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1.
1 系统的组成 如图1所示,CPU由8031单片机组成,动态存贮器分R、G、B三基色分别由8片64K×1 bitDRAM组成,用Intel 8203作为动态存贮的管理控  相似文献   

2.
3.1、存贮分配 前面早已指出,程序是由一组指令组成的。这些指令除了有某些数据在其上工作之外,是没有用的。同时在§1.2中讨论了计算机系统的各个部分,了解了用输入设备将数据送入磁芯存贮器的情况。每个磁芯存贮器本身是个未被划分的区域。磁芯存贮器现在需要变得更专用并把特殊区域变得极小。必须学习在磁芯中留出调节数据用的专用区域。在学习保留存贮区的方法之前,确定磁芯中所需存贮的数据类型是重要的。  相似文献   

3.
存贮管理     
操作系统的存贮管理模块涉及到主存的管理。此处所谓主存指的是处理机可直接存取指令和数据的存贮器(参见图1-1),通常称为磁芯存贮器。具体讲,存贮管理涉及到下面四个功能:  相似文献   

4.
32K字8位(简称“328”)磁芯存贮器模块,可作为中大型数字电子计算机主贮存器的基本组成单元,可按字节扩充至72位(64数码,8位海明码)。“328”磁芯存贮器模块的存贮元件为φ0.55(mm)宽温磁芯,驱动电路采用脉冲变压器耦合的浮动开关电路,读出放大器是线性集成电路,大电流开关二极管选用组合结构的二极管阵列,逻辑电路为标准双列直插封装、单D规模、平均级延时为t_(pd)≤10ns的TTI系列集成电路。在设计试制过程中,对“328”磁芯存贮器模块的可靠性、可用性、可生产性、可维护性及降低成本方面做了些工作,使“328”模块初步具有速度快、驱动电压低、可靠性高、成本低的特点。为磁芯存贮器的标准化、通用化提供条件。一、结构与组装目前,国内的2 1/2 D3W存取方案所采用的结构,基本上可分为两种:大板(或曰插件式)结构和体结构。这两种结构形式各有其优点,但考虑到目前国内电子元件水平及存贮器的生产水平,决定选用大、小板结合的抽屉式结构(以下称“单元”),见图一。即磁心板采用大板,外围电路采用双插头、长条形的小插件板,见图二。这种结构有如下几点好处:  相似文献   

5.
前言:本文叙述了一个改进了的磁芯存贮器驱动系统,即采用几位共用一套驱动系统(简称多位共推)的办法,以达到节省驱动器材,降低驱动功率,降低磁芯矩阵电压跳变,从而缩小体积,提高可靠性。本存贮器采用2 1/2D三线驱动方案,φ0.6mm的记忆磁芯,全选电流800ma;存贮周期  相似文献   

6.
美国斯派瑞·浪德公司尤尼瓦克分公司最近为美国海军船舶局研制成CP-667型军用计算机。该机在计算速度和存贮容量方面,均可敌得上现有的最大型商业计算机,其尺寸为:3(长)×3(宽)×3(高)呎。 CP-667计算机的内磁芯存贮器的容量为131000个36位的字,每一个字的访问时间为1微秒,其容量比现有的军用机和商用机均高。 单独的磁薄膜控制存贮器的存取信息周期为400毫微秒。小型薄膜非破坏读出存贮器通过外  相似文献   

7.
已设计一种随机存取读/写存贮器系统,以满足高速存贮应用的多种需要。包括存贮器体系中的暂存存贮、控制存贮器和缓冲存贮器。基本产品是一种1024字×9位的存贮器卡片式扦件,取数时间为40nS,周期时间为80nS。它合并所有地址缓冲和译码、输出读放和输出互锁电路构成一个完整的功能存贮部件。特点包含每位6mW的低功耗,每平方英时200位  相似文献   

8.
<正> 插件式结构的151—3机主存贮器,采用0.8LiMn 磁心每个模块32K×34位,获得了一微秒读写周期,目前已有三个模块通过100小时时效考验,模四已工作。从生产,调机和维护几个方面都获得了予期效果。这里打算从存贮器设计、结构、工艺等方面可靠性措施及获得的结果给以整理,作为今后工作的参考。  相似文献   

9.
前言HDS-9主存是采用磁芯存贮器,总容量为512K,字长50位,工作周期1.3μs,由36台,32K,25位磁芯体所组成。其中有4台为冗余备用,8位作为海明校验位。对这样庞大容量的磁芯存贮器其关键问题在于稳定可靠工作。它不仅对存贮器的系统方案、线路设计提出高的要求,而且必须对元件选择、工艺结构等都应有严格的要求,其中磁芯元件、磁芯板及磁芯体的质量直接影响磁芯存贮器的可靠性。  相似文献   

10.
现代科学技术的迅猛发展,对电子计算机提出了愈来愈高的要求,而电子器件的不断更新又为计算机的发展创造了极其有利的条件。一直在计算机存贮系统中占主导地位的磁芯存贮器,七十年代也受到半导体存贮器的激烈竞争。由于半导体存贮器具有体积小、速度高、功耗小,成本低等优点,从而使磁芯存贮器目前处于这样的局面,即:一方面电子计算机中的磁芯存贮器已部分地被半导体存贮器所代替,一方面磁芯存贮器为了使其已建立好的工业基础继续发挥作用,也在挣扎中得到发展。  相似文献   

11.
磁泡存贮器     
目前,在计算机系统特别是微型机系统中半导体存贮器芯片应用得非常广泛,但当国外研究出了磁泡存贮器后,许多人开始怀疑半导体存贮器芯片将来会不会被淘汰。磁泡存贮器是贝尔实验室研究出来的,目前多用正铁氧体、石榴石型铁氧体等材料制造。这些单晶强磁性薄膜或多晶台金磁膜在外加磁场作用下产生许多磁泡。磁泡在电路的控制下按规定方式移动形成存贮器件,其存贮密度可达1.6×10~5位/平方毫米。1979年,得克萨斯仪器公司、富士通、英特尔、洛克韦尔等公司就开始使用了磁泡存贮器,因这种存贮器很有前途,所以有许  相似文献   

12.
磁芯存贮器多采用二极管组成电流译码选择矩阵。矩阵二极管的性能参数和可靠性将影响存贮器工作。本文介绍HDS-9576K磁芯主存贮器采用集成二极管块的情况,讨论磁芯存贮器矩阵用二极管块的使用要求和方法。  相似文献   

13.
一、引言 如果能将磁芯存贮器的体积变得更小,工作温度范围变得更宽,那么它的用途将会大大地扩大。但是,要解决这样的问题,对磁芯存贮器来说并不是一件容易的事。因此有人曾经想过用其他的途径,如多孔磁板、磁扭线等存贮元件来取代磁芯,企图解决这个问题。  相似文献   

14.
在新存贮元件中,磁环綫看来已成为航空和中心存贮应用方面的重要竞争者。本文叙述一个由罗姆航空发展中心(Rome Air Deve-lopment Center)进行研制设计的存贮器,目的在于使磁环綫扩展到大容量存贮器领域的应用中。 基本存贮模型具有10~7位;机械封装能包  相似文献   

15.
美国Controlex公司研制出一种可在200℃高温下进行读与操作的非易失性磁芯存贮器,这种称为“Hot T”的128型磁芯阵列存贮器包含64个8位字,采用独立的电子包装,可以移到主机外面进行数据恢复。  相似文献   

16.
简介——本文对在芯片上进行X-Y矩阵译码的金属一氧化铝-硅(MAS)只读存贮器的电特性和可靠性进行评价。MAS只读存贮器利用栅绝缘物薄膜中的所谓电荷存贮现象,是可以反复用电编存程序和不易失信息的集成电路存贮器组件,其中一位存贮单元。仅由一个N沟道增强型MAS晶体管组成。有选择地从沟道注入电子使晶体管阀值电压增大,而在栅极外加大的负电压使阀值电压减小。可靠性试验表明长期衰减对时间呈对数依赖关系,在150℃栅压为+10伏下,每10年存贮时间的衰减斜率为0.7伏。 使用由一台中型计算机、一个命令输入键盘、一组舌簧开关板和一台存贮型阴极射线管图解输出装置组成的人-机相互会话操作系统,对MAS只读存贮器进行鉴定。为证明MAS只读存贮器是切实可行的,以一个4 K字节的只读存贮器系统作为一台小型计算机微程序存贮器的样机进行了评价,其取数和周期时间为150毫微秒。  相似文献   

17.
计算机内存故障是常见而多发的,只要多实践,边摸索、边积累经验。利用“插拔法”、“替换法”、“交互法”、“试探法”等多种方法查出引起故障的RAM芯片,换后就能轻而易举地修复。 KOSMIC KII-16是IBM PC兼容机,其内存配置为512KB,其中多功能板上有256KB,分成4组,分别是“BANK1”、“BANK2”、“BANK3”、“BANK4”。扩充板上也有256KB,也分成4组,分别是“BANK5”、“BANK6”、“BANK7”、“BANK8”。每组由9片,64K×1位动态随机存贮器芯片组成,每组有1片为奇偶校验位,其余8位为二进制0~7位,每组存贮器芯片的存贮容量为64KB。RAM芯片的排列,扩充板与多  相似文献   

18.
本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。  相似文献   

19.
一、计算机磁芯存贮器的概述: 本文描述的是一台小型专用计算机的磁芯存贮器,容量2048,字长17位,存取周期4微秒。  相似文献   

20.
IBM PC/XT机在系统板上安排了四排(BANK)每排九片的内存(RAM)芯片位置,均采用插座形式,每个字节为八位,另加一位奇偶校验位共九位。它采用4164即64K×1位的动态存贮器(DRAM)芯片,内存空间为64K到256K。  相似文献   

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