薄膜沉积中基片的清洗方法探讨

随着科学技术的发展，人们对材料的性能要求也愈来愈严格，有些性能往往很难用常规的工艺手段同时在一种材料母体上实现，因而用气相沉积的方法如化学气相沉积（ＣＶＤ）、物理气相沉积（ＰＶＤ）等在材料表面上涂敷一层薄膜是赋于材料某些特殊的功能的一种比较理想的途径...     

海外文献速递

涂层与薄膜技术９９０４００１用物理气相沉积（ＰＶＤ）技术制备耐蚀薄膜———ＳｈａｗＢ．ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＣｏｒｏｓｉｏｎ,１９９７,３１１（英文）物理气相沉积（ＰＶＤ）技术（如溅射、蒸镀等）越来越普遍用于提高特殊工程零部件的表面性能,包...     

WC-Co硬质合金表面MW-PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究

研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比，微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢－氧等离子体处理方式具有独特的优越性。     

WC—Co硬质合金表面MW—PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究

研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比，微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢－氧等离子体处理方式具有独特的优越性。     

DC-PCVD法沉积的非晶态氮化硅的结构与性能研究

对用直流等离子体化学气相沉积（ＤＣ－ＰＣＶＤ）法得到的非晶态氮化硅薄膜结构与性能进行了研究。对氮化硅薄膜的表面显微硬度和剖面显微硬度进行了测试，并对非晶态氮化硅硬度高于晶态氮化硅硬度的原因进行了探讨     

等离子体化学气相沉积法及其最新发展

本文将对等离子体的性质、等离子体对化学气相沉积的作用、ＰＣＶＤ反应器以及 新近发展起来的微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）的特点和应用作一综述。期 望引起国内同行对这一崭新领域的关注，把我国ＰＣＶＤ特别是ＭＰＣＶＤ的研究工 作推向前进。     

等离子体化学气相沉积TiN涂层的后热处理技术研究

为了提高等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）涂层的质量,改善基体材料的机械性能,更好地发挥ＰＣＶＤ硬质涂层的使用效果,采用先沉积后热处理的新工艺。结构表明,热处理温度对ＰＣＶＤ－ＴｉＮ涂层的化学成分、显微结构和性能有较大的影响。随着处理温度的提高,涂层的结果度得到大幅度的改善,涂层内的杂质氯含量降低,涂层的（２００）晶面距减小,但在９００℃时,ＰＣＶＤ－ＴｉＮ涂层的显微硬度有一个最低值。     

CVD法与PCVD法TiN薄膜研究

用等离子增强化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法和化学气相沉积（ＣＶＤ）法分别制备ＴiV系薄膜。采用扫描电镜、Ｘ射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能,研究表明,PCVD法ＴiN系薄膜的微观组织形态明显优于同类的ＣＶＤ法薄膜,ＰＣＶＤ法薄膜晶粒尺寸细小,均匀,形态圆整,组织致密;ＣＶＤ法薄膜晶粒形态为多边形,尺寸较粗大、不均匀,组织致密性差,ＰＣＶＤ法ＴiN系薄膜的声望生和结合力等力学性能可达或优于同类ＣＶＤ法薄膜,虽然ＰＣＶＤ法薄膜的氯含量（约为２％）远主ＣＶＤ法薄膜（约为０．５％）,但ＰＣＶＤ法薄膜的耐蚀性能却明显优于ＣＶＤ法薄膜,还研究分析了ＰＣＶＤ法和ＣＶＤ法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理。     

新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置

微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积，在国内首次研制成功了５ｋＷ带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式ＭＰＣＶＤ装置。初步用该装置成功在硅基片上沉积得到了金刚石薄膜。     

用EACVD方法合成金刚石薄膜

本文报道了用电子助进化学气相沉积（ＥＡＣＶＤ）方法合成金刚石膜的结果．用ｘ射线衍射喇曼散射和扫描电子显微镜等对合成的薄膜的性质及形貌进行了鉴定和观察，给出合成金刚石膜的工艺参数范围并简要讨论了工艺条件对膜合成的影响。主题词；电子助进化学气相沉积（ＥＡＣＶＤ）低温等离子体　金刚石膜国家自然科学基金资助课题     

等离子化学气相沉积氮化钛在高速钢精密轴承上的应用

报道了等离子化学气相沉积氮化钛工艺在高速钢精密轴承上的应用。试验结果证明，ＰＣＶＤ－ＴｉＮ具有良好的表面复形能力和良好的绕镀性。该镀层在２００－４００℃大气中具有良好的耐蚀和抗热震性能。它可用于高速钢精密轴承等加工精度高的工件的表面处理。     

在DC—PCVD阴阳极上沉积氮化硅薄膜

置于直流等离子体化学气相沉积（ＤＣ－ＰＣＶＤ）装置的阴极或阳极的２０、２０Ｃｒ、ＧＣｒ１５及２Ｃｒ１３钢，以及单晶硅材料的试样均可沉积获得以Ｓｉ２Ｎ４成为主要成分的非晶态的绝缘薄膜。这种膜有一定制作条件，讨论了阴阳极上试样都能获得这种膜的原因。     

含Fe聚合物混合薄膜的制备

采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积技术（ＰＥＭＯＣＶＤ）制备含Ｆｅ聚合物混合薄膜，系统考查了偏压，源物加工热电压，沉积位置对膜沉积的影响，对膜的组成和结构进行了研究。     

化学气相沉积法在碳纤维复合材料领域的应用

化学气相沉积法在碳纤维复合材料领域的应用宋丽萍，张蓬洲（中国科学院山西煤炭化学研究所）１．前言化学气相沉积法（ＣＶＤ）是近一、二十年发展起来的制备无机材料的新技术，该法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。它们的物...     

APCVD制备氮化硅薄膜的微观结构

以ＳｉＨ４和ＮＨ３作为反应气体,用常压化学气相沉积（ＡＰＣＶＤ）法在平板玻璃表面制备出了氮化硅薄膜,研究氮化硅薄膜的形貌和微观结构,研究结果表明：在６６０℃温度所获得的氮化硅薄膜为非晶态,氮化硅薄膜与平板玻璃基板之间的界有熔焊现象,结合牢固。     

ECR—PECVD制备Si3N4硬质陶瓷薄膜的研究

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ）技术制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜。利用显微硬度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面微硬度。由摩擦测试机对ＳｉＮ４薄膜的摩擦性能进行了测试分析。结果表明，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的摩擦系数和单位时间的磨损量较小，该膜具有良好的耐磨性和耐划伤能力。     

LCDV法沉积Si3N4薄膜微透镜的研究

介绍了一种利用激光化学气相沉积技术，在平面石英玻璃衬底上沉积平凸形Ｓｉ３Ｎ４球面介质膜用作微透镜，包括ＬＣＶＤ的实验装置及其沉积工艺，实验结果表明，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的聚集激光光斑尺寸，选择适当的沉积时间，就可以获得不同直径、透明、表面光滑的Ｓｉ３Ｎ４球面介质膜，用作微透镜。     

PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究

利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．     

沉积气压对MW—PCVD制备金刚石薄膜的影响

利用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）实验装置研究了不同沉积气压对金刚石薄膜沉积结果的影响。扫描电子显微镜（ＳＥＭ）显微形貌观察及喇曼光谱（ＲＡＭＡＮ）分析表明沉积气压的提高有利于改善ＭＷ－ＰＣＶＤ制备金刚石薄膜的质量。     

Si对TiSiN膜组成结构的影响

报告了等离子化学气相沉积（ＰＣＶＤ）硬膜ＴｉＳｉＮ中Ｓｉ对膜的影响。沉积膜经过电子探针（ＥＭＰＡ）、扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ射线（ＸＲＤ）和Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）分析。实验表明,在ＴｉＮ的气相沉积中加入少量Ｓｉ可以明显改善膜的结构和组成。