功率半导体器件少子寿命测试仪

采用线性电流变化法，对功率半导体器件少子寿命测试仪的研制进行了说明，并给出了主要技术参数。该仪器可对整流管、晶闸管及功率晶体管的Ｎ基区小注入下的寿命进行测量，通过τｐ大＝２τｐ小可得到整流管、晶闸管大注入下的少子寿命。     

再论军用半导体器件的贮存期及“延寿试验”

本文讨论了军用半导体器件的贮存失效率模型、贮存失效率曲线、贮存数据和“延寿试验”．再次阐明超过贮存期的器件只要进行必要的“延寿试验”，试验合格的产品仍可交付使用。     

半导体器件的贮存寿命

从失效机理出发,探讨了半导体器件的贮存寿命,提供了三种美国军用半导体器件长期贮存的实例.介绍了俄罗斯的规范,建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订.     

基于失效机理的半导体器件寿命模型研究

微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要,为了在较短的时间内得到产品可靠性数据,使用加速寿命试验是十分有效的方法.而使用加速寿命试验进行可靠性分析,关键是能够得到合适的寿命模型.不同的失效机理对器件寿命的影响是不同的.详细考虑了半导体器件的3个主要失效机理:电迁移、腐蚀和热载流子注入的影响因素,介绍了相应的寿命模型,并且通过具体的数据计算所得到的加速因子,对半导体器件在不同状态下的寿命情况进行了比较.     

功率半导体器件综述

过去卅年间,电力电子器件的发展同功率半导体器件的进展是分不开的,因为几乎在电力电子器件的每个应用中,功率半导体器件都是关键性的。当人们把集成电路的硅片加工方法运用于功率器件的设计和制造之后,功率器件的设计便出现了一个新的分支,这就是用MOS门控结构来制作各种新型的传统器件。本文考查了功率器件的某些基本特性,并研究了它们对不久前采用的硅片加工技术可能造成的影响。     

半导体器件贮存可靠性快速评价方法

为解决复杂环境下半导体器件的贮存可靠性评估问题,结合半导体器件的贮存失效机理及其寿命-应力模型,提出了基于多贮存应力加速寿命试验的半导体器件贮存可靠性评估方法。在此基础上,以某款中频对数放大电路为研究对象,通过对加速寿命试验结果的分析,获得了电路在规定贮存时间下的可靠度。     

基于失效机理的半导体器件寿命模型研究

为了探讨不同失效机理对元器件寿命的不同影响.文中分析了半导体器件的三个主要失效机理(电迁移、腐蚀和热载流子注入)的影响因素及寿命模型,并通过具体数据计算分析了加速因子对不同状态下半导体器件寿命所产生的影响.     

电力半导体器件的发展及应用

本文综述论述了电力半导体器件在电力变换上的应用以及当前电力半导体器件的技术水平和未来发展方向。     

"半导体器件物理"的教学探讨

"半导体器件物理"是微电子专业和电子科学与技术专业的核心基础课,是联系半导体物理和集成电路的关键环节.在工程教育背景下,本文从教学内容、教学方法和手段、实践教学等方面进行了深入的探讨.该教学模式可以降低理论学习的难度,实现理论教学和自主学习相结合,提高教学质量.     

半导体器件失效率的讨论

1.失效率定义 失效率是表征半导体器件可靠性的最重要指标之一。它以字母λ(t)表示,它表示半导体器件工作到时刻t的条件下,单位时间内的失效概率。失效率有三种表示单位:一是每小时10的负几次方,例如1×10~(-6)/小时,国内常以此单位表示;二是每小时的百分数(％/小时)或每千小时的百分数(％/千小时);三是Fit(菲特),1Fit=1×10~(-9)/小时,即10亿个元器件每小时内只允许1个半导体器件失效,国     

汽车电子化与半导体器件

在机械工业的各个领域里,机械与电子结合实施机电一体化,这不仅实现了机械产品的多功能化,也为电子产品尤其是半导体器件提供了新的市场和需求。汽车电子化是机械与电子结合实施机电一体化的重要领域,它在很大程度上依赖于半导体技术的进步。自1960年汽     

半导体器件的发展动态

本文首先对国内半导体分立器件和半导体集成电路的质量水平做了估价,接着进行了国内半导体器件市场分析,讨论了器件销售所面临的困难和造成困难的原因,探讨了器件生产厂家的出路和发展方向,并对国产器件所存在的问题做了评述。文中还对半导体器件引进生产线情况做了介绍。本文在概述了分立器件的发展方向之后,重点阐述国内半导体集成电路的发展动态(我国IC工业发展现状、国内生产IC的主要品种、“七五”期间IC工业的发展及ASIC),并对国外IC发展动态做了扼要说明。     

金刚石用于半导体器件的探索

宝石之王“金刚石”在工业应用中的尝试是旧课题又是新课题,人造金刚石已大量上市,若金刚石能用作半导体器件其影响将相当大,怎样才能实用化?其障碍何在?5年后能否实用化?实际的探索仍在继续。