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1.
VLMW82xx系列是采用CLCC-2扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMDLED。VLMw82xx器件具有20K／w的低热阻以及9000～18000mcd的高光功率,主要面向热敏应用。 相似文献
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白光功率SMD LED SMD LED VLMW63系列和VLMW64系列是采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装的高强度白光功率。上述系列器件均提供基于蓝宝石InGaN/TAG技术、2240～5600mcd的高光功率。新型VLMW63系列采用 相似文献
3.
VLMK82与VLMY82 LED采用CLCC－2扁平陶瓷封装且具有400mA驱动电流，是高强度淡黄色及黄色功率SMDLED系列。该系列SMDLED器件具有0．75mm的超薄厚度，20K／W的低热阻以及5600～14000mcd的高光功率，主要面向热敏应用。 相似文献
4.
口前,Vishay Intertechnology,Inc．推出业界首款采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMD LED——VLMW63．．系列和VLMW64..系列。上述系列器件均提供基于蓝宝石InGaN／TAG技术、2240mcd至5600mcd的高光功率。 相似文献
5.
SMD LED VLMW611/VLMW621系列采用InGan技术且具有低电阻及高光功率的两个新系列暖白色SMDLED。VLMW611系列采用CLCC-6普通封装,而VLMW621系列采用的是厚度仅有0．9mm的CLCC-6扁平封装。它们的低热阻可使这些器件作为实现最大光输出所需的额外电流驱动,同时保持长达50000小时的使用寿命。 相似文献
6.
Vishay Intertechnology,Inc．日前推出业界首款采用CLCC-2扁平陶瓷封装的、高强度白光功率SMDI正D系列发光二极管产品。这种十分坚固耐用且具有高发光效率的VLMW82..器件具有20K／W的低热阻以及9000mcd-18000mcd的高光功率,主要面向热敏应用。 相似文献
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Vishay Intertechnology,Ine．推出通过AEC—Q101汽车认证的1W自然白光LED—VLMW711T3U2US。该款产品具有非常高的亮度和紧凑的封装外形,壮大了Little Star系列SMD功率LED家族的阵容。VLMW711T3U2US LED使用InGaN技术．并具有10K／W的低热阻和高发光强度,可用于各种各样的应用。 相似文献
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Vishay为其Little Star系列LED增添了一个新成员—通过汽车行业标准认证的1W白光LED Little Star VLMW711U2U3XV,该LED器件将超高亮度和紧凑的封装外形集于一身。Little Star VLMW711U2U3XV具有低热阻和高发光强度,适用于各种各样的应用。 相似文献
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Vishoy推出采用InGon技术且具有低电阻及高光功率的两个新系列暖白色SMDLED。VLMW611系列采用CLCC-6普通封装,而VLMW621系列采用O．9mmCLCC-6扁平封装。 相似文献
10.
Vishay Intertechnology．Inc．推出采用InGan技术具有低电阻及高光功率的两个新系列暖白色SMDLED。VLMW611系列采用CLCC-6普通封装,而VLMW621系列采用的是厚度仅有0．9mm的业界最薄的CLCC-6扁平封装。 相似文献
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Vishay推出采用CLCC-2扁平陶瓷封装且具有400mA驱动电流的高强度淡黄色及黄色功率SMD LED系列VLMK82与VLMY82器件。该系列SMD LED器件具有20K/ W的低热阻以及5600mcd-14000mcd的高光功率,主要面向热敏应用。 相似文献
12.
日前，Vishay宣布推出新系列功率表面贴装LED，这些器件极大的改进了散热与亮度。新型VLMx32xx器件采用带引线框的PLCC4封装，该封装专为提供低至290K／W的超低热阻及高达200mW的功耗而进行了优化，可实现高达70mA的高驱动电流，从而比现有的SMDLED产品的亮度提高了一倍。 相似文献
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Little Star VLMW711U2U3XVLED器件将超高亮度和紧凑的封装外形集于一身,具有低热阻和高发光强度,为通用照明、消费类等需要高光通量的通用应用进行了优化,可以替代传统的白炽灯,典型的终端产品将包括街道和通用照明,以及日间行驶灯等汽车应用。 相似文献
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Vishay宣布推出新系列功率表面贴装LED,这些器件极大的改进了散热与亮度。新型VLMx32xx器件采用带引线框的PLCC4封装,该封装专为提供低至290K／W的超低热阻及高达200mW的功耗而进行了优化,可实现高达70mA的高驱动电流,从而比现有的SMDLED产品的亮度提高了一倍。对于汽车应用,VLMx32xx器件已通过AEC—Q101汽车标准认证。 相似文献
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Vishay推出新系列功率表面贴装LED，这些器件极大的改进了散热与亮度。新型VLMx32xx器件采用带引线框的PLCC4封装，该封装专为提供低至290k／W的超低热阻及高达200mW的功耗而进行了优化，可实现高达70mA的高驱动电流，从而比现有的SMDLED产品的亮度提高了一倍。对于汽车应用，VLMx32xx器件已通过AEC—Q101汽车标准认证。 相似文献
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Diodes公司推出高压超势垒整流器系列的第一款器件SBR10U200P5。该系列采用热效率和紧凑的专有PowerDI5封装,具有卓越的超低热阻,使SBR10U200P5能以减少40％的占位面积，实现双倍的功率密度。 相似文献
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Diodes公司推出高压超势垒整流器（Super Barrier Rectifier，简称SBR）系列的第一款器件SBR10U200P5。该系列采用热效率和紧凑的专有Power-D15封装，具有卓越的超低热阻，因此可减少40％的占位面积，实现双倍的功率密度。 相似文献
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Diodes公司推出高压超势垒整流器(Super Barrier Rectifier,简称SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5.该系列采用热效率和紧凑的专有PowerD15封装,具有卓越的超低热阻,因此可减少40%的占位面积.实现双倍的功率密度. 相似文献
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目前，意法半导体有限公司（SGS－THOMSOM）Microelectronics）研制了一种采用最小平面支撑封装SOT－223的系列低功率MOSFET。STN×N××器件是N通道增强模式MOS－FET，能在雪崩状态抵抗高能脉冲，是用于硬盘驱动器、DC／DC转换器、电源及小马达电流传感电路的理想元件。该系列 相似文献
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Vishay公司推出17款新型功率MOSFET,这些器件采用小型PowerPAK12128封装,具有低至3.7mΩ的超低导通电阻值。主要面向用于数据通信系统的负载点(POL)转换器及高密度DC-DC变换器中的同步整流、同步降压及中间开关应用。这些TrenchFET第二代器件的尺寸仅为3.3mm×3.3mm×1mm,仅是SO8封装的1/3,同时还具有不足2℃/W的低热阻,这一热阻值比SO8器件低8倍。采用PowerPAK 1212 8封装的新型功率MOSFET 相似文献
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