一种低磁化电流铁氧体移相器的研究

从理论上分析了双线磁化移相器的原理,并进行了实验验证,得出了双线磁化移相器比单线移相器有明显的优越性,其磁化电流是单线移相器的一半。文中列举了典型双线移相器的性能,其磁化峰值电流只需６～７Ａ,而其他性能没有明显变化,这对于相控阵雷达波控器和激励器长期、可靠、稳定地工作是一很好的措施。     

微波MEMS移相器的特性分析与实现

从移相器的基本原理出发,分别介绍了开关线型、耦合器型和加载线型三种采用微机械加工技术制备而成的微波MEMS移相器的结构特点和工作原理。在此基础上,设计制备了CPW分布式加载线型MEMS移相器,并进行测试和分析,结果表明MEMS移相器较传统的移相器有微型化、低损耗、低成本、宽带等突出优点。     

一种铁氧体移相器控制系统的设计

首先,阐述了一种铁氧体移相器控制系统,包含波控与移相器驱动电路两部分;然后,由项目设计角度出发,详细介绍了基于FPGA的波控电路设计方法,以及移相器位数与单位脉宽的关系;最后,阐明了移相器工作原理和移相器驱动电路的构成.     

微波和毫米波铁氧体移相器

本文详细论述了微波频段普遍使用的三种铁氧体移相器(即双环铁氧体移相器、双模铁氧体移相器和旋转场铁氧体移相器)的性能,讨论了由铁氧体饱和磁化强度值所确定的这三种器件的使用频率。     

毫米波MEMS移相器模块用驱动电路研究

设计了一种4 bit毫米波MEMS移相器驱动电路,主要由24 bit串并转换电路、高压控制电路和升压电路组成。利用24 bit串并转换电路和高压控制电路,实现了波控机控制系统与MEMS移相器的接口转换,满足毫米波MEMS移相器对正反相驱动电压的要求。采用升压电路,实现了5 V电压向80 V毫米波MEMS移相器驱动电压的DC/DC转换。测试结果表明,设计的MEMS移相器驱动电路实现了对4 bit MEMS移相器的16态相移控制,驱动电路的静态电流仅为12.4 mA@5 V,满足了毫米波MEMS移相器对驱动信号的要求和相控阵天线演示系统对低功耗的要求,解决了毫米波MEMS移相器低成本驱动问题。     

太赫兹移相器研究现状

作为太赫兹(THz)相控阵的关键组件,实现实用的THz移相器是亟待解决的热点难题。本文以太赫兹移相器的实现手段为中心,着重介绍了依靠材料特性的液晶移相器和石墨烯移相器以及借助先进工艺技术的微机电系统(MEMS)移相器和InP基底移相器,并从应用角度分析比较了不同实现方法的优势和存在的问题。另外,本文还对MEMS技术实现较低频段太赫兹移相器的可行性和发展前景进行了剖析,阐明其制约因素和技术难点。     

光子学射频移相器的研究及进展

本文介绍了光实时延迟线移相器、光学外差SSB射频移相器和基于矢量和技术的光子学射频移相器,并对其各自的工作原理和技术特点做了分析.     

过尺寸毫米波圆极化移相器

毫米波铁氧体移相器由于尺寸很小，铁氧体材料的脆性很大给加工和装配这种移相器带来很大困难。本文提出在毫米波移相器中采用过尺寸波导，使移相器截面尺寸增大了1．56倍，从而大大降低这种移相器的加工、装配困难，使整个相控阵天线的成本得以降低。     

一种移相器快速化测试系统的设计

随着相控阵雷达技术的迅猛发展,在大型天馈线系统中铁氧体移相器得以大规模应用,相应地,提高铁氧体移相器测试生产效率以满足日益增长的需求已成为许多移相器生产厂家的努力方向。文中针对某一锁式铁氧体移相器组件,设计了一种快速化测试系统,通过与之前未使用测试系统对比,满足移相器的测试要求。该测试系统大大提升了移相器测试效率,同时,该测试系统设计思路同样可应用于其他种类铁氧体器件测试,从而提高了铁氧体器件批产能力。     

移相器对电调天线的影响分析

作为电调天线最核心的部件,移相器的选择将直接影响到天线整机的性能.目前,基站天线行业普遍使用的移相器主要有以下两种类型:介质移相器、带线耦合移相器.重点针对介质移相器和带线耦合移相器进行分析,研究探讨其对天线整机性能的影响,以及在设计和应用移相器的过程中需要关注的要点,为电调天线的设计和进一步发展提供参考.     

薄壁钛合金Reggia-Spencer移相器的结构实现

Reggia-Spencer移相器是最早用于相控阵雷达的铁氧体移相器,属于矩形波导互易移相器,在早期的应用中结构较为笨重。文中选择质量轻、强度高又耐腐蚀的钛合金作为波导材料,并与采用铝合金和钛合金合成的波导结构相比,结果证明全钛合金薄壁式波导结构更加满足机载移相器小型轻巧的设计要求,达到了此类移相器目前最优结构设计方法。     

双模铁氧体器件的理论和设计(一)

本文从复合磁化场双模铁氧体变极化方程出发，研究各种双模器件的工作原理，包括V／Φ型和V／F型全极化器，双模旋转场器件。对双模移相器、旋转场移相器、圆极化移相器的相移／极化相关性作了深入讨论，并分析了移相器的精度问题。     

集成光学移相器波长相关性的比较研究

移相器是一种常用的集成光学结构,其相移值的波长相关性决定了移相器的工作波长范围。针对移相器的波长相关性,文中对两种集成光学移相器设计方案（长度差方案和折射率差方案）所设计的二氧化硅基集成光学移相器进行了实验研究。在马赫-曾德尔干涉仪（MZI）的两干涉臂之间,采用两种移相方案分别设计制作180移相器,通过测试MZI的插入损耗与波长的依赖关系对两种移相器的波长相关性进行了比较。研究结果显示,折射率差方案所设计移相器的工作波长范围大约是长度差方案的1.8~1.9倍。这一实验结果与理论计算吻合,证明了折射率差方案设计的移相器的相移值波长相关性更小,因而具有更宽的工作波长范围。     

宽带可变移相器

本文对5—200M Hz宽带相位噪声测试设备中所需的宽带移相器进行了分析,提出了一种电路简单、性能优良的宽带移相器。理论分析和实验结果表明,该移相器能给出5—200M Hz频带内0—180°的相移,从而实现内接移相器进行相位噪声和信噪比的测量.     

交直流隔离的分布式MEMS移相器设计

设计了一种五位分布式微电子机械系统（MEMS）移相器,通过分析对比传统分布式MEMS移相器加载直流偏置的两种方式,提出了一种新的直流偏置的加载方式,能解决传统方式带来的交直流干扰和引线繁杂问题,同时工艺容易实现。采用ADS软件对移相器进行级联仿真,优化了微波性能参数,仿真得出移相器在35 GHz时移相精确度小于3°,移相器的插入损耗小于0.5 dB,回波损耗大于23 dB。给出了五位分布式MEMS移相器的工艺流程,同时验证了所设计加载直流偏置方式工艺简单的优势。     

数字式移相器电路研究

作为相控阵雷达的基本单元和关键模块,数字式移相器一直是现代微波电路研究的重点。本文分析了移相器的发展动态,总结了数字式移相器的主要电路结构,给出了电路的基本工作原理,并讨论了各种电路结构的特点和适用范围,对现代数字式移相器设计具有重要的指导意义。     

宽频带L波段360°模拟信号移相器的设计

该文介绍了宽频带360°模拟移相器的设计理论。针对移相器的线性调相、平衡插入损耗波动、宽频带等进行了详细的探讨,且推导出确定移相器频带宽度的目标函数。用CAD方法迅速而准确地优化各网络设计参量。采用微波集成电路工艺制作的L波段模拟移相器在1.3～2.1GHz范围内可获得360°连续可变相移,最大调相电压18V,中心频率线性度优于±2.5％,插入损耗波动小于3dB。综合性能均优于国内报道的移相器。     

基于MEMS技术的射频移相器

微波与毫米波移相器是通讯和雷达应用上相控阵天线的基本单元，MEMS技术的引入提供了一个在移相器设计中用最小损耗的开关来大量减少移相器插入损耗的方法，该方法可以降低器件的功耗，改善插入损耗、隔离度、频带宽度等性能。相比于GaAs移相器，基于MEMS开关的射频移相器，无论是开关线型、分布式或是反射型，都有很好的RF性能。     

空间馈电相控阵天线数字移相器相位控制位数的选择

数字移相器是相控阵雷达的关键器件。它的相位控制位数在很大程度上决定了相控阵雷达的造价、性能和设备的复杂性。因此,在制定相控阵雷达方案时,合理地选择二进制数字移相器的相位控制位数是个关键性的问题。二进制数字移相器结构简单,相移量稳定,而且它的激励器容易制造,并便于受二进制的数字式波束控制电子计算机的控制。由于采用了数字移相器,它只能产生某个最小相位360°/2~n的整倍数的相移量(n为数字移相器的相位控制位数,简称位数)。不是任何相移值都能在数字移相器上准确地移出。因此,为了实现波束相位扫描、赋形和相位加权,对于相控阵天线中各个单元移相器所需移出的相位值必须进行“量化”才能在数字移相器上实现,这就会出现相位量化误差。相位误差周期性地重复出现,会     

三公分压缩波导铁氧体移相器

在X波段分析计算了铁氧体移相器中高次模的归一化截止频率随移相器横向结构尺寸的变化规律;设计制做了三公分压缩波导铁氧体移相器,其性能测量结果与理论相符。