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《电子工业专用设备》1995,(4)
ＮＥＣ、日立在ＩＳＳＣＣ上发表１ＧＤＲＡＭ据ＩＳＳＣＣ’９５的发表内容，ＮＥＣ、日立已经在世界上率先开发了１ＧＤＲＡＭ。ＮＥＣ开发的１ＧＤＲＡＭ的特点是，采用０．２μｍ电子束曝光技术和钽氧化膜低温（５００℃）工艺技术以０．２５μｍＣＭＯＳ工艺，存贮单... 相似文献
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Zhang Hongfen 《中国邮电高校学报(英文版)》1995,(2)
ＡｎＳｉｍｐｌｅＥｎｕｍｅｒａｔｉｏｎｏｆＡｌｌＭｉｎｉｍａｌＣｕｔｓｅｔｓｏｆａｎＡｌｌ－ＴｅｒｍｉｎａｌＧｒａｐｈＺｈａｎｇＨｏｎｇｆｅｎ（ＳｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇＰｏｓｔａｌＣｏｌｌｅｇｅ，０５００２１，Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ）ＡｎＳｉｍｐｌｅＥｎ... 相似文献
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在小信号Ｓ参数基础上，提出了一种宽带优化方法，设计了宽调谐、低相噪ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ。用该方法设计的Ｃ波段ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ用变容二级管调谐，其电压调谐范围在０～１５Ｖ，在调谐带宽为５００ＭＨｚ范围内ＶＣＯ的调谐线性度为１：１．５，带内相位噪声优于－８２ｄＢｃ（偏离１００ｋＨｚ处）输出功率大于２０ｍＷ，功率起伏小于±１ｄＢ。 相似文献
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本文介绍一种采用线性微波ＣＡＤ软件进行非线性微波电路（振荡器）设计的方法。结合实例，给出了一个２．０ＧＨｚ微带线振荡器的设计过程。此方法可以推广到微带ＶＣＯ和微带ＤＲＯ的设计之中去。经验证明，本方法在振荡器的设计中很有效。 相似文献
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基于MCGS的数据传输通信软件的设计 总被引：2，自引：0，他引：2
0 引言随着计算机的发展与普及 ,计算机在工业控制中得到了广泛的应用。随着软件开发的难度越来越大 ,软件的数量越来越多 ,软件开发成为计算机应用的瓶颈 ,自动化的程序开发成为必然。ＭＣＧＳ就是工业控制方面的自动化开发软件 ,在ＭＣＧＳ基础上开发数据传输通信软件具有一定的通用性和必要性 ,这正是本文要讨论的主要问题。1 ＭＣＧＳ简介ＭＣＧＳ(ＭＯＮＴＴＯＲＣＯＮＴＲＯＬＧＥＮＥＲＡＴＥＤＳＹＳ ＴＥＭ)是一套基于ＭｉｃｒｏｓｏｆｔＷｉｎｄｏｗｓ 95和ＭｉｃｒｏｓｏｆｔＷｉｎｄｏｗｓＮＴ平台 ,用于快速构造和生成监控系… 相似文献
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研究了电压控制振荡器（ＶＣＯ）的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系,测试了ＳｉＢＪＴ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ和ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的低频噪声,并分析了各自低频噪声产生的原因,提出了选择ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ ＶＣＯ来实现微波固体振荡器低相位噪声化这一发展方向。 相似文献
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为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究，做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。 相似文献
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ORACLE数据库性能优化 总被引：1，自引：0，他引：1
ＯＲＡＣＬＥＲＤＢＭＳ已在各行业得到了广泛的应用和关注。本文对ＯＲＡＣＬＥＲＤＢＭＳＶ６．０的运行机制进行了分析，并对数据库规范化设计、数据参数调整、ＳＱＬ优化等优化系统的方法进行了讨论。 相似文献
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对共面波导谐振腔稳频振荡器进行了实验研究。在对不加谐振腔的简单振荡器研究的基础上，设计并制作了反馈型和传输型谐振腔稳频振荡器。首先，稳频谐振腔分别用常规导体介质基片和在ＺｒＯ衬底上的金膜来实现。然后，用ＬａＡｌＯ３介质衬底上的ＹＢＣＯ超导薄膜制作的共面波导稳频谐振腔嵌入振荡器电路，利用其高品质因数取得较好的稳频效果。所有电路的有源器件均采用ＮＥ７２０８４ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 相似文献
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本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ 相似文献
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分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ 相似文献
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用于网络单元时钟的压控石英振荡器 总被引：1，自引：0，他引：1
介绍了１５５．５２Ｍｂｉｔ／ｓ、６２２．０８Ｍｂｉｔ／ｓ、２４８８．３２Ｍｂｉｔ／ｓ、１０Ｇｂｉｔ／ｓＳＤＨ系统上的时钟频率源的基本原理，针对ＳＤ我同步对网络单元时钟要求的３８．８８ＭＨｚ压控振荡顺频率源进行了设计，当环境温度在０℃到７０℃范围内变化时，压控振荡器的频率漂移优于±１×１０＾－６，瞬时频率稳定定优于１．２５×１０＾－９。 相似文献