多晶硅间粒间界的线性陷阱模型

采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＾＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型，运用该修正模型，可采用迭代法求得多晶硅电学参数－势垒高度Ｅｂ、电导率激活能Ｅａ与多晶硅掺杂浓度Ｎｃ间关系。计算结果表明，多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。     

多晶硅薄膜晶体管中的晶粒间界电荷分享效应

通过对晶粒间界两侧耗尽区建立准二维模型,研究晶粒间界电荷分享效应对多晶硅薄膜晶体管阈值电压的影响.研究表明,考虑了晶粒间界电荷分享效应的阈值电压将变小,其中晶粒尺寸对阈值电压的影响最大.在此基础上,建立了多晶硅薄膜晶体管的阈值电压解析模型.     

多晶硅TFT有源层晶粒间界的研究

由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷，形成带隙能态，从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝，本文从微观方面解释悬挂键形成带隙能态的原因极其影响，并给出降低带隙密度的方法-氢化。     

高性能双栅复合介质ZnO薄膜晶体管的模拟

提出ZnO薄膜晶体管的一种新型结构——双栅复合介质结构,并利用ATLAS软件对双栅复合介质结构与双栅单介质结构进行仿真。对比分析结果表明,采用复合介质材料可以明显提高器件的电学特性,在相同偏置条件下,双栅复合介质结构饱和电流为5.5×10-5 A,阈值电压为5.83V,亚阈值斜率为0.128V/dec,开关电流比为109;双栅单介质结构相应值分别为1.3×10-7 A、15.5V、0.297V/dec和108。通过晶界势垒高度随VGS变化分析了新型结构阈值电压降低的物理机制。     

MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析

叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p~+-n结构的DLTS结果相同。     

脉冲中子辐照在硅中引起缺陷的研究

研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 8e V)和 E4 (Ec- 0 .4 0 e V) ,双空位与氧杂质相结合的络合物 E3 (Ec- 0 .31e V) ,以及与样品材料原生缺陷有关的辐照感生缺陷 E5(Ec- 0 .4 8e V)。实验结果表明 ,脉冲中子辐照由于其高的中子能量和辐照剂量率 ,导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度。进一步 4 0 0℃温度以下退火实验显示了缺陷的分解和重建过程     

MOCVD生长的未掺杂的In1-xGaxP中的本征缺陷

利用深能级瞬态谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ）和瞬态光电阻率谱（ Ｔ Ｐ Ｒ Ｓ）研究了利用金属有机物化学气相沉淀（ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ）方法生长的未有意掺杂的 Ｉｎ１－ ｘ Ｇａｘ Ｐ中缺陷对载流子的俘获和发射过程。利用 Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ测量观测到了一个激活能为０３５ ｅ Ｖ 的缺陷,由 Ｔ Ｐ Ｒ Ｓ测量确定该缺陷的俘获势垒值介于１８０ ｍ ｅ Ｖ 到２４０ｍ ｅ Ｖ 之间。该缺陷的俘获势垒值的大的分布解释为缺陷周围原子重组的微观波动。同时在 Ｔ Ｐ Ｒ Ｓ测量中观测到俘获势垒为００６ ｅ Ｖ 和０４０ ｅ Ｖ 的两个缺陷。     

MOCVD生长的未掺杂的In1－xGaxP中的本征缺陷

利用深能级瞬态谱(DLTS)和瞬态光电阻率谱(TPRS)研究了利用金属有机物化学气相沉淀(MOCVD)方法生长的未有意掺杂的In     

GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究

利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体品质的影响.发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs/Si/AlAs异质结随着温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体质量最佳.     

快速热氮化的SiO_xN_Y膜界面特性的DLTS研究

用深能级瞬态谱技术研究了快速热氮化SiO_xN_y膜界面态密度及界面态俘获截面特性,分析了Si/SiO_xN_y界面的DLTS理论,结果表明,快速热氮化SiO_xN_y膜的界面态密度随禁带中能量呈现“U”形分布,该种薄膜界面态俘获截面在禁带中的能量分布近似呈现指数规律,且禁带中央附近的界面态俘获截面比价带顶附近的俘获截面大得多,影响微电子器件电学特性的界面态主要仍是禁带中央附近的界面能态。结果还给出了DLTS技术与雪崩热电子注入法测试SiO_xN_y膜界面态密度能量分布的比较,得到两种不同方法的研究结果基本一致。文中并对实验结果进行了分析与讨论。     

Impurity states in cobalt-doped silicon

Cobalt was diffused into p⁺ pn⁺ silicon structures at 900° and 1150°C for 2−4 hours followed by various quenching conditions. Four primary hole traps and two electron traps associated with cobalt in these devices were observed. The hole traps are labeled H1(E_v + 0.22 eV), H2(E_v + 0.29 eV), H3 (E_v + 0.40 eV) and H4(E_v + 0.45 eV) while the electron traps labeled E1 and E2 are located at E_c − 0.36 eV and E_c − 0.44 eV, respectively. The concentrations, thermal emission rates, and the capture cross sections for the majority carriers at these defects are reported. The behavior of these defects under heat treatment and the emergence of secondary defects, H5(E_v +0.22 eV) and H6 (E_v +0.34 eV), will be discussed.     

用于粒子场图像速度分析的新型光源装置

介绍了一种用于粒子图像速度分析（ＰＩＶ）的光源装置。利用该装置可在间得到一组相互平行的“光切面”，用于精确、快速地对复杂流场分布进行分析。     

Measurement of Deep Energy Level in InP：Fe by the Method of OTCS

We have measured the deep energy level of the InP:Fe which is semi -insulator through the method of OTCS.The effect of light intensity on OTCS measurement is mainly discussed. There are electron trap of ET=0.034 eV and hole trap of ET=1.13 eVin InP:Fe under the strong light and low temperature .The location of the OTCS peak of electron trap(ET=0.34 eV)moves towards the direction of high temperaturer,when the light intensity was increased,ET is different under different light intensity .It is corrected in terms of theory that the stuff ratio of the deep energy level is affected by the light intensity. The experiments show that the error is decreased greatly with the correction.     

线性多步法各系数约束条件的证明

本文利用二项式定理,线性变换和恰当交换有限项有界元素多重求和的顺序的方法,给出了利用线性多步法求解常微分方程初值问题时各系数之间约束关系的严格证明,为新算法的实现奠定了基础。     

线性双赢模式的解

以目标函数的梯度为导向,构造一个可以集中显示方程的增、减特性主要部份新的矩阵结构,并分析最大点的充分必要条件,从而得出最大点的解析式。解析式说明可以降低求解的复杂性。     

半导体少子产生区宽度线性模型的研究

基于对半导体表面产生区宽度特点的分析，提出了与表面空间电荷区宽度呈线性关系的产生区宽度新模型。该模型形式简单，精度较高。数理统计分析结果表明，该线性模型是合理的。     

基于路径的整数线性规划方法在阻塞IP over WDM网络中能耗优化的应用

针对容量有限的透明IP over WDM网络模型,该文提出一种基于路径的整数线性规划(ILP)方法来优化网络的能耗。相对基于连接的整数线性规划方法,该方法可以在光层提供更多的路径选择组合。仿真结果显示,基于路径的整数线性规划方法能够通过选择更优的光路组合进一步降低网络的能耗。