集成电路制程可靠性介绍(一)

集成电路制程可靠性是通过特殊设计的电子器件结构来研究集成电路制程工艺相关的可靠性失效模式的物理模型、寿命评估方法,并针对主要失效机理提出对策措施、消除制程开发和生产阶段中的可靠性问题,从而保证集成电路在特定使     

集成电路制程可靠性介绍（二）

在1／2月刊《集成电路制程可靠性介绍（一）》中，我们介绍了HCI、NBTI和TDDB三种主要的失效模式，本文将继续简单介绍其他几种失效模式的物理图像、模型及重要现象。     

军用集成电路失效分析

随着科学技术的发展,集成电路在我国军用武器装备上的应用越来越广泛,其可靠性成为制约我国武器装备质量的一项重要因素,失效分析是集成电路可靠性及质量保证的重要环节,本文从失效分析的流程、方法、技术及发展入手,对军用集成电路的失效模式及失效机理进行了详细的讲解,随着元器件设计与制造技术的不断提高及失效分析技术和工具的逐步完善,失效分析工作将在集成电路质量控制方面发挥更大的作用.     

印制电路板镀通孔制程可靠性问题与研究技术途径

影响镀通孔制程可靠性因素众多,关系复杂,需要一个有效的技术途径来研究该问题。文中总结了印制电路板镀通孔制程的各个加工步骤和工序的目的,以及制造过程中影响这些目的达成效果的影响因素。分析汇总了印制电路板镀通孔的各种失效模式和机理,及其对应的失效发生的部位和影响因素。在此基础上,明确了进行印制电路板镀通孔制程可靠性研究的技术途径,同时给出了实施这项研究的技术细节。     

光电耦合器（OCEP）早期故障的可靠性研究及应用

通过对大量失效光耦分析研究,失效现象集中在早期,问题统一。结合光耦失效样品的失效现象、失效原理、及失效机理分析,从金线绑定异常、内部残留金属异物、漏打胶、晶片污染方面研究光耦的可靠性,发现主要失效是早期产品加工存在异常缺陷导致,产品在投入使用后短期内反馈异常。通过对制程的优化改进,如提升自动化制造、检测能力,不断优化改进制程,提升光耦制造流程可靠性,保证产品可靠性。     

超深亚微米集成电路可靠性技术

就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供指导性参考.     

器件工艺可靠性测试数据比较方法的研究

热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应和负偏压温度不稳定性(negative biastemperature instability,NBTI)是集成电路中重要的前段器件工艺可靠性测试项目。通过引入工业统计学,详细讨论了在不同工艺制造情况或测试环境下HCI/NBTI效应可靠性差异的比较方法。这些对于HCI/NBTI测试比较方法的总结,有利于合理分析工艺可靠性测试结果,协助晶圆生产部门找出失效机理,不断改善工艺制程并保持工艺的稳定性。     

厚膜混合集成电路可靠性技术

总结了混合集成电路的主要失效模式,在此基础上,主要从混合集成电路的设计和工艺两方面分析了其产生的原因,通过设计、工艺、原材料和元器件等方面采取对策和措施,达到提高混合集成电路可靠性的目的.     

砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究

在对微波单片集成电路（MMIC）的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路（GaAsMMIC）的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT0在大量统计工艺数据和文献数据的基础上,获得了可靠性预计模型中的其它系数。     

GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理

从可靠性物理角角度，深入分析了引起砷化镓微波单片机集成电路（GaAs MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理，明确了GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化，主要的失效部位是MMIC的有源器件。     

消除失效模式的可靠性增长方式

在各项可靠性试验中,电子元器件的失效模式不一定是单一的,有时经常有好几种失效模式同时存在.这时候就需要抓住主要矛盾,采取“各个击破”的方式来逐步地提高产品的可靠性。某集成电路原来存在有五种主要失效模式,如图1所示,其中“芯片键合引起的失效占总失效数的45％。针对这种失效模式,在工艺上采取纠正措施,用铝—铝超声焊代替金—铝热压焊,并增加磷处理工序后,芯片键合点的失效模式已全部消失,可靠性水平得到了提高.而在产品可靠性的新台阶上,第二种失效模式“表面沟道     

浅析失效模式影响分析(FMEA)在电路设计中的应用

本文阐述了失效模式影响分析(FMEA)的一般分析方法,并通过在一种厚膜集成电路设计中的实际应用,指出了失效模式影响分析(FMEA)在提高产品可靠性方面所发挥的重要作用。     

扣板高速连接器可靠性分析

结合高速连接器的设计与制造,对连接器典型失效模式进行分析,从连接器客户端与制程端描述失效现象与原因,指出降低失效风险的结构设计要点与制程管控点等连接器设计时应重点考虑的要素。     

浅谈对集成电路加速寿命试验的认识

老炼、稳态寿命等加速寿命试验是衡量集成电路使用寿命的主要手段。文中简要介绍了集成电路的主要可靠性指标——FIT,呈现集成电路失效特征的"浴盆曲线",以及不同失效阶段的主要影响因素、失效率与时间相关的统计分布特征。在此基础上,文章对老炼和稳态寿命的试验目的进行了说明,并列出稳态寿命试验的等效试验条件表以及通过该试验的集成电路使用寿命的一些参考数据。     

集成电路可靠性介绍

可靠性的定义是系统或元器件在规定的条件下和规定的时间内，完成规定功能的能力。从集成电路的诞生开始，可靠性的研究测试就成为IC设计、制程研究开发和产品生产中的一个重要部分。     

国内外集成电路二次筛选实验数据及分析

文章介绍了142种型号的国内外集成电路样品二次筛选的实验数据分类统计分析的情况。该样品数据涉及22个国内外著名的集成电路生产厂家及其产品的二次筛选合格率、不合格品的失效模式等。并简要分析了失效的原因,警示了需要保证满足预定用途质量与可靠性水平的型号产品在装机前对所用集成电路进行二次筛选的必要性。     

集成电路失效机理分析及其PHM技术实现

集成电路的可靠性问题随着制造工艺尺寸的缩小与集成度的增加而变得越来越重要,开展针对集成电路的失效物理为基础的故障预测与健康管理技术,用于预测和评估集成电路产品在实际环境中的可靠性,已成为当今研究的热点。通过阐述集成电路的失效机理,介绍了集成电路目前故障预测与健康管理的基本方法。针对关键失效机理的基于预警单元法的PHM技术方案,提出了对电迁移失效的监控原理、监控方法,通过设计电迁移预警电路,验证了该PHM技术的可行性。     

军用倒装焊集成电路的发展和评价标准综述

文章论述了倒装焊集成电路的技术特点,详述了NASA、美军对倒装焊集成电路开展的相关研究工作以及美军标的最新发展情况;针对倒装焊集成电路的失效模式,提出军用倒装焊集成电路相关评价试验方法标准。     

影响集成电路可靠性的工艺因素及改进措施

引言为了提高集成电路的可靠性,需要找到引起集成电路失效的物理机构,提出器件设计和制作工艺的改进措施,以利于提高器件的可靠性。为此,有许多制造厂家和使用单位都建立了专门的可靠性研究机构。协调制造厂和使用之者间的可靠性工作,并以合同方式确定经常的交换产品可靠性资料。在这里笔者不打算介绍国外可靠性的研究情况,仅就已研究过的集成电路失效模型、机理及改进方法作一些简要介绍。     

TEM样品制备辅助研究介质层可靠性失效机理

研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILD TDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILD TDDB可靠性失效样品的失效机理为芯片制造过程中介质层沉积温度异常导致其疏松特性增强,介电常数降低,从而导致其电绝缘性能下降而引起TDDB可靠性测试项目失效.