分立器件

PNS40010ER:整流器恩智浦推出了PN整流器PNS40010ER,器件是采用FlatPower封装的二极管产品组合。这款400V、1A器件能够以标准开关时间支持高功率密度,并且采用小型SOD123W FlatPower塑料封装。通过使用高效率电源技术,它非常适合用于温度高达175℃的高温应用。由于斜切式砌合技术可承受高达32A的浪涌脉冲,所有的标准开关应用均可使用该项技术,无论是消费电子还是汽车应用。     

元器件与组件

采用P600圆向封装的太阳能电池板保护整流器GPP100MS是一款电流等级高达10A、反向电压达1000V,并采用P600圆向封装的新款光伏太阳能电池板保护整流器。GPP100MS基于玻璃钝化芯片技术,最高工作结温高达175℃。器件具有低热阻,在10A、125℃条件下的正向压降只有0.80V,可承受440A的正向浪涌电流。器件适用于太阳能电池板隔离盒中的极性保护应用,P600封装的最高焊浴温度达到JESD22-B106规定的275℃,持续时间10s。GPP100MS符合RoHS指     

VLMx32xx：高亮度表面贴装LED

Vishay推出新系列功率表面贴装LED，这些器件极大的改进了散热与亮度。新型VLMx32xx器件采用带引线框的PLCC4封装，该封装专为提供低至290k／W的超低热阻及高达200mW的功耗而进行了优化，可实现高达70mA的高驱动电流，从而比现有的SMDLED产品的亮度提高了一倍。对于汽车应用，VLMx32xx器件已通过AEC—Q101汽车标准认证。     

GPPl00MS：整流器

VishayIntertechnology推出电流等级高达10A、反向电压达1000V，并采用P600圆向封装的新款光伏太阳能电池板保护整流器GPPl00MS。GPPl00MS基于玻璃钝化芯片技术，最高工作结温高达175℃。器件具有低热阻，在10A、125℃条件下的正向压降只有0．80V，可承受440A的正向浪涌电流。     

Diodes推出适合LCD背光应用的新型MOSFET器件

Diodes公司进一步扩展其多元化的MOSFET产品系列，推出15A针对LCD电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8封装，具有高功率处理和快速开关功能．可满足高效CCFL驱动器架构的要求。     

940nm20％占空比InGaAs／AIGaAs大功率LD线阵

采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术，制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20％占空比半导体激光器。采用良好的封装方式，激光器直接封装在高效导热载体上，对载体水冷散热，在脉冲频率500Hz，脉冲宽度400μs下，驱动电流105A时输出功率高达90.6W，最高电一光转换效率42.3％，斜率效率0.94W/A。器件中心激射波长941.8nm，光谱半高全宽3.3nm。     

产品推介

LTM4650是一款双输出25A或单输出50A降压型微型模块(μModule?)稳压器。该器件内置的屏蔽的电感器、MOSFET和两个DC/DC稳压器IC全放在一个小型耐热性能增强型塑料封装中。该器件采用16mm x 16mm x 5.01mm BGA封装，内置了已获专利的散热器。该散热器连接到MOSFET和电感器上，可从封装内部到封装顶部快速散出热量，而散热器的表面则裸露于空气中。通过空气流动或者空气流动加上连接外部散热器，散热性能可得到进一步提高。没有外部散热器的情况下，在环境温度高达71℃和200LFM气流或环境温度高达77℃和400LFM气流时， LTM4650可从12VIN至0.9VOUT提供50A电流。     

Vishay的新型功率SMD LED

Vishay宣布推出新系列功率表面贴装LED,这些器件极大的改进了散热与亮度。新型VLMx32xx器件采用带引线框的PLCC4封装,该封装专为提供低至290K／W的超低热阻及高达200mW的功耗而进行了优化,可实现高达70mA的高驱动电流,从而比现有的SMDLED产品的亮度提高了一倍。对于汽车应用,VLMx32xx器件已通过AEC—Q101汽车标准认证。     

满足供电需求的新型封装技术和MOSFET在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步

在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代半导体技术，在效率等级、功率密度和可靠性等方面都达到了新的水平。     

具备有源电流限制功能的微型模块电池充电器可从高达32VIN提供2A电流

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出LTM8061和LTM8062，这两款器件，它们是一个新型完整系统级封装μModulee充电器系列中率先面市的器件，可支持1个高达2A的输出充电电流。     

具备有源电流限制功能的微型模块电池充电器

LTM8061和LTM8062是一个新型完整系统级封装μModule充电器系列中率先面市的器件，可支持一个高达2A的输出充电电流。     

电源管理

GPP100MS:整流器Vishay Intertechnology推出电流等级高达10A、反向电压达1000V,并采用P600圆向封装的新款光伏太阳能电池板保护整流器GPP100MS。GPP100MS基于玻璃钝化芯片技术,最高工作结温高达175℃。器件具有低热阻,在10A、125℃条件下的正向压降只有0.80V,可承受440A的正向浪涌电流。     

VS-3EGH06-M3等：整流器

Vishay推出10款可焊的FREDPtHypeffast和Ultrafast快恢复整流器,其中包括采用SMA封装的3A器件,采用SMB封装的3A和4A器件,以及采用SMC封装的4A和5A器件。新款整流器将极快恢复和软恢复特性,以及低正向压降和低泄漏电流     

IR推出0.5A和1.0A CSP肖特基二极管面向便携产品应用,节省电路面积70%

国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)近日推出四款新型FlipKY肖特基二极管。与业界普通标准的肖特基器件相比,它们的体积更小,工作效率更高。这些新型0.5A和1.0A器件采用节省空间的芯片级封装(CSP),最适于空间受限的手持和便携设备,如移动电话、智能电话、MP3播放器、PDA和微型硬盘驱动器,应用范围包括电流调节、ORing及升压和续流电路。30V的IR0530CSP和40V的IR05H40CSP均属于0.5A器件,两者都采用紧凑的3焊球芯片级封装,只占用1.1mm2的电路板空间,高度也只有0.6mm。与业界标准的SOD-123封装肖特基二极管相比,IR…     

新型大电流压装IGBT

本文介绍了一组采用工业标准封装的新型大电流压装IGBT，回顾了完全压力接触IGBT的机构结构，讨论了该结构对器件高可靠性的影响，给出新推出的1400A IGBT的电气性能以及在研的2200A IGBT的初步数据。在一些应用中，压装IGBT性能优越。     

四通道PMU带有内置DAC

美国模拟器件公司（ADI）推出AD5522业界首款四通道参数测量单元（PMU）。AD5522采用小型12mm&;#215;12mmTQFP封装包含4个独立的通道。其中每个通道都包含用于5μA，20μA．200μA和2mA电流检测范围的内置电阻器。另外．每个通道可扩大电流检测范围．使用一只外部检测电阻器能使设计工程师检测高达64mA电流．     

大电流DC／DC变换器应用的新型DirectFET^TM器件

每一代新型的电子产品对电性能都有很高的要求，不但要产品体积小，而且还要散热性能好。特别是对应用于计算机网络、通信以及便携式装置的电子产品，则要求更高。然而，提高电性能的重要因素仍然是硅片技术，但硅片技术的发展又受制于封装技术。本文将介绍一种新型的DirectFET^TM器件的封装技术，它是由国际整流器公司开发的表贴功率器件封装技术。采用该技术很好地消除了器件封装中高电感和阻抗引起器件热特性和电特性方面存在的一些问题。由于可以双面散热，使用DirectFET^TM器件可以使大电流DC/DC变换器的电流密度增加一倍而且系统成本显著降低。     

球栅阵列(A)封装器件与检测技术

介绍了A封装器件的特点,重点讨论了A封装的检测技术,并建议在A组装过程中采用断层剖面或"倾斜式”X光检测仪.     

Vishay推出汽车照明功率表面贴装LED

日前，Vishay宣布推出新系列功率表面贴装LED，这些器件极大的改进了散热与亮度。新型VLMx32xx器件采用带引线框的PLCC4封装，该封装专为提供低至290K／W的超低热阻及高达200mW的功耗而进行了优化，可实现高达70mA的高驱动电流，从而比现有的SMDLED产品的亮度提高了一倍。     

英飞凌推出创新型H-PSOF封装技术

英飞凌科技股份公司近日推出一种创新型封装技术,为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H—PSOF（散热型塑料小外形扁平引线）。首批推出的采用H—PSOF封装技术的产品是40VOptiMOSFET2功率晶体管,它们的漏极电流高达300A,导通电阻（RDS（on））低至0．76毫欧。