方法对同规模大小的飞艇和球体进行仿真分析,验证了该方法的有效性和适用性。     

ITO薄膜特性及发展方向

铟锡氧化物(ITO)具有一系列的独特性能，近年来引起人门广泛关注。为了把握这一发展趋势，本文结合国际发展背景，首先对近几年来我国在ITO薄膜研究领域的发展状况从结构与机理、薄膜特性以及应用三个方面给予回顾。其次，对今后的发展予以展望。     

欧李红色素的光谱特性研究

欧李果颜色鲜艳并含有大量的水溶性红色素，是一种极好的天然色素资源．本文通过对欧李红色素的光谱特性研究，初步确定欧李红色素属于花青素类化合物．     

苯甲酸锌的合成及光谱特性

合成了晶态、非晶态及掺杂了铽（Ⅲ）离子的苯甲酸锌,通过元素分析、X射线粉末衍射、红外光谱和热重分析,确定了苯甲酸锌的组成,晶体结构及羧酸根与金属离子的配位方式,并测试了其发射光谱和激光光谱,实验结果证实了一种合成苯甲酸盐的新方法及获得特殊形态发光材料的新途径。     

沉积速率对离子辅助蒸发ITO光学性能的影响

选用高纯度ITO颗粒(w(In2O3)∶w(SnO2)=9∶1)作为蒸发膜料、CAB(钙铝钡)红外玻璃为基片,利用离子辅助电子束蒸发技术在不同的沉积速率下制备了光学性能优良的ITO薄膜,并详细讨论了沉积速率对ITO薄膜可见光透过率、禁带宽度、短波截止限、长波截止限及红外区透过率等性能的影响。结果表明:沉积速率对ITO薄膜的光学性能具有重要影响。薄膜的可见光透过率最高可达82.6%,并随沉积速率的升高而降低;禁带宽度随沉积速率的改变在3.75～3.98eV之间变化,短波截止限随着禁带的宽化,向短波方向移动;在红外区,ITO薄膜的平均透过率随沉积速率的上升而明显减小,薄膜等离子波长λp发生蓝移现象。     

锗硅薄膜的光学特性研究

GeSi薄膜的光学特性可以随内部组分的变化而变化,在光电子集成方面优于GaAs、InP等传统的发光材料,已引起了人们的广泛关注.采用等离子体CVD法在玻璃衬底上沉积GeSi薄膜,研究了不同生长条件下的样品的光学特性,从样品的紫外\|可见光反射谱和透射谱计算出光学带隙,发现随着Ge含量的增加,薄膜的光学带隙减小.并且研究了样品的光学带隙与温度的关系,当GeH4流量为4sccm时,薄膜的光学带隙随温度的升高有一个最小值,当GeH4流量为8sccm时,温度升高而薄膜的光学带隙基本不变.     

表面覆盖钛薄膜的纳米片状碳膜场发射特性(英文)

利用石英管型波等离子体化学气相沉积装置在Si衬底上沉积了纳米片状碳膜,然后采用电子束蒸镀方法在碳膜表面沉积了一层2 nm厚的Ti膜,并在高真空系统中测量了覆盖Ti膜前后的纳米片状碳膜的场发射特性.研究表明:覆盖Ti膜的纳米片状碳膜因表面生成碳化钛而改性,使得场发射特性得到改善;表面覆盖Ti膜后,阈值电场由2.6 V/μm下降到2.0 V/μm,当电场增加到9 V/μm时,场发射电流由12.4 mA/cm2增加到20.2 mA/cm2.     

电子束蒸发沉积TiO2薄膜结构及光学性能的研究

研究了工艺条件对电子束蒸发沉积在 K9玻璃上 Ti O2 薄膜的结构和光学性能的影响。正交试验结果表明 ,基片温度是影响薄膜光学常数的主要因素 ,制备 Ti O2 薄膜的最佳工艺参数为 :基片温度 30 0℃ ,工作真空 2× 10 - 2 Pa,沉积速率 0 .2 nm/ s。采用最佳工艺沉积在透明基片上的 Ti O2 薄膜在可见光区具有良好的透过特性 ,同时也得出了薄膜的光学带隙能 Eg=3.77e V。 SEM观察结果表明薄膜为柱状纤维结构 ,柱状纤维的直径在 10 0～ 15 0 nm之间     

退火温度对锆酸铅薄膜光学性能的影响

用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上成功地制备了PbZrO3(PZ)薄膜．X射线衍射分析结果表明晶化好的PZ薄膜,是多晶钙钛矿结构．750℃晶化的薄膜,晶粒尺寸为30～50nm．用紫外-可见光分光光度计在波长200～900nm范围内,测量了不同温度退火的PZ薄膜的透射率,结果表明450、600、750℃退火的薄膜样品,其光学吸收边分别为4．11、4．56、4．59eV．     

Fe掺杂对ZnO薄膜的微结构与光学性质的影响

采用溶胶一凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Fe掺杂的ZnO薄膜,研究了不同的Fe掺杂浓度对ZnO薄膜的微结构与光学性质的影响.利用x射线衍射分析了薄膜样品的晶向和晶相.利用原子力显微镜观测了薄膜样品的表面形貌,利用双光束紫外-可见分光光度计分析了znO薄膜样品的光学性质.实验结果表明:所有ZnO薄膜样品都是六角纤锌矿结构,ZnO晶粒沿c轴择优生长.质量分数为1%fe掺入之后,ZnO薄膜的C轴择优取向进一步增强,薄膜的晶化质量也得到进一步提高.当Fe的掺杂浓度高于1%时,ZnO薄膜(002)衍射峰的强度又降低了,这可能是由于Fe2+(x=2或3)和zn2+具有不同的离子半径,大量的Fe2+进入晶格取代Zn2+导致晶格严重畸变,从而影响了znO晶粒的正常生长.所制备的ZnO薄膜在可见光区都具有高的透射丰,由吸收边估算出来的ZnO薄膜的光学带隙表明:随着Fe的掺杂浓度的提高,光学带隙逐渐展宽.     

太赫兹波谱多特征参数成像方法

太赫兹波谱成像技术是太赫兹应用领域研究的重点内容之一。传统成像方法使用单一特征参数进行成像,图像包含的信息量较少,图像质量差,分析效率较低。针对上述情况,提出了太赫兹波谱多特征参数成像方法,利用图像的RGB3个色彩通道同时对多个特征参数进行成像,提高了图像的质量和承载的信息量。对多特征参数成像方法应用过程中涉及到两项关键处理:降参处理和加权处理进行了详细的描述。设计了对包含突起区域的载玻片和带有空洞的高密度聚乙烯板进行太赫兹扫描成像的实验,分别利用功率谱、幅值最大值和幅值最大值飞行时间进行成像,测得图像对比度分别为:6.3986,3.9860,1.6562和6.0375,5.3473,0.9373;同时使用多特征参数成像方法将以上3个特征信息合并到一幅图像中,测得图像对比度为:40.4858和32.1340。实验结果表明,太赫兹波谱多特征参数成像方法能够有效的提高图像质量,增加图像承载的信息量,更加便于分析。     

基于自振与频谱特性影响的LRB连续梁桥隔震效果研究

为了探讨桥梁自振特性与地震波频谱特性对LRB隔震效果的影响,以典型三跨连续梁桥为工程背景,采用Bouc-Wen恢复力模型模拟LRB非线性滞回特性,采用Takeda三线性模型模拟桥墩非线性特性,编制了运用Newmark时间积分法和四阶显式Runge-Kutta迭代法联合求解增量形式的全桥非线性运动方程的时程分析程序。利用程序并结合算例对LRB隔震连续梁桥在不同地震激励和不同基本周期影响下的隔震效果进行了分析。结果表明,桥梁结构基本周期和地震激励频谱成分对LRB的隔震效果有较大影响;在易发生低频脉冲型地震波的场地上不宜使用LRB作为桥梁的隔震设备。     

硫族化合物非晶态薄膜波导optical—stopping效应研究

本文通过实验对As2S8这种硫系非晶态材料的光学截止（optical-stopping)现象进行研究，报告了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺，以及实验光路和光学截止现象的过程。并且结合了其它一些有关硫系非晶态半导体中的光诱起现象的报道，提出了以微结构变动为前提、结合半导体能级理论的电子抽运模型，对实验现象进行了解释。     

金刚石薄膜合成技术

作者对金刚石薄膜气相合成的历史,金刚石薄膜的沉积方法以及金刚石薄膜沉积技术的发展方向和应用前景进行了论述。