退火工艺对Co71．8Fe4．9Nb0．8Si7．5815非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

采用四端法研究了退火处理T艺对Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响.结果表明,Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15非晶薄带试样经350 ℃保温60 min退火处理后,样品的内应力得到有效释放,大大改善了样品的软磁特性,得到了最大的巨磁阻抗效应(GMI).在8 MHz的交变电流频率下,得到了24%的最大磁阻抗比.XRD分析表明,样品发生晶化后将降低巨磁阻抗(GMI)效应.     

Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶丝扭矩阻抗（TGI）效应的研究

本文研究了测量频率、焦耳退火处理及扭矩焦耳退火处理对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶丝TGI效应的影响。实验表明淬态Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶丝TGI效应的最佳测量频率为7 MHz;对样品进行焦耳退火处理可以提高样品的阻抗变化率,测量频率为7 MHz时,焦耳退火处理的最佳电流密度为32 A/mm2,最大阻抗变化率达198%;扭矩焦耳退火处理后,样品TGI效应的非对称性随着预加扭矩的增大而增大,同时阻抗变化率峰值减小。     

处理电流密度对钴基非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

本文研究了焦耳处理工艺的处理电流密度对Co68.15Fe4.35Si12.5B15和Co71．8Fe4．9Nb0.8Si7．5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响。样品在不同电流密度下进行了处理。实验结果表明：焦耳处理存在最佳电流密度,对Co68.15Fe4.35Si12.5B15窄带来说,最佳处理电流密度为30A／mm^2,处理后样品的阻抗变化率峰值和灵敏度分别为119％和73％／Oe;对Co71．8Fe4．9Nb0.8Si7．5B15窄带来说,最佳处理电流密度为35A／mm^2,处理后的阻抗变化率峰值为232％,灵敏度在30A／mm^2时达到42％／Oe。处理后样品的内应力得到有效释放,软磁性能提高,使薄带的巨磁阻抗效应较淬态时有了明显提高。处理电流密度是焦耳处理方法中影响钴基非晶薄带巨磁阻抗效应的一个重要参数。     

直流偏置电流对钴基非晶带环形磁芯巨磁阻抗效应的影响

将近零磁致伸缩系数的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带卷成环形后,在200Gs横磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,在穿过环形薄带圆心的直流电流产生的圆周磁场作用下的巨磁阻抗效应.激励电流频率f＞100kHz时,阻抗随圆周磁场的变化呈现对称双峰曲线;最大阻抗变化率（GMI）max随频率的升高而增大,当频率f=2MHz,幅值Ip=10mA时,（GMI）max=57%.直流偏置电流改变了非晶带横向磁导率,造成阻抗变化的不对称.偏置电流较小时,阻抗变化曲线的一边峰值得到加强,另一边峰值减弱;偏置电流较大时,两峰值都被削弱.阻抗变化的不对称性与激励电流的频率和直流偏置电流大小有紧密联系.     

Co67.5Fe4.5Ni3Si10B15非晶丝巨磁阻抗性能及其温度稳定性研究

研究了Co67.5Fe4.5Ni3Si10B15非晶丝巨磁阻抗性能及其温度特性。该非晶丝采用内圆水纺法制备,并在氮气保护下进行直流应力退火。在氮气中退火的非晶丝样品具有良好的表面光洁度以及较好的软磁性能和巨磁阻抗效应(GMI)。在激励功率6dBm、激励频率70MHz的测试条件下,磁阻抗变化率高达125%,巨磁阻抗最大灵敏度达3.92%/A·m-1。该非晶丝的巨磁阻抗性能在233～353K温度范围内具有优异的温度稳定性,为非晶丝应用于工业磁传感器等领域奠定了基础。     

复合焦耳处理对Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

本文研究了复合焦耳处理对Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响。实验结果表明：经前段电流密度10A／mm^2,后段电流密度30A／mm^2的复合焦耳处理后样品获得了最大的GMI效应。在8MHz的交变电流频率下,最大磁阻抗比为217％,灵敏度为114％／Oe,比淬态下的最大磁阻抗比和灵敏度均有明显提高。复合焦耳处理是提高材料GMI效应的一种新型的而且十分有效的方法。     

脉冲电流处理对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金薄带GMI效应的影响

本文研究了脉冲电流处理对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金薄带巨磁阻抗效应和脆性的影响,并与等温退火样品的巨磁阻抗效应和脆性进行对比.结果表明,经过应力脉冲电流处理后的样品,其阻抗变化率和灵敏度都显著高于无应力脉冲处理后的样品.淬态样品在9.34MPa拉应力下,经电流密度为930A/mm2的脉冲电流处理后,阻抗变化率可达到220%,灵敏度达到0.35%/A·m-1.用应力脉冲电流处理不仅可以显著提高巨磁阻抗效应,而且可以有效抑制样品长时间的等温退火带来的脆性问题.     

低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3．7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗（GMI）效应。结果表明，在低频脉冲电流下，巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△Z／Z先随退火电流密度的增加而增强，当电流密度为104A／mm^2时，△Z／Z达到最大值53．8％，此后随电流密度增大，GMI变化率开始减小。对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场凤对GMI效应的影响，发现HK有利于提高GMI效应的峰值，但同时存在一个临界值，当超过这个值时，GMI效应的峰值减弱。     

钴基玻璃包覆非晶丝的磁致伸缩特性研究

采用小角转动法(Small-Angle Magnetization Rotation)对(Co(77-x)FexSi8B15(x=4,5,7))钴基玻璃包覆非晶丝的磁致伸缩系数进行了测量,研究了拉应力(σ)对不同成分的钴基玻璃包覆非晶丝磁致伸缩系数的影响。实验结果表明:三种成分玻璃包覆非晶丝的磁致伸缩系数均随着外应力的增加逐渐减小;Co72Fe5Si8B15玻璃包覆非晶丝的磁致伸缩系数随着外应力的增加从+1.1×10-7(σ=0 MPa)变为-3.3×10-7(σ=1 880 MPa),存在一个由正变负的过程。     

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 本文采用小角转动法（Small-Angle Magnetization Rotation）对（Co(77-x)FexSi8B15（x=4,5,7））钴基玻璃包覆非晶丝的磁致伸缩系数进行了测量,研究了拉应力（σ）对不同成分的钴基玻璃包覆非晶丝磁致伸缩系数的影响。实验结果表明：三种成分玻璃包覆非晶丝的磁致伸缩系数均随着外应力的增加逐渐减小;Co72Fe5Si8B15玻璃包覆非晶丝的磁致伸缩系数随着外应力的增加从+1.1×10-7 (σ=0MPa) 变为-3.3×10-7 (σ=1880MPa),存在一个由正变负的过程。     

Effect of glass removal on the GMI effect of Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15 amorphous glass-covered wires

During the past several years, giant magneto-impedance effect (GMI) in amorphous wires has generated growing interest in the science community because of theirapplications in sensors. The giant magneto-impedance effect in Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15 amorphous glass-covered wires (AGCW) consists of strong changes in the high frequency impedance with a small DC magnetic field. When f =1 MHz, there is no GMI effect due to the fact that the magnetic penetration depth is higher than their radius. As the frequency increases, the GMI effect becomes important in both the glass-covered wire and the wire afterglass removal. Field dependence of the impedance has a similar behaviour to the AGCW ones, when a tensile stress is applied to the wire without glass cover.     

pH值对电沉积FeNi／Cu复合丝巨磁阻抗性能的影响

采用脉冲电沉积方法在φ90μm的Cu丝上制备出Fe20＋δNi80-8／Cu复合丝,并测试了巨磁阻抗（GMI）特性。实验表明：电镀液的pH值在1．48～3．1范围内变化,对于复合丝的镀层成分、厚度、表面质量及其巨磁阻抗（GMI）效应具有显著的影响。在pH为1．9～2．5时复合丝表面平整、缺陷少,在pH=2．03时获得了厚度为11μm、成分为Fe20．3Ni79．7的电镀沉积层。采用10mA的激发电流,频率f=29．6kHz时GMI效应达到631．5％,磁场的灵敏度在10kHz时达到560％／Oe,该频率远远低于CoFeSiB非晶丝材的频率。     

矩形脉冲电流退火与激励电流对Co基非晶带巨磁阻抗效应的影响

利用矩形脉冲电流对Co_(66.3)Fe_(3.7)Si_(12)B_(18)非晶带进行退火处理,研究了退火电流密度对非晶带巨磁阻抗效应的影响,同时研究了激励电流频率对退火处理后的非晶带巨磁阻抗效应的影响。结果表明,该非晶带的特征频率为1.4 MHz。最大巨磁阻抗所对应的磁场随激励电流频率的增加逐渐向高磁场方向移动。     

SOFT MAGNETIC PROPERTIES AND GIANT MAGNETOIMPEDANCE EFFECT IN MAGNETIC FIELD–DEPOSITED FeCuCrVSiB FILMS

采用射频溅射法, 在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品, 对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析. 结果表明, 在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能, 与无磁场沉积态相比, 样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m, 在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%. GMI效应与磁导率比的大小密切相关. 无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应, 而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应. 在13 MHz 的频率下, 最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%. 这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性.     

Influence of Aspect Ratio on Giant Magnetoimpedance Effect for Fe_(67)Co_(18)Si_(11)B_4 Amorphous Ribbons

The effect of sample geometry aspect ratio(l/w)on the giant magnetoimpedance(GMI)in Fe_(67)Co_(18)Si_(11)B_4amorphous ribbons was investigated systematically.The GMI profiles were measured as a function of the external magnetic field at different frequencies up to 110 MHz.The results show that there exists a critical aspect ratio((l/w)_0=5.4)below which the maximum GMI effect and sensitivity g decrease with decreasing l/w and above which the maximum GMI effect keeps almost constant and g decreases with increasing l/w.The observed dependence on aspect ratio as(l/w)\(l/w)_0is correlated with the magnetization process:Complex domain structures emerged near the ribbon ends to decrease the magnetostatic energy,modify the transverse permeability and consequently GMI response.Contributions from transverse permeability and resistance may dominantly determine the change of GMI effect as(l/w)[(l/w)_0.