硅外延发展趋势

本文综述了硅外延的三大发展趋势，指出降低外延温度是外延发展的迫切要求；同时比较了分子束外延（ＭＢＥ）、光能增强化学汽相淀积（光ＣＶＤ）、等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）、超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶＣＶＤ）的优缺点，指出ＵＨＶＣＶＤ和ＰＥＣＶＤ二者合二为一是最具应用前景的方法。其次，论述了异质外延和ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格材料的应用前景。最后，论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。     

等离子增强化学气相淀积硅化钛薄膜的特性

本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响。用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻，用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构。     

PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料,采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明薄膜中含有Ｓｉ－Ｆ、Ｓｉ－Ｏ、Ｃ－Ｆ、Ｃ－ＣＦ_ｘ、ＣＦ₂等构型．刚淀积的薄膜的折射率约为１．４０．对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是３００℃．     

超高真空（UHV）PECVD系统沉积a—Si1—xCx：Hk薄膜及其特性

本文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学了相沉积（ＶＨＶ－ＰＥＣＶＤ）复合腔系统 只ａ－Ｓｉ１－ｘＣｘ：Ｈｋ薄膜及其特性。系统的真空度可达１０＾－７Ｐａ（１０＾－９Ｔｏｒｒ）以上。通过控制Ｈ２对常规用混合气体（ＳｉＨ４＋ＣＨ４）的稀释程度以及相应的ＣＨ４比例,优化沉积工艺参数,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅碳（ａ－Ｓｉ１－ｘＣｓ：Ｈｋ）薄膜,通过ＲＢＳ、ＥＲＤＡ、ＩＴ和Ｒａｍａｍ光     

GexSi1-x材料生长的改善

利用超高真空化学相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在６５０℃生长出表面光亮的ＧｅＳｉ单晶。在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械泵间串接４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵,改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的Ｘ射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为１９８ａｒｃｓｅｃ,且出现了Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条纹,说明外延层结晶质量很好。     

UHV／CVD设备及其特性

本文描述超高真空化学气相淀积系统（ＵＨＶ／ＣＶＤ）的设计思想、系统的结构和性能，着重介绍超高真空的获得和系统的特点，将为“第二代硅”ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结材料的生长及未来的光电子集成提供有力的工具。     

硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明,随着淀积温度的升高,外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变,结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．     

清洗用氟化气体材料的开发

清洗用氟化气体材料的开发近年来，以半导体的高集成化为代表的电子工业在技术革新方面取得了显著的成绩，其中新材料的使用和新技术的产生是该领域得以发展的关键。在半导体制造业中，化学汽相淀积（ＣＶＤ）和物理汽相淀积（ＰＶＤ）等等薄膜制备技术是必不可少的。在用...     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相     

常压MOCVD制备MgO薄膜的研究

本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰ－ＭＯＣＶＤ）在Ｓｉ（１００），ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上外延高质量的ＭｇＯ薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和ＭｇＯ薄膜的潮解特性。高纯ｍａｇｎｅｓｉｕｍａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ［ｂｉｓ（２，４－ｐｅｎｔａｎｅｔａｎｅ－ｄｉｏｎｏ）ｍａｇｎｅｓｉｕｍ］［Ｍｇ（ＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２］作为金属有机源，扫描电镜（ＳＥＭ），透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ－ＲＡＹ衍射实验显示，在较低的衬底温度（～４８０℃）下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀，致密，结晶性和取向性很好，衬底温度（Ｔｓ）在４００℃到６８０℃之间，在Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜都具有［１００］取向，在Ｓｉ（１００）、ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜也都具有［１００］取向。     

PECVD工艺与真空技术

随着大规模集成电路技术的发展，对器件稳定性可靠性的要求越来越高，因此器件表面钝化技术也发展很快，其中等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术的开创和应用更为突出。而ＰＥＣＶＤ工艺与真空技术存在着极其密切的依附关系。本文通过理论和实践简要地讨论了这些关系的一些基本方面。了解和掌握有关的真空技术，对于ＰＥＣＶＤ工艺的进一步推广应用将有十分重要的意义。     

PVC／NBR（HNBR）／HDPE共混体系相容性研究（Ⅲ）共混体系动态力学行为和结晶行为研究

用ＤＭＡ和ＤＳＣ研究了ＮＢＲ和氢化ＮＢＲ对ＰＶＣ／ＨＤＰＥ共混体系的增容作用。由于增容剂在相界面与ＰＶＣ和ＨＤＰＥ所产生的作用改变了界面分子的作用形式，使体系中ＰＶＣ和ＨＤＰＥ相的内耗峰内移。而ＤＳＣ的结果表明，增容剂降低了体系中结晶相ＨＤＰＥ的熔点，说明增容剂增加了ＰＶＣ／ＨＤＰＥ的相容性。     

PVC／NBR（HNBR）／HDPE共混体系相容性研究：（Ⅲ）共混体系…

用ＤＭＡ和ＤＳＣ研究了ＮＢＲ和氢化ＮＢＲ对ＰＶＣ／ＨＤＰＥ共混体系的增容作用。由于增容剂在相界面与ＰＶＣ和ＨＤＰＥ所产生的作用改变了界面分子的作用形式，使体系中ＰＶＣ和ＨＤＰＥ相的内耗峰内移。而ＤＳＣ的结果表明，增容剂降低了体系中结晶相ＨＤＰＥ的熔点，说明增容剂增加了ＰＶＣ／ＨＤＰＥ的相容性。     

SiH4／C2H4体系激光合成SiC超细粉

本文报道了ＳｉＨ４／Ｃ２Ｈ４体系激光合成ＳｉＣ超细粉研究及对合成的ＳｉＣ超细粉进行的ＴＥＭ（ＴＥＤ）、ＸＲＤ、ＦＴＩＲ、ＸＰＳ及Ｒａｍａｎ散射等测试分析。在部分样品中发现了ＳｉＣ空心颗粒，讨论了ＳｉＣ超细粉的成核成长规律，得出了一些有价值的新结果：ＳｉＣ超细粉的合成由Ｓｉ成核生长和碳化组成；反应温度较高时，为获得接近化学计量化的ＳｉＣ超细粉，要求有较高的源气Ｃ／Ｓｉ比，并且高的Ｃ／Ｓｉ比有利于降低     

DVD的分量视频输出端子

ＤＶＤ即ＤｉｇｉｔａｌＶｉｄｅｏＤｉｓｋ，其视频标准依据ＭＰＥＧ２（ＩＳＯ／ＩＥＣ１３８１８２），音频标准依据ＤｏｌｂｙＤｉｇｉｔａｌ（ＤｏｌｂｙＡＣ３）。图像水平清晰度大于５００线，远胜ＶＨＳ（２４０线）、ＶＣＤ（２６０线）和ＬＤ（４２０线）...     

PECVD制备新型介质薄膜碳氮化硅工艺性能研究

研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量也大大减少，但是膜的结构仍然是非晶态的。最后对该薄膜的特性进行测试，表明碳氮化硅薄膜具有较好的绝缘性能。     

新型硅氮烷先驱体的合成和表征

采用ＭｅＳｉＨＣｌ２和ＭｅＳｉＶｉＣｌ２共氨解方法制备出了流动性好的含Ｓｉ－Ｈ和Ｓｉ－Ｖｉ的低分子硅氮烷。结果表明，Ｈ２ＨｔＣｌ６（脱水）和ＤＣＰ是合适的硅氢化交联催化剂和双键交联的引发剂，交联产物在程序控温的管式炉中裂解，得到了高的陶瓷产率。     

PECVD法淀积氮化硼薄膜场发射特性研究

用 Ｂ２Ｈ６和 ＳｉＨ４作反应气体,通过射频等离子体增强化学气相淀积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）方法,在 Ｓｉ（１００）面上沉积生长ＢＮ薄膜,用Ｓ－５２０扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测,并用红外透射光谱测试分析了膜的成分。在室温、压力为 ８ × １０－４ Ｐａ条件下,对 ＢＮ薄膜的电流一电压特性进行测量,并得到了 Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ特性曲线,ＢＮ膜的场发射开启电场为９ Ｖ／μｍ,在电场３７．５ Ｖ／μｍ时,电流密度达到２４．８ ｍＡ／ｃｍ２。     

PECVD法氮化硅薄膜的研究

本文采用射频等离子体增强化学气相生长法（ＰＥＣＶＤ），在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜，经Ｘ射线衍射测试发现，在（１００）晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为（１０１）晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和Ｘ射线光电子能谱测试了β－Ｓｉ３Ｎ４的特性，讨论了它在微电子学中的应用。     

电子能谱研究生长高质量CeO2／Si异质结

用低能双离子束淀积技术，在清洁的Ｓｉ衬底上外延生长出了ＣｅＯ２／Ｓｉ异质结构。利用俄歇电子能谱，Ｘ射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析。结果表明，样品界面清晰、陡峭，无氧化硅生成，这反映了外延层Ｓｉ衬底间过渡区很窄；外延层内组成元素Ｃｅ，Ｏ分布均匀，为正化学比ＣｅＯ２相。