精确测定ST451型快中子探测器的有效中子阈和电子的相对闪烁响应

本实验用薄膜￣（２５２）Ｃｆ源的裂变中子测定ＳＴ４５１型快中子探测器的有效中子阈。文中叙述了用单能γ射线源刻度探测器对电子能量响应的方法，康普顿边的位置通过比较测量的脉冲幅度谱和ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟的分布与探测器的脉冲幅度分辨进行折叠的理论谱被精确地确定。给出了中子能量在７Ｍｅｖ以下，ＳＴ４５１型快中子探测器的有效中子阈和电子的相对闪烁响应数据。     

ST—451液体闪烁体中子探测器效率的测量

利用伴随粒子飞行时间方法，通过测量１４．７ＭｅＶ中子在聚乙烯和碳样品上的次级中子谱，得到了在０．９９－１４．７ＭｅＶ能量范围内ＳＴ－４５１液体闪烁体中子探测器的探测效率值，其总误差＜４．７％，其中统计误差＜３．５％。     

基于3层硅探测器的主动式中子个人剂量计研制

研制了一种具有能量分辨能力的中子个人剂量计。该个人剂量计由3层硅探测器组成,硅探测器周围装有⁶LiF、聚乙烯和含硼聚乙烯作为转化体、慢化体和吸收体。个人剂量计有直读和解谱两种工作模式。直读模式将中子能区划分为低能、中能和快中子3个能区,可实时测量。解谱模式可获得快中子能区的中子能量分布。利用GEANT4程序模拟了7 MeV γ射线的能量沉积谱,设置适当的甄别域以降低γ射线的影响。采用GEANT4程序模拟了个人剂量计对不同能量入射中子的个人剂量当量率响应。在加速器单能中子参考辐射场中完成了单能中子剂量响应的实验校准,对模拟计算的响应函数进行了实验修正,并得出了不同能区的平均中子个人剂量当量率响应。     

n-γ分辨应用于252Cf自发裂变中子飞行时间谱测量

使用液体闪烁体BC501作为快中子探测器，对应用脉冲上升时间法符合甄别^252Cf自发裂变中子飞行时间谱中的γ射线的效果进行研究。实验测量了γ射线和能量大于1MeV的^252Cf自发裂变中子的脉冲上升时间分辨谱，分辨优质因子M达到4．6。符合甄别了中子能量下阈分别为0．5、0．8和1MeV时的^252Cf自发裂变中子飞行时间谱中的7射线，与未符合时相比，γ甄别率在99．90％以上。     

用阈探测器活化法测量50MeV／u重离子实验靶区的中子注量率,…

用阈探测器中子活化法测定了５０ＭｅＶ／ｕ＾１２Ｃ离子实验靶区的次级中子平均注量率、角分布、粗略能谱，并估算了重离子反应的中子产额。     

^18O离子轰击厚靶的中子剂量学参数

用阈探测器活化法测量了每个核子动能（简称单核能）为５０ＭｅＶ＾１８Ｏ离子轰击厚靶（Ｂｅ、Ｃｕ、Ａｕ）时出射中子的能量分布、注量率分布和中子角分布，得到了＾１８Ｏ离子的中子产额、前向中子发射率和中子剂量当量率分布的数据。并与国外报道的单核能在２０ＭｅＶ以下的低能重离子轰击厚靶研究中得到的中子剂量学参数进行了比较和分析。     

平面型硅快中子剂量探测器初步研究

介绍了平面型硅快中子剂量探测器,初步探索了探测器的中子剂量响应与PN结长和结宽的关系。基于239Pu-Be中子辐射实验结果,可以得出探测器电压随中子剂量线性变化的结论。对探测器等效电阻进行了计算,给出了测试电流为1~10 mA时平面型硅快中子剂量探测器的电流、电压和中子剂量的关系式。     

固体径迹探测器在中子能谱测量中的应用

活化阈探测器法测量中子能谱,主要限于热能区和高能区(0.1MeV以上)的中子谱,其谱型与用不同方法所得的谱型相比差别不大,而中能区(0.55eV～0.1MeV)的谱型相差很远.其原因是缺乏适宜的中能中子的活化探测器。 把固体径迹探测器做为中能中子探测器,它与一组活化探测器结合起来可提供中子全能谱的数据,对现有一般活化探测器不能很好限制中能区域谱型的任意性有所改进。     

固体反冲质子辐射转换体THGEM快中子探测器特性模拟研究

使用Geant4模拟研究了基于聚乙烯辐射转换材料的THGEM快中子探测器的辐射转换特性。结果表明,探测器响应具有一定阈特性,其灵敏度、响应阈值随辐射体厚度、吸收层厚度、中子入射角度、辐射体面积变化而改变。中子垂直入射,聚乙烯辐射体厚度50μm、铝吸收层厚度10μm时,探测器阈上响应具有较好的坪特性,阈值为2.2 MeV,灵敏度为1.0×10-4cm2。     

核事故中子剂量测量系统及其进展

本文叙述了阈活化探测器和固体径迹探测器等几种主要核事故中子剂量测量系统的原理、灵敏度、能量依赖、方向响应和计数技术,比较了它们的优缺点;介绍了中子辐射电池、中子灵敏二极管和化学比色等新型中子剂量计;为了尽快给出剂量结果,对事故中子谱作了合理的简化处理,计算了平均反应截面和剂量换算系数。     

聚碳酸酯和硝酸纤维素塑料的快中子反冲径迹响应特性

本文概述了聚碳酸酯和硝化纤维膜中的反冲径迹的蚀刻性能,径迹的直径和中子能量的关系,中子探测效率与能量的关系及其紫外线效应。研究表明,上述两种膜可作为快中子阈探测器,而聚碳酸酯还可作快中子的雷姆计数器,用来监测中子源、反应堆和加速器的快中子通量和剂量。测量剂量范围是1—1000拉德。如进一步采用电化学蚀刻技术扩大径迹,可测剂量下限为几个毫拉德的量级,这就可期望作常规的中子剂量测量。     

高压~4He气体闪烁体中子探测器的物理设计

高压4He气体闪烁体中子探测器是一种具有快响应、高n-γ甄别比和较高探测效率等特点的新型快中子探测器。本工作采用了蒙特卡罗方法研究了4He气体压强和几何尺寸对高压4He气体闪烁体中子探测器的性能影响规律,并开展了探测器结构的优化设计。研究结果表明,气压增大可线性增加中子本征探测效率;探测器长度增加会降低中子的探测效率;探测器管径增加会使中子探测效率提高。当气压取120 atm,长度和管径分别取200 mm和44 mm时,探测器对近裂变谱中子(平均能量1.05 Me V)的探测效率为4.28%,为后续探测器制备提供理论指导。     

国产氟化锂片型热释光探测器性能比较研究

本文报道了对常用国产ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｃｕ，Ｐ）和ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｔｉ）两类片型热释光探测器的６种产品进行剂量学性能比较研究的结果。根据国家标准“个人和环境监测用热释光剂量测量系统”的技术要求和实际需求，比较了这几种探测器的热释发光曲线，相对灵敏度，探测阈，线性度，光子能量响应，一批的均匀性，重复性和稳定性等剂量学特性。文中还对ＴＬ探测器应用中的有关问题作了讨论。     

中子辐射对P型HPGe探测器的影响

采用钚碳源(PuC)来刻度HPGe探测器,通过实验结果分析,探讨了快中子对HPGe探测器的损伤的影响以及石蜡材料对屏蔽中子的效应;研究了中子能量注量对P型高纯锗探测器HPGe的能量分辨率的影响,以及其能量分辨率随屏蔽材料厚度的变化关系。     

ThO_2中子阈探测器的制备

本文介绍了在实验室制作ThO_2片的方法。这种ThO_2片与云母叠合可作快中子阈探测器。介绍了用单能中子源和裂变谱中子源测定ThO_2片有效厚度的方法和结果。     

重离子加速器实验靶区的中子剂量当量率

用阈探测器中子活化法测量了５０ＭｅＶ／ｕ＾１８Ｏ离子轰击Ｂｅ、Ｃｕ、Ａｕ厚靶出射中子的注量率分布,并利用中子注量率对剂量当量率的转移因子,得到了重离子实验靶区的中子剂量当量率分布。     

微型堆辐照座内快中子通量谱的测定

用Ａｌ，Ｆｅ，Ｉｎ和Ｎｉ作探测片，用阈探测片活化法测定了中国原子能科学研究院微型堆内，外辐照孔道的快中子能量。用平均截面法求得内外辐照孔道的快中子与热中子能量比分别为０．１９８和０．０７７，用有效阈能法计算了不同能量区间的快中子通量，同时也对四个内辐照等之间及内、外辐照管内径向和轴向快中子通量的不均匀度进行了测定。     

20keV～17MeV中子能谱测量

基于质子反冲方法，建立了一套宽能区，高效率的中子谱仪系统，分别用三支充不同气压氢和甲烷的球形正经计数管和一个有机闪烁探没器分段测量２０ｋｅＶ～１７ＭｅＶ的中子能谱，为了去除γ射线本底，对两种探测器分别采用了两种不同的脉冲形状别技术，谱仪直接测量的是中子在探测器中产生的反冲质脉冲幅度谱，通过解决矩阵方程的方法得到中子谱，解谱中所用的各个探测器的中子响应矩阵均蒙特－卡洛方法计算得到，谱仪在全能区的中子     

热中子堆内中子通量谱的多箔法测定

用多箔法测定热中子堆内活性区和反射层内的全能区中子通量谱。选择26种探测器,把10~(-4)eV至20MeV的整个能区分为640群,考虑箔自身吸收和散射,按群内中子是单能的计算14种热与中能探测器的自屏因子。按各箔截面互相一致适用原则选择活化反应截面。文中给出计算得的通量谱和谱误差。还给出两测点的“宏观谱量”,包括热中子通量,中子温度,费米谱量,偏离费米谱指数和快中子积分通量。检验了反应率、截面和初始通量谱对解谱的灵敏度。在初始谱变化较大的情况下都获得大体一致的结果。在能量<0.01eV与约10～500keV的两个能区,探测器响应均不灵敏,亦获得合理的通量谱分布。     

探测快中子的新技术

本文概述了近年来探测快中子的新技术，它们分别是：抑制γ射线、热中子和带电粒子的符合谱仪；高分辨宽能量范围正比计数器的＾３Ｈｅ夹心谱仪；含氢的纤维闪烁体用于抑制γ射线、中子位置分布和中子能谱测量；及含锂的纤维玻璃闪烁体用于长中子计数器测平均中子能量；中子的直接探测；用于中高能和重离子核物理的多元件阵列快中子探测器和极化仪；用于核核查的中子源影像探测器；高入射氘核能量和高能中子的伴随粒子技术等７个方面