不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的ZnO(GZO)透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响.制备的GZO透明导电薄膜均沿(002)方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力.随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3 Ωcm.不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90％,薄膜具有优异的光学特性.     

ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜国内的研究现状

综述了以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜的制备技术,系统地研究了各工艺参数,如氩气压强、射频功率、衬底基片温度、退火条件和氧流量等对其结构和光电特性的影响。在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率可降至8.7×10-4Ω.cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明,ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。     

ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

用RF磁控反应共溅射法在Si( 111)衬底上制备出了铽 (Tb)掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明 ,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向 ,电阻率降低到 9.3 4× 10 - 4Ω·cm ,且可见光段 ( 4 0 0～80 0nm)平均透过率大于 80 %的ZnO∶Tb新型透明导电材料。     

导电银浆低温固化薄膜的制备与导电性能

用银粉作为导电填料,与F型环氧树脂、稀释剂、固化剂等配制成树脂基导电银浆,将导电银浆印刷在载玻片上,在一定温度下固化后得到导电银浆固化膜。通过对薄膜体积电阻率进行测定,以及SEM观察和傅里叶变换红外光谱分析,研究稀释剂种类、稀释剂含量、固化温度和固化时间等因素对导电银浆固化薄膜结构与电阻率的影响。结果表明:松油醇对导电银浆稀释效果好,得到附着力和硬度均较高的固化膜,松油醇含量(质量分数)为8%时,薄膜的体积电阻率达到3.9×10~(-5)?·cm;提高固化温度可降低薄膜的体积电阻率,但温度超过130℃时,电阻率降低不明显;延长固化时间可提高银浆薄膜的导电性能,但当时间达到40 min后,电阻率基本不再随时间延长而发生变化。     

AZO热压靶材的制备及性能表征研究

以化学组成ZnO:Al<,2>O<,3>=98:2%的混合粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材.研究了热压工艺条件对靶材致密化的影响.结果表明,热压温度与压力上升,靶材致密度增大;在AZO靶材的致密化过程中存在"反致密化"现象,这是由于连通气孔的合并与生长及闭合气孔率的升高引起的.在实验条件范围内,在热压工艺条件压力18 MPa、温度1150℃、保温保压时间90 min下.制备了AZO靶材.通过SEM观察热压靶材的断面形貌,阿基米德法测量靶材密度,水银压汞仪测量靶材的平均孔径及孔径分布,XRD测定靶材相结构,四探针测定电阻率等方法对AZO靶材的性能进行了分析表征,结果表明:结构为六方纤锌矿,密度为5.39 g·cm-<'-3>,靶材连通气孔率为0.05%,闭合气孔率为3.4%,电阻率为5.3×10<,-4>Ω·cm.采用射频溅射制备AZO薄膜,对靶材的使用性能及AZO薄膜性能进行了分析,表明靶材使用寿命大于150 W·h,薄膜在可见波段的平均透过率达到85.5%,电阻率达到3.1 x 10<,4>Ω·cm,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求.     

溅射电压和铝掺杂对透明导电氧化锌薄膜性能的影响

研究了用微波ＥＣＲ等离子体反应溅射制备透明导电氧化锌薄膜靶压及铝的掺入对薄膜电阻率和透光率的影响。制香电阻率为１０＾－５Ω．ｍ数量级,可见光平均透光率大于８０％的透明导电ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ）膜。     

专利名称：In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法

专利申请号：GN201110309719．X 公开号：GN102332325A 申请日：2011．10．13 公开日：2012．01．25 申请人：扬州大学     

透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料、有机电致发光元件和太阳能电池

一种透明导电薄膜用靶，其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和／或钼，其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和／或氧化钼粉末成形，然后加热并烧结该成形体，使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分，并含有原子比(W Mo)／In为0．0040～0．0470的钨和／或钼而获得所述透明导电薄膜用靶，     

烧结温度对AZO热压靶材性能影响研究

以ZnO和Al2O3粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材.通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌,研究了热压温度对AZO靶材密度、气孔演化和显微结构的影响.结果表明:根据烧结温度的不同,AZO靶材热压致密化过程分为两个阶段:850～1050℃,随着温度的升高,连通气孔发生合并与收缩,孔径分布逐渐集中化,同时闭孔率逐渐减小,在1050℃具有最低值0.104％.这一阶段的主要特征是致密化速率较快,存在相互连通的气孔.当温度升至1150℃,颗粒之间结合紧密,孔隙率降至5.21％.这一阶段的主要特征是气孔全部闭合.将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试.采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计测量薄膜透光率,四探针电阻图谱仪测量薄膜电阻率,XRD分析物相的结构.镀膜测试结果显示,在相同的溅射条件下,靶材孔隙率越低,沉积速率越快,所得薄膜电阻率越低,但溅射功率较高时薄膜透光率明显减小.平均孔径较小且孔径分布集中的靶材,溅射所得薄膜电阻率较低.在溅射功率密度为3.9 W·cm-2下,相对密度高于80％的AZO靶材,靶材寿命大于150 W·h.相对密度为94.79％的靶材在溅射功率30W下沉积20 min得到薄膜的电阻率为3.14×10-4Ω·cm,平均透过率大于85％,具有002择优取向,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求.     

Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质

采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备薄膜的最低电阻率为 2 2 7×10 - 3Ω·cm ,在可见光范围内的平均透过率达超过 90 %。     

镍钛形状记忆合金薄膜的相变温度和力学性能

利用直流磁控溅射法溅射沉积了NiTi形状记忆合金薄膜，对NiTi形状记忆合金薄膜进行晶化热处理以使其获得形状记忆效应。研究了550℃晶化热处理1h后Ti-48.2%Ni薄膜的相变温度和力学性能，研究结果表明，NiTi薄膜550℃晶化热处理1h后，升温过程中发生M→A的相变，而降温过程中则先发生A→R相变，再发生R→M的相变，薄膜的断裂强度随测试温度的升高而增大，残余应变随温度的升高而减小，当温度大于Af点时，表现为超弹性。     

金属基复合透明导电膜的研究

透明导电薄膜作为一种新型的光电材料显示出多种优异的光电性能和具有广泛的应用背景。综述了金属基复合透明导电膜的发展历程与研究现状，重点讨论了电介质，金属，电介质（D/M/D）和透明导电氧化物，金属，透明导电氧化物（TCO/M/TCO）这两种类型的多层复合膜，分析了其设计原理和存在问题，并指出了控制金属层的厚度和界面扩散是制备高性能光电薄膜的重要方面，最后介绍了金属基复合膜应用，并对其研究进行了展望。     

不同S值磁控阴极溅射沉积Mo薄膜的结构与性能研究

在室温下,利用不同磁感应强度相对分布因子S的磁控阴极溅射沉积了金属Mo薄膜.实验研究了磁控阴极S值对放电参数、Mo薄膜的结构、形貌及性能的影响.分别利用XRD,SEM和四探针技术对Mo薄膜的相结构、表面和截面形貌及电阻率进行表征分析.结果表明,随着磁控阴极S值的增加,Mo靶放电电压降低,而放电电流增加;不同S值的磁控阴极沉积的Mo薄膜均呈现多晶结构,且具有柱状生长特征;随着磁控阴极S因子的增加Mo膜的厚度和电导率呈现先增加而后减小的变化规律,电阻率最小可达4.9×10-6Ω·cm.     

厚度对室温沉积ZnO:Al薄膜光电特性的影响

利用直流磁控溅射法, 在室温玻璃衬底上制备了具有良好附着性的多晶ZnO∶ Al(ZAO)薄膜. 比较了室温下获得的薄膜与衬底加热条件下所得薄膜的结晶程度, 研究了厚度对室温条件下制备的ZAO薄膜表面形貌、电学性能及紫外-可见-近红外光区透光性的影响. 结果表明, 室温条件下制备的ZAO薄膜也具有(002)面择优取向, 随着膜厚的增加薄膜晶粒化程度提高, 载流子浓度和迁移率增大, 电阻率下降, 薄膜在紫外光区的吸收边发生红移, 在可见光区的平均透过率降低, 在近红外光区的透过率随厚度的增加而减小. 厚度为1200 nm的ZAO薄膜具有最佳光电综合性能, 其电阻率为7.315×10~(-4) Ω·cm, 方块电阻为6.1 Ω/□, 可见光区平均透过率达到82%, 波长为550 nm处的透过率为87%.     

溅射功率对NdFeB薄膜形貌的影响

采用直流磁控溅射方法在玻璃基片上制备出厚度约400nm的NdFeB薄膜,使用不同的溅射功率,利用扫描电镜分析不同溅射功率对薄膜微观组织的影响,并采用真空退火使之晶化,使用XRD衍射仪、扫描电镜分析晶化情况及组织变化,以期得到最佳的制备工艺.通过对30,50,100 W三组样品进行对比,得出以下结论:在30W功率下溅射,...     

淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜 ,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系 ,并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况。所镀制的ITO膜电阻率已降到 <2× 10 - 4Ω·cm ,可见光透过率达 80 %以上。     

纳米锐钛矿型TiO2薄膜的制备及分析

采用反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备锐钛矿相TiO2薄膜,研究了工艺条件中的氧氩流量比对薄膜润湿角的影响以及溅射气压对薄膜微观结构的影响。对不同氧氩流量比(分别为1/40,1/20,1/10和1/5)时制备的TiO2薄膜进行润湿角测量,润湿角照片显明:氧氩比1/5时薄膜润湿角可减小到8°左右,即提高氧氩比能增强TiO2薄膜的自洁净性能。X射线衍射(XRD)分析表明:当溅射气压降到1.0 Pa时,可以得到锐钛矿型TiO2薄膜晶体,0.5 Pa时的XRD图衍射峰更为明显。用分光光度计测量了TiO2薄膜的紫外吸收光谱,由光谱曲线上光吸收阈值与半导体带隙之间的关系计算出了TiO2薄膜的禁带宽度为3.42 eV,表明TiO2薄膜的吸收边出现了一定的蓝移。根据XRD图谱计算TiO2薄膜的晶粒尺寸,得到的薄膜晶粒尺寸在十几纳米左右,由此说明了TiO2薄膜吸收边发生蓝移的原因;按照锐钛矿相TiO2薄膜XRD图25.3°衍射峰对应的(101)晶面,由Bragg方程计算出其晶面间距为0.3521 nm,表明TiO2薄膜晶体发生了一定的晶格畸变。