立锜科技推出手机背光用电源管理IC

立口科技针对手机各种背光需求．于近日推出一系列手机面板背光用白光LED驱动IC．其中包括了有：升压Boost型式之白光LED驱动IC(RT9284)、无电感Charge Pump型式之白光LED驱动IC(RT9362)以及支持双屏幕手机之OLED面板用电源IC(RT9273)。另外，更针对手机按键背光推出了低压降定电流白光LED驱动IC(RT9300)。未来。     

DDR存储器和DDR DIMM

就 像我们越来越熟悉Ｒａｍｂｕｓ和 ＰＣ１３３一样,一个新的名词—一ＤＤＲ出现在我们面前。什么是ＤＤＲ？简单的回答就是“双数据速率同步ＤＲＡＭ。它以两倍的速度传输数据。”那么,它究竟是怎样一种技术呢？ ＤＤＲ的历史 １９９７年,我们在ＪＥＤＥＣ存储器会议上第一次看到了配备ＤＤＲ内存的ＰＣ。那时,ＤＤＲ内存只由Ｓａｍｓｕｎｇ制造和推广。主板上的芯片组是ＤＤＲ可选的ＶＩＡＭ３。其数据传输速率为１５０ＭＨｚ。不幸的是,此主板只工作了两个小时。 虽然第一块带有ＤＤＲ内存的主板工作得并不很好,但是它给了半导体…     

DDR存储器电气特性验证

前言 几乎每一个电子设备,从智能手机到服务器,都使用了某种形式的RAM存储器.尽管闪存NAND继续流行(由于各式各样的消费电子产品的流行),由于SDRAM为相对较低的每比特成本提供了速度和存储很好的结合,SDRAM仍然是大多数计算机以及基于计算机产品的主流存储器技术.     

威盛DDR266新存储器技术

威盛电子公司近日宣布继PC133之后将推出新存储器技术DDR266(Double Date Rate)SDRAM。威盛电子芯片组将采用DDR266技术,使之用于伺服器、台式电脑、低价电脑及笔记本电脑。 DDR SDRAM提供更完美的解决方案,将现有的SDRAM转换到DDR SDRAM,包括适用性价格及整体市场的支持。DDR266通过读写在时钟脉冲上升和下降     

低成本DDR3、DDR4高速存储器测试解决方案

HSM3G高速存储器测试解决方案进一步拓展了面向DDR3主流存储器IC和更高级存储器件测试的V93000HSM平台。 V93000 HSM3G独特的优势在于其未来的可升级性,速度和功能将来都可以升级,其可编程的、快速的每引脚APG能力得到了数据总线倒置（DBI）和循环冗余校验码（CRC）数据的支持,     

威盛DDR266新存储器技术

威盛电子公司近日宣布继PC133之后将推出新存储器技术DDR266(Double Date Rate)SDRAM。威盛电子芯片组将采用DDR266技术,使之用于伺服器、台式电脑、低价电脑及笔记本电脑。 DDR SDRAM提供更完美的解决方案,将现有的SDRAM转换到DDR SDRAM,包括适用性价格及整体市场的支持。DDR266通过读写在时钟脉冲上升和下降的边缘使速度增加一倍,其频宽比PC133多两倍,最高     

Actel公司DDR存储器控制器内核

Actel公司推出用于其现场可编程门阵列(FPOA)的知识产权(IP)内核，该内核具有用于双数据速率(DDR)SDRAM存储器的同步接口。Actel CoreDDR支持容量高达1024MB并具有完全管线架构的存储器，这种架构能使消费类电子产品以及通信、工业和军事应用实现极快的数据率。此外，该存储器控制器还能根据系统和存储器的特定需求进行定制，从而使设计人员最大限度地扩大存储器带宽和系统总体性能。     

立锜科技推出单节锂离子(锂高分子)电池充电IC

立锜科技（Richtek Technology Corp.）以领先技术为单节锂离子和锂高分子电池提供创新设计的充电IC——RT9502,RT9502提供了简单的外部线路架构、整合性的MOSFET、自动选择ADAPTER和USB双输入来源，且充电指示灯号不会因为拿掉电池而产生微亮的错误讯号，具备简单的充电电流设定，在简化了整机电路和软件设计的同时，更提供高达18V的过电压保护。     

提供1.5V、7A总线终端的电路

一些最新的高性能处理器要求电流高达7A的1.5V总线终端。这个终端需要非常快的瞬态响应,因为该装置必须对具有极快上升时间的高峰电流变化作出反应。图1所示的1.5V终端电路就能满足这些要求。该电路是一种输入     

用于DDR电源及终端的高效率、双通道、±3A同步降压型稳压器符合DDR/DDR2/DDR3标准

凌力尔特公司推出一款高效率、双通道、单片式、同步降压型开关稳压器LTC3618,该器件能够为DDR/DDR2/DDR3及未来需要供应和吸收电流的标准存储器应用产生电源电压和总线终端电压。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的VDDQ电源,该电源能输送±3 A输出。一个内部电阻分压器负责将VTT DDR终端电源和VTTR基准电压设定为等于施加至VDDQIN输入端之电压的一半,并在VTT和VTTR上分别提供了±3 A(供应/吸收)和±10 mA的输出电流能力。VTT输出可在低至0.5 V的电压条件下运作,以支持所有DDR标准。     

Semtech存储器电源控制器

Semtech公司推出SCl486A，一款双器件、同步DDR和DDR2补偿(buck)电源控制器，应用领域包括笔记本、书写板式PC以及嵌入式应用。这一经过升级的版本为那些采用DDR2存储或希望转向DDR2存储、而不希望对电路板作出太大改动的设计者提供的一种电源选择方案。     

DDR3 DIMM插座：存储器模块插座

Molex公司推出空气动力型DDR3 DIMM插座和超低侧高DDR3 DIMM存储器模块捅座产品组合,两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医疗设备中要求严苛的存储器应用。     

针对下一代DDR3存储器的系列测试工具

该DDR测试解决方案基于业内领先的硬件和软件，支持所有DDR、DDR2和DDR3速度，同时涵盖模拟域和数字域。对数字验证和调试，TLA7000逻辑分析仪和新的TLA7BB4采集模块提供了能够满足DDR、DDR2和DDR3所有速度的逻辑分析解决方案，包括DDR3—1600。此外，与现有方法相比，这一系列新型DDR测试工具最多可以节约30％的成本。运行Nexus Technology DDR3／DDR2协议违规软件的TLA7BB4可以自动分析DDR2或DDR3总线，     

Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP

全球领先的电子器件和系统设计、验证和制造软件及知识产权(IP)供应商新思科技公司(Synopsys,Inc.)日前宣布:其DesignWare DDR接口IP产品组合已经实现扩充,以使其包括了对基于新兴的DDR4标准的下一代SDRAM。通过在一个单内     

DDR SDRAM控制电路电源完整性研究

高速数字电路对电源分配系统的可靠性和复杂性提出了很高要求。以DDR SDRAM控制电路为例,介绍电源分配系统的基本概念。采用基于系统目标阻抗的算法,用SPECCTRAQuest软件对电路的电源分配系统进行完整性仿真分析与设计。实践表明该方法不但可以设计出满足要求的电源分配系统,还能大幅提高设计效率,减少系统复杂度。     

PECL终端电源

用于高速通信系统的正射极耦合逻辑(PECL)对电源电压的要求比较特殊,需要一个+3.3V的正电源(Vcc)和一个终端电源:VTT=VCC-2V=+1.3V,VTT根据Vcc进行调节,必须能够吸收电流.大多数正极性低压差(LDO)线性稳压器不能吸入电流,只好设计负的LDO以满足这一需求.图1所示电路对负的LDO加以修改,可以提供正电压.图中,GND引脚接Vcc,IN引脚接地,使负电源提供正的电源电压.     

端接DDR DRAM的电源电路

DDR(双数据速率)DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压,并需要等于电源电压一半的基准电压(V_(REF)=V_(DD)/2)。此外,各逻辑输出端都接一只电阻器,等于并跟踪V_(REF)的终端电压V_(TT)。在保持V_(TT)=V_(REF)±O.04V的同时,必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压,并可输出高达6A的电流。