第四届窄禁带半导体物理国际会议

第四届窄禁带半导体物理国际会议(以下简称NGS会议)于1681年9月14日至9月17日在奥地利林茨(Lin 2)市的Johannes Kepler大学举行。这届会议由国际纯物     

1987年国际发光会议 聚光物发光状态的讨论

主办单位 中国发光学会 理论物理和应用物理国际组织 中国科学技术协会 中国物理协会协作单位 理论物理国际中心 美国光学学会 中国科学技术国际讨论中心会议地址和日期国际发光会议(ICL)提出了一个中心论点,它强调了在所有的科技领域里发光现象的普遍性。 该会议将于2957年s月17日一21日在北京召开。这是第八次讨论会,每三年开一次,1966年的讨论会在匈牙利首都布达佩斯举行,1969年在美国德拉瓦州纽华克举行,1972牟在苏联列宁格勒举行,1975年在日本东京举行,1978年在法国巴黎举行,1981年在德国西柏林和1984年在美国威斯康星州麦迪逊举行。…     

第四次国际窄禁带半导体物理会议

<正> 第四次国际窄禁带半导体物理会议于1981年 9月 14日至17日在奥地利的林茨市举行.这次会议是在“纯粹与应用物理国际联合会(IUPAP)”、“欧洲物理协会(EPS)”、“奥地利物理协会(O|¨PG)等组织的资助和支持下召开的.参加会议的有西德、美、波、法、日、英、苏等18个国家的二百四十多名代表.奥地利J.Kepler大学教务长 H.Heinrich教授担任主席.     

第五届全国半导体物理学术会议将在厦门召开

<正>第五届全国半导体物理学术会议由厦门大学负责筹备.迄今为止已收到全国各高等院校、研究所和工厂寄来的论文三百余篇,内容涉及半导体电子态、光学性质、非晶半导体、半导体表面和界面、半导体杂质、缺陷和深能级、半导体材料、半导体工艺和器件物理等各个领域.论文审稿会议已于七月十一日至十三日在南京举行.厦门大学刘士毅教授出席并主持了审稿会议.大会定于十二月初在厦门举行.这次会议所收到的论文数量大大超过了前几届会议,并且在异质结、超晶格等新领域内出现了许多有     

从第3次国际半导体激光会议看半导体激光器的进展及其方向

国际半导体激光会议每2年举行一次。第1次是1967年在美国的拉斯维加斯召开,第2次是1969年在墨西哥召开,预定在1971年举行的第3次会议延期到1972年5月15~17日在美国的波士顿召开。     

国际半导体与集成电路技术会议(ICSICT)在北京举行

中国电子学会与美国加州大学贝克利分校共同发起的国际半导体与集成电路技术会议于1986年10月20日至25日在北京香山饭店举行。这是国际半导体和集成电路界在中国的一次盛会。来自14个国家300多名科学家、学者、教授和工程师会聚一堂切磋技艺。     

2013年国际固态电路会议简介

定于2013年2月17～21日在美国加州旧金山召开的"ISSCC(国际固态电路会议)2013"将迎来它第60届会议,被称为"半导体奥林匹克"的ISSCC是"半导体集成电路技术领域最权威的国际会议",它预示了半导体重要技术和世界各地的发展动态。     

日本物理学会举行年会

日本物理学会第23次年会于今年四月一日至六日在大阪大学举行。会议分磁性物理、宇宙线、等离子体、晶体生长、半导体、量子电子学等三十余个专业组。研究报告计1,245篇。其中会议12篇,综合与专题报告35篇,非正式会议三十九篇。     

SEMICON2004中国展在上海圆满结束

2004年国际半导体设备与材料展览暨研讨会(SEMICON CHINA 2004)于2004年3月17日至19日在上海新国际博览中心(SNIEC)举行，此次展会由国际半导体设备及材料协会(SEMI)和中国电子商会(CECC)共同主办，会议围绕半导体与平板显示制造技术展开。中国国际电子元器件、组件、电子生产     

1983年国际半导体工艺与生产展览会

<正> 1983年国际半导体工艺与生产展览会于9月27至29日在英国伯明翰国际展览中心举行。参加展出的有西欧、美、日、东德的约190家大小厂商,同时还举行半导体工艺国际会议,并有三天的专业人员提高课程,内容是“半导体中的热问题”。 展览会展出的展品几乎包括了半导体工艺与生产的各种类别,大型设备虽未运到现场,但都提供了产品说明和有关资料。展览会反映了当前半导体工艺与生产的国际水平及技术的高速度发展。以下简要介绍有特色的展品和情况。     

第52届国际固态电路会议即将召开

第52届国际固态电路会议（ISSCC2005）将于2005年2月6日-10日在美国旧金山举行。ISSCC (Intemational Solid-State Circuit Conference:国际固态电路会议)开始于1953年，每年一届，是由IEEE固态电路协会(SSCS)主办的著名半导体集成电路技术国际会议。它也是世界上规模最大、水平最高的固态电路国际会议．     

第七届全国半导体物理会议论文专辑

<正> 第七届全国半导体物理会议于1989年10月31日至11月3日在上海举行。本次会议共征集了252篇论文,包含了半导体物理的各个领域:表面和界面,超晶格和量子阱,低维体系与低维材料,杂质与缺陷,体性质,光学性质,输运,非晶态半导体和半导体器件物理等。本专辑共收录了两篇大会报告及24篇邀请报告的全文或详细摘要,以及124篇分组报告的简短摘要。由于篇幅所限,尚有许多优秀的论文未能收入,我们对此深表歉意。我们感谢所有论文作者     

国外动态

第七次半导体激光器国际会议和第四次发光二极管专家会议于1980年9月8日至11日在英国布赖顿一家古老的旅馆举行。英国标准电信研究所(STL)的P·R·Selway以及皇家信号和雷达科学研究院的P·J·Dean分别主持了两个会议。半导体激光器国际会议由IEEE主办,隔年召开一次。除了1976年在日本召开一次外,这是第二次在美国以外的国家召开。参加这次会议的代表约200名,日本代表约占总人数的10%。下一次会议预计于1982年在加拿大召开。     

第十六届国际半导体物理会议在法国举行

第十六届国际半导体物理会议于1982年9月6日到10日在法国蒙彼利召开。这是一次规模较大的半导体物理学综合性学术会议,参加会议的有来自30多个国家和地区的850多名代表中国科学院半导体研究所黄昆、江丕桓,复旦大学钱佑华,山东大学陈有平,中国科学院上海技术物理研究所沈学础,褚君浩等同志参加了会议。会议主席为法国巴黎第六大学教授M.Balkanski。     

一九八○年国际学术会议、展览会一览表

】980年国际学术会,厕览会一览表all*all*all*all*all*all*all*all*all*all*第9次计算机展览会激光和电一光学系统会议第23届国际电子器件展览会第27次应用物理讨论会国际可靠性物理会议IEEE国际电路和系统会议第30届电子计算机会议-;第2次国际微型计算机应用会议国际通信会议(ICC)自动化设计会议第15次国际半导体物理会议第8次世界计算机会议 一九八○年国际学术会议、展览会一览表@黄子伦     

半导体与集成电路技术(1986)国际会议将于今秋在北京举行

<正>半导体与集成电路技术(1986)国际会议(ICSICT’86)将于1986年10月19日至25日在北京香山饭店举行.这次会议是由中国电子学会与美国加州大学伯克莱分校共同发起的.参加者中,除有中美两国的学者、科学家及工程师外,还将包括欧洲、日本和亚太地区各国从事半导体与集成电路工作的专家,因此,这是一次交流和讨论半导体与集成电路领域科学和技术发展的极好机会.     

1973年国际半金属和窄带半导体会议

据日本《物理学会志》(1974年)报导,这次会议由法国国家科学研究中心(CNRS)和英国威尔士大学科学技术学院(UWIST)共同举办。会议一半在法国南部尼斯召开,一半在威尔士大学召开,于1973年9月10～14日举行。本文主要介绍尼斯会议。尼斯会议于1973年9月10～12日召开。主要是讨论窄带半导体问题。到会者150余     

CLEO′90和IQEC′90学术会议简介

<正> 激光器与电光学(CLEO′90)和国际量子电子学(IQEC′90)会议于1990年5月21日至25日在美国加州Anaheim会议中心同时举行。除了两个会议各自有专题领域外,还有联合专题会议。两个会议的特邀报告和口头报告约1050篇,张贴报告约300篇,内容涉及面很广。其中CLEO′90共15个专题: 1)气体和自由电子激光器; 2)固体和液体激光器; 3)半导体激光器; 4)非线性光学和激光谱的应用; 5)相变和光折射器件;     

第三届国际红外物理学术会

国际红外物理学术会大约每隔四年举行一次,即1975年8月,1979年3月分别为第一届和第二届。第三届国际红外物理学术会(简写为CIRP3)于1984年7月23日至7月27日在瑞士苏黎世的瑞士联邦工学院(ETH)举行。历时五天,主办单位是瑞士物理协会。会议的宗旨是总结当代红外物理领域中的新进展,交流新的研究方法和实验技术,增进同行科学家、学者之间的友谊和了解。本届会议主席是瑞士联邦工学院的F.K.Kneubiihl教授。会     

2012年ISSCC会议关注“硅系统的可持续性”

被称为世界半导体业界的奥林匹克——2012年ISSCC(国际固态电路会议)将于2012年2月19～23日在美国加州旧金山举行,这对了解未来半导体的技术革新、主导该技术的地区、国家、组织、企业的动向带来启示。这次会议的主题是