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提出了一种低输入电压的快速瞬态响应片上低压差线性稳压器(LDO)。采用基于反相器的轨-轨输入运放作为误差放大器(EA)的输入级。EA后级采用大抽灌电流能力的STCB结构。LDO加入了高通耦合结构,实现了低输入电压和全负载范围下的快速瞬态响应。该LDO无需外加偏置网络就能实现自启动。在Dongbu 0.5 μm CMOS工艺下,LDO的输入电压为2.2~2.7 V,输出电压为2 V。仿真结果表明,在负载电容为100 pF、压差为200 mV的条件下,该LDO可稳定输出0.1~100 mA的负载电流,负载在0.5 μs范围内切换时的电压尖峰在310 mV以内。 相似文献
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MAX8515并联型稳压器具有0.6V的反馈门限、初始精度可达±0.5%,采用微小的SC70封装,利用一个外部NPN晶体管和几只阻容元件可以方便地构成廉价、小尺寸的低压差线性稳压器(LDO),如图1所示。该电路输入电压范围为1.2V至2.5V,输出电压为1V,MAX8515的电源电压为2.5V,输出电流可达2A。改变分压电阻R2、R3可以调节输出电压,可参考下式选择外部电阻:为保证提供足够的负载电流,可参考下式选择电阻R1:式中,VREG为线性稳压器输出电压,IOMAX为最大负载电流、VBE为晶体管Q1发射结的正向导通电压,β是Q1在最大负载电流下所能… 相似文献
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LT1761系列低压差线性稳压器是凌力尔特公司的产品,是一种微功耗、低噪声、输出100mA的低压差线性稳压器(LDO)系列。该系列主要特点:噪声低,在10Hz~100kHz时为20μVrms;静态电流低:20μA;输入电压范围宽,从1.8V-20V;输出电流可达100mA;有关闭电源控制,在关闭状态时耗电小于0.1uA;输入、输出电压差低,在输出100mA时为300mV;有固定电压输出(1.2V、1.5V、1.8V、2V、2.5V、2.8V、3V、3.3V、5V)及输出可调(1.22V到20V)的品种供用户选择; 相似文献
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提出了一种基于翻转电压跟随器(FVF)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。采用电压检测器来检测输出电压,大幅改善了瞬态响应,克服了常规LDO面积大、需要使用片内大电容的缺点,仅消耗了额外的静态电流。该LDO采用90 nm CMOS工艺进行设计与仿真,面积为0.009 6 mm2,输入电压为1.2 V,压差为200 mV。结果表明,在50 pF负载电容、3~100 mA负载电流、300 ns跃迁时间的条件下,产生的上冲电压为65 mV,瞬态恢复时间为1 μs,产生下冲电压为89 mV,瞬态恢复时间为1.4 μs,且将负载调整率性能改善到0.02 mV/mA。 相似文献
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一般来说,开关型DC/DC变换器转换效率高,输入电压范围宽(指降压式),其缺点是输出纹波电压大(一般有几百mV);而线性稳压器其转换效率较低,但电路简单、成本低,并且输出纹波电压小(一般几十到几百μV)。近年来各半导体器件公司开发出各种低压差(LDO)线性稳压器,其效率不断上升。如果选用合适的器件,其效率可以与开关电源相差不多。这里将举例说明。 相似文献
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提出了LDO,其基于缓慢滚降式频率补偿方法,通过在电路中引入三个极零对(极零对的产生没有增加静态功耗),不仅克服了常规LDO不能使用低等效串联电阻、低成本陶瓷输出电容的缺点,而且确保了系统在整个负载和输入电压变化范围内稳定工作。由于LDO通常给高性能模拟电路供电,因此其输出电压精度至关重要; 而该补偿方法能满足高环路增益、高单位增益带宽的设计要求,从而大幅提高LDO的精度,该LDO基于0.5μm CMOS工艺实现,后仿结果表明,即使在低压满负载条件下,其开环DC增益仍高于70dB,满载时单位增益带宽可达3MHz,线性调整率和负载调整率分别为27μV/V和3.78μV/mA,过冲和欠冲电压均小于30mV,负载电流为150mA时的漏失电压(dropout电压)仅为120mV。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2016,(5)
介绍了一款具有两种频率补偿技术的低压差(LDO)线性稳压器。在LDO误差放大器的设计中,同时采用嵌套密勒补偿技术和具有可变负载的动态密勒补偿技术,确保LDO在负载电流变化60mA范围内的稳定性。该LDO采用联华电子公司(UMC)0.11μm CMOS工艺实现,所设计的LDO输入电压1.5~3.3V,负载最大电流60mA,输出电压稳定在1.23V。芯片测试结果表明,当负载电流从1mA突变为60mA或者从60mA突变为1mA时,LDO的输出稳定时间小于30μs,且输出电压变化小于12mV。在3.3V的输入电压下,LDO的静态电流为50μA,且在满负载变化时输出电压的变化仅有18mV。 相似文献
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刘子仪 《电子元器件与信息技术》2023,(3):20-23+28
本文基于自适应偏置电流电路,设计了一款超低功耗的低压差线性稳压器(LDO),使用动态零点补偿技术使电路稳定,提出了以比较器为核心的基于电容耦合电压峰值检测的过冲电压削减电路,以减小LDO在负载电流向下突变时产生的过冲电压。在使用自适应电流偏置电路以及过冲电压削减电路的情况下,空载状态的LDO静态电流小于590nA。本设计在两级误差放大器的输出端添加二极管连接形式的PMOS作为缓冲级,一方面有利于LDO的稳定,另一方面增强了LDO的瞬态响应特性。另外,本设计采用了0.18μm CMOS工艺,利用Cadence设计平台进行仿真验证,得到了一款输出电压为3.3V、最大负载电流为200mA、负载电流范围内相位裕度均在50°以上、负载电流在1mA与200mA之间以10ns跳变时得到的欠冲电压为160mV、过冲电压136mV的超低功耗LDO。 相似文献
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设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),其瞬态响应速度极快,且增益高、带宽宽,输入电压范围为2.8V~5.0V,输出电压2.4V。使用HSPICE仿真验证了直流、交流、瞬态、温度等特性。在Typical工艺角情况下,负载电流以100mA/1μs突变时,输出电压突变量最大为89mV。重载与轻载模式下电压差也仅为16.8mV,在两种极端工艺角条件下,输出电压突变量最大108mV。此LDO无片外电容,整个片内补偿电容仅为4pF,3dB带宽为4068Hz,0dB带宽高达52MHz。 相似文献
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一种低静态电流、高稳定性的LDO线性稳压器 总被引:4,自引:0,他引:4
该文提出了一种低静态电流、高稳定性低压差(LDO)线性稳压器。LDO中的电流偏置电路产生30nA的低温度漂移偏置电流,可使LDO的静态工作电流降低到4A。另外,通过设计一种新型的动态Miller频率补偿结构使得电路的稳定性与输出电流无关,达到了高稳定性的设计要求。芯片设计基于CSMC公司的0.5m CMOS混合信号模型,并通过了流片验证。测试结果表明,该稳压器的线性调整和负载调整的典型值分别为2mV和14mV;输出的最大电流为300mA;其输出压差在150mA输出电流,3.3V输出电压下为170mV;输出噪声在频率从22Hz到80kHz间为150VRMS。 相似文献
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《中国集成电路》2006,15(2):66-66
凌特公司日前宣布推出输入电压可低至1.7V的300mA非常低压差(VLDO)线性稳压器LTC3035。该器件具有低内部基准电压以及从0.4V至3.6V的对应可调输出电压,而且在满负载电流时保持仅为45mV的极低压差电压。为允许在低输入电压时工作,LTC3035带有一个集成充电泵转换器,为内部LDO电路提供必要的空间。这种低输入电压能力可从锂离子电池或2xAA碱性电池、低输入至低输出电压转换系统应用中实现高性能。LTC3035严格的±2%输出电压准确度、分别为100uA和1uA的低静态电流和停机电流加上快速瞬态响应以及采用很少外部组件的小解决方案占板面积… 相似文献
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基于0.35μm CMOS工艺设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(cap-free LDO),通过误差放大器组成的环路控制稳态误差,通过摆率增强电路构成的环路改善瞬态响应。该LDO输出电压为1.72V,压差80mV,最大输出电流50mA。测试结果显示:负载电流(IL)在0.5μs内瞬变50mA时,俯冲电压和过冲电压均为80mV左右,重回稳态的时间均小于1.5μs。 相似文献
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设计了一种片上集成的高精确度、低功耗、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。采用一种新型高精确度、带隙基准电压源电路降低输出电压温漂系数;采用零功耗启动电路和支路较少的摆率增强模块降低功耗,该电路采用CSMC 0.5 μm CMOS工艺。经过Cadence Spectre仿真验证,输出电压为3.3 V,在3.5~5.5 V范围内变化时,线性调整率小于0.3 mV/V,负载调整率小于0.09 mV/mA,输出电压在-40~+150 ℃范围内温漂系数达10 ppm/℃,整个LDO消耗17.7 μA的电流。 相似文献
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