本期主题索引

伴音系统 一电路分析00785半导体薄膜 一电特性00048 一特性00047半导体波导 一特性00469半导体材料00046 一光学性质00045半导体工艺00323 00325 一国际会议00324 一综述00321半导体激光器01363 一动态特性00224 一功能结构00221 一特征00221半导体技术 一发展01095 一有效性分析00501半导体开关 一单片电路00248半导体器件00330 一热工测量00246 一失效分析00025 一体效应0D247半导体收音机 一加速寿命试验00031办公室自动化01231薄膜 一厚度测量00903 一铁电材料00038 00042 一制备00083薄膜电容器 一可靠性设计00096 一设计00095 一生…     

一九八○年国际学术会议、展览会一览表

】980年国际学术会,厕览会一览表all*all*all*all*all*all*all*all*all*all*第9次计算机展览会激光和电一光学系统会议第23届国际电子器件展览会第27次应用物理讨论会国际可靠性物理会议IEEE国际电路和系统会议第30届电子计算机会议-;第2次国际微型计算机应用会议国际通信会议(ICC)自动化设计会议第15次国际半导体物理会议第8次世界计算机会议 一九八○年国际学术会议、展览会一览表@黄子伦     

新型的半导体激光器保护电路

根据半导体激光器的特性,设计了一套新型的保护电路系统,利用有效的滤波电路、防浪涌保护电路、慢启动电路、过流过压保护电路及精密温控电路,较大地改进了半导体激光器电源的可靠性,提高了半导体激光器的输出稳定性,延长了激光器的使用寿命。该保护系统具有性能可靠、结构简单、成本低廉等优点。     

厚膜功率电路的失效分析

<正> 自一九七四年金华会议提出研究厚薄膜电路的可靠性以来,我国的厚薄膜电路在提高电路的可靠性方面已经取得了不小的效果。本文将结合我厂生产的厚膜稳压电源(HWY)对厚膜功率电路的失效作一粗浅     

第21届国际半导体物理会议在北京举行

<正>1992年8月10日至14日,在北京国贸中心中国大饭店举行了第21届国际半导体物理会议(ICPS-21)。从1950年开始,国际半导体物理会议每两年举行一次,是全世界半导体物理领域最高水平的学术会议。本届会议由我国半导体物理学家谢希德教授担任主席。由于她本人和国内外许多知名科学家几年来的不懈努力,终于使这一国际学术界的盛会得以首次在中国举行。     

四面体键无定形半导体国际会议简讯

<正> 今年3月 12-14日在美国Arizona州召开了关于四面体键无定形半导体国际讨论会.来自美、日、德、法、加等各国的160余名代表参加了会议,共有报告70余篇.会议集中研讨了无定形硅薄膜材料的制备和结构特点,以及无定形硅中载流子的特性.     

2012国际固态电路会议北京推介会成功举办

2012年国际固态电路会议（ISSCC2012）北京推介会日前在北京清华大学成功召开。ISSCC（International Solid—State Circuits Conference国际崮态电路会议）始于1953年,每年一届,是由IEEE固态电路协会（SSCS）主办的著名半导体集成电路国际学术会议。     

第52届国际固态电路会议即将召开

第52届国际固态电路会议（ISSCC2005）将于2005年2月6日-10日在美国旧金山举行。ISSCC (Intemational Solid-State Circuit Conference:国际固态电路会议)开始于1953年，每年一届，是由IEEE固态电路协会(SSCS)主办的著名半导体集成电路技术国际会议。它也是世界上规模最大、水平最高的固态电路国际会议．     

半导体技术

TN3OI,TB43 00050361G aAs/srTIO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究/陈益栋,刘兴权,陆卫,史国良,沈学础(中科院上海技物所红外物理国家实验室)11物理学报.一1999,4s(9).一1718一1722报道了在钙钦矿型结构的SrTIO3衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的G aAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法,研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁,并与通常的G aAs体材料特性进行了对比研究.结果表明,在钙钦矿型结构SrTIO3衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性、在带间跃迁的弛豫上,外延薄膜相对体材料大了…     

半导体纳米结构的新光电子学性质

纳米光子学国际会议于 1 999年 3月在俄罗斯科学院微结构物理研究所的所在地下诺夫戈罗德举行。这已是有关半导体纳米结构物理的第二次会议。第一次会议于 1 998年召开。会上讨论两个方向的现状。第一 ,与以硅 (Si Ge、Si/A3B5、Si/Ge/C、Si/Ge/Sn、Si/Si O2 量子阱和量子点 )、多孔硅和含有稀土元素的纳米晶体硅为基础的异质结构的光电子学性质基础有关的物理现象 ,相应的纳米结构生长工艺和特性 ;第二 ,在具有量子阱的半导体结构中的热载流子在强电场和磁场中的非平衡、反转分布及带内光学跃迁的物理问题 ,包括反转机理和在中、远红…     

可靠性工程与环境工程

Y2002-63138 02124552001年 IEEE 国际可靠性物理会议录=2001 IEEE in-ternational reliability physics symposium proceedings[会,英]/IEEE Electron Devices Society and the IEEE Relia-bility Society.—2001.—464P.(E)本会议录收集了于2001年4月30日～5月3日在佛罗里达州 Orlando 召开的可靠性物理会议上发表的66篇论文,内容涉及半导体产品可靠性,微电子机     

其它材料

SPIE-Vol.4086 0224453SPIE 会议录,卷4086:薄膜物理与应用=Proceedingsof SPIE,Vol.4086:Thin film physics and applications[会,英]/Chinese Physical Society.—887P.(E)本会议录收集了在上海召开的薄膜物理与应用会议上发表的200篇论文,内容涉及半导体薄膜,金属薄膜,金属氧化物薄膜,磁性薄膜超导体薄膜,绝缘体薄     

ISSCC2005在京召开介绍会

每年一届的ISSCC(International Solid—State Circuits Conference：国际固态电路会议)开始于1953年，是由IEEE固态电路协会(SSCS)主办的最著名的半导体集成电路技术国际会议。也是世界上规模最大、水平最高的固态电路国际会议，每届会议都有来自世界各地的约3000名技术、产业届人士参加，各个时期国际上最尖端的固态电路技术(例如第一片集成电路)通常首先在这一会议上发表。     

2013年国际固态电路会议简介

定于2013年2月17～21日在美国加州旧金山召开的"ISSCC(国际固态电路会议)2013"将迎来它第60届会议,被称为"半导体奥林匹克"的ISSCC是"半导体集成电路技术领域最权威的国际会议",它预示了半导体重要技术和世界各地的发展动态。     

用于红外焦平面阵列的等效像元电路设计

提出了一种用于300×400红外焦平面阵列读出电路的等效像元电路结构。该电路与氧化钒(VOx薄膜)制成的微机械系统(MEMS)的电特性等效,并能够模拟MEMS像元改变时支路电流的变化。红外面阵探测器读出电路在流片后,生长MEMS物理结构(VOx薄膜)前,该等效像元电路结构用于读出电路的电性能测试,从而剔除不良品,减少封装成本。该电路采用了Global Foundry 0.35μm工艺设计并流片。测试结果表明,当积分电流为0~200nA时,该等效像元电路的电性能与MEMS像元一致。     

新品展台

JR全新MOSFET具备快速本体 二极管特性 功率半导体专家国际整流器公司目前推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具备快速本体二极管特性,专为零电压开关(ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源(SMPS)电路中实现最大效率,并能提高功率输出,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信     

2014国际固态电路会议（ISSCC2014）新闻发布会在北京召开

2014年国际固态电路会议（ISSCC2014）北京新闻发布会日前在北京清华大学召开。ISSCC（International Solid-StateCircuitsConference）始于1953年,每年一届,是由IEEE固态电路协会（SSCS）丰办的著名半导体集成电路国际学术会议。     

厚薄膜技术交流会在北京召开

<正> 电子工业部厚薄膜电路专业科技情报网厚薄膜电路技术交流会于1982年6月10日—17日在北京召开,参加会议的共27个单位53名代表。除网内的单位外,中科院半导体所、北京航空学院,北京半导体器件二厂,774厂等从事半导体器件和专用设备的科研、生产     

2012国际固态电路会议（1SSCC2012）北京推介会召开

2012年国际嘲态电路会议（ISSCC2012）北京推介会近日在北京清华大学成功召开。ISSCC（International Solid—State Circuits Conference闲际咖态电路会议）始于1953年，每年一届，是由IEEE同态电路协会（SSCS）主办的最著名的半导体集成电路闫际学术会议。     

二维四涡卷混沌电路的设计及实现

为了设计二维多涡卷混沌系统,以状态变量x,y的阈值为切换规则,构建了二维四涡卷混沌系统,仿真并实现了物理混沌电路,分析了系统的混沌特性,设计了一个保密通信电路,实现了对信息信号的保密,结果表明混沌电路设计的正确性和有效性。