内氧化法制备银氧化锡电接触材料

AgSnO2电接触材料具有优良的抗电弧侵蚀性和抗熔焊性,在交直流接触器、功率继电器和低压断路器等领域已经部分或全部取代了AgCdO材料。内氧化法是制造AgSnO2电接触材料工艺最成熟、应用最广泛的一种方法。本文计算了Ag-Sn合金的内氧化热力学条件参数,论述了内氧化过程中SnO2颗粒的形核、长大和粗化过程,并采用合金粉末成形-内氧化-热挤压新工艺制备了SnO2颗粒细小弥散、性能优越的AgSnO2电接触材料。     

电镀银氧化镉触点

1序目前，银氧化搞、银氧化锡、银氧化调等复合材料已成功地用于切换大容量的继电器及开关中作触点材料。实践证明：银氧化铝中氧化搞的含量在10％～15％之间性能最好。采用银氧化钢（AgCdo），不但可节约大量的银，而且可大大提高触点的负载能力和抗弧能力。以前使用的AgCdO触点，一般是采用粉末冶金法或内氧化法制造的。在这里，我们将介绍一种新的方法——电镀法，采用电镀法制造的银氧化搞触点，其电性能明显优于前两种。2电镀法制造AgCdO在介绍电镀法制造AgCdO之前，简单介绍一下粉末冶金法和内氧化法，以作一比较。ZI粉末冶金法…     

铁路信号继电器用AgCdO（15）触点

介绍了一种铁路信号继电器用AgCdO（15）触点的制备方法。采用多次挤压的方法,提高了材料的塑性及物理性能,可用于制作变形量较大的异形触点。在AX系列继电器上,替代传统的内氧化法AgCdO（15）触点,提高了触点在继电器装配及使用过程中的可靠性。     

大型内氧化炉的设计及应用研究

前言由于采用内氧化法工艺生产AgCdO及其它成份的铝基合金触头材料具有成本低廉、生产周期短、产品质量易于控制以及对环境污染少并易于治理等特点，使得该工艺在银基合金电触头制造业中获得愈来愈广泛的应用。因此，作为内氧化法工艺的关键设备──各种类型及规格的内氧化炉亦几乎成为电触头生产工厂必须拥有的设备。近年，作者曾参观了欧洲一家著名电器公司生产线上投入使用的一台巨型内氧化炉，其工作压力达10Pa，工作温度可高达800℃，压力容器内直径达1200mm，一次装料量达2000kg。同时，作者还了解了日本制造的压力容器内直径为500m…     

一种高氧化物含量AgCdO触点在GMC交流接触器中的应用

介绍了一种高氧化物含量AgCdO材料的试制,进行了不同内氧化工艺条件下触点材料力学物理性能的比较和分析,选取最佳方案产品在GMC-50三极交流接触器中进行AC-4电性能试验,结果表明,触点在56 000次电寿命内性能可靠,温升满足要求。所研究材料可以达到良好的节银效果。     

我国电触头行业面临新的挑战

随着人类环保意识的增强，各种限制使用有害物质的法规和法令已陆续出台。AgCdO触头材料由于其优越的电器特性，使它一直在低压电器中广泛使用。但因其所含的Cd及CdO有很大的毒性，AgCdO触头材料已到了必须禁止使用的地步，我国电触头行业面临着新的挑战。本文列出了国内外关于限制使用有害物质的相应法规和法令；介绍了国内外AgCdO触头材料替代品的基本情况；陈述了我国替代AgCdO触头材料工作的难点并对替代的进程进行了预测。     

添加Bi对AgSnO2触头材料的影响

AgSnO2是最有可能替代AgCdO的新型材料,在其制备方法中,合金内氧化法是主要方法之一.但在制备过程中合金粉末氧化速度较慢且不能完全内氧化,添加金属元素促进合金内氧化是一个重要研究方向.本文将Bi与Ag、Sn粉经机械合金化得到AgSnBi合金粉末,将合金粉末压制成型、烧结、致密化加工后置于电阻炉中在大气气氛中进行粉...     

银氧化锡触头材料

三十年来世界各国在低压开关设备,如电机保护器、大容量限流开关、保护开关中都是采用银氧化镉(AgCdO)作触头材料。这是因为这种触头材料具有耐弧、闭合大电流时抗熔焊性好、接触电阻低且稳定等良好的综合性能。根据开关设备的结构设计及其功率大小主要采用内氧化或粉末冶金制造的含CdO量为10～15%的AgCdO材料。由于研究和开发工作的不断开展,今天已出现了工艺成熟并且实际应用可靠的变种材料,选用它们可使开关的特性稍有提高。     

低压开关中AgCdO、AgSnO_2触头电弧熄灭和电弧运动特性以及触头磨损机理的研究(Ⅰ)

一、引言新的高功率、小体积电器开关设备的发展,对触头提出了更高的要求。除了主要性能如熔焊力、接触电阻和触头磨损外,在通断时电弧的熄灭和运动特性,也是重要参数。在50A到3000A的交流电流范围内,目前不仅使用AgCdO,而且使用了更耐磨损的AgSnO_2。但因过去接触器是以AgCdO进行优化的,于是就产生了这样的问题:AgCdO是否可以用AgSnO_2完全代替?或者要求在设计上有所改变以优化触头性能。已有报道,AgCdO、AgSnO_2     

家用电器用银基触点材料发展状况

本文阐述了家电用银基触点材料,特别是AgCdO触点的广泛应用及其毒性。列出了国内外关于限制使用有害物质的法规和法令。介绍了国内外AgCdO触点材料的替代品情况。并指出家电行业对促进电触点环保材料发展的重要作用。     

不同氧化物颗粒尺寸对AgCdO电接触材料性能影响的研究

制备了不同氧化物颗粒尺寸（0.8μm、1.2μm、1.5μm）的AgCdO(12)电接触材料,考察了不同AgCdO(12)材料的显微组织、物理机械性能以及电性能。结果表明：随着CdO颗粒尺寸的增加,材料的电阻率、硬度、抗拉强度逐渐降低,而延伸率呈现出逐渐增加的趋势;在250 VDC、10 A试验条件下,随着氧化物颗粒尺寸的增加,燃弧能量呈现出先增加后降低的趋势,并当氧化物颗粒尺寸为1.2μm时,电寿命次数最高。     

银重稀土金属氧化物电工触点材料及其制备工艺

电工触点是各类开关、继电器、接触器等电器的关键材料,起着接通、分断和传输电流的作用。目前国内外各类低压电器中大量使用的是AgCdO,AgSnO2,AgNi,AgC,AgWC等,其中,AgCdO材料的加工性能、接触电阻、抗电弧侵蚀等综合性能最佳,因此,应用最广,用量最大。但由于AgCdO材料在生产、使用过程中     

火电厂蒸汽通流部件高温氧化的调查分析

通过对金属高温氧化资料的收集、总结,将19台不同厂家生产、不同形式、不同运行时间机组的检查结果进行调研,初步了解了高温蒸汽通流部件金属表面氧化层形成与剥离的原理和规律,提出了预防、减少金属高温氧化问题的措施。     

AgMeO电触头材料的塑性变形及退火特性分析

本文从AgMeO电触头材料的结构特点出发,运用弥散型金属基复合材料强化的位借理论,以内氧化AgCdO挤压线材为主要研究对象,通过分析其真应力一真应变曲线、冷变形及退火后材料机械性能与其内部金相组织的变化,并与纯Ag、细晶Ag等非弥散型电触头材料对比,具体讨论了AgMeO电触头材料的塑性变形及退火特性。     

添加物Bi对AgSnO_2触头材料的影响

AgSnO2是最有可能替代AgCdO的新型材料,在其制备方法中,合金内氧化法是主要方法之一。但在制备过程中合金粉末氧化速度较慢且不能完全内氧化,添加金属元素促进合金内氧化是一个重要研究方向。本文将Bi与Ag、Sn粉经机械合金化得到AgSnBi合金粉末,将合金粉末压制成型、烧结、致密化加工后置于电阻炉中在大气气氛中进行粉末内氧化。采用内氧化物增重法分析Bi对AgSn合金内氧化性能的影响。利用PhilipsXL30W/TMP型扫描电镜观察试样AgSnO2-Bi2O3的显微组织及形貌,并用其能谱仪进行微区成分分析。研究结果表明Bi元素大大地提高了AgSn合金的内氧化速度,并且氧化得到的AgSnO2-Bi2O3材料组织致密。     

铝型材表面氧化的高频开关电源

铝合金型材表面氧化电源走过了相控整流(晶闸管)电源阶段,已开始进入脉宽调制(PWM)整流电源(高频开关电源)的应用阶段.由于铝型材表面氧化工艺多样性和复杂性,不同的氧化工艺对应的氧化电压不一样,采用的氧化电源类型也需要合理配置、达到最佳效果.目前高频开关电源有二种整流技术路线,即肖特基或快恢复二极管整流和场效应管(MOSFET)整流,都具有体积小、重量轻和效率高等的特点,我们通过高频开关电源二种不同整流方式原理分析对比,可以得出应用中各自的优缺点,在铝型材表面氧化不同的工艺中发挥各自的优势,将成为主流氧化电源技术.高频开关电源技术日益成熟、优势显著,可以有效提高能源利用率、降低碳排放,扩大高频开关电源在铝型材表面氧化中应用是必由之路.     

AgSnO2-Bi2Sn2O7触头材料制备及应用

采用雾化工艺制备含有多种添加元素的AgSnBi合金粉。合金粉氧化后经过扩散处理、压制、烧结、挤压、轧制或拉丝得到AgSnO2_Bi2Sn2O7系列银复合氧化锡材料。丝材加工制作成铆钉触头,在ZWP-1型电性能模拟试验机上与AgNi(10)、AgCdO(12)进行直流、灯负载条件模拟电寿命对比试验。结果表明,银复合氧化锡材料、AgNi(10)、AgCdO(12)的电寿命分别为132358～148153次、15930～17300次、6054～8038次。将银复合氧化锡材料装在商用开关上进行电性能型式试验,常规操作寿命试验和荧光灯负载开关试验后端子的最高温升分别为42.5K和17.1K。     

氧化参数对AgCdO触头材料产品氧化过程的影响

本文作者就ＡｇＣｄＯ触头材料的内氧化参数对氧化结果的影响进行了分析和讨论。实验证明，不同的工艺条件可生产不同的ＡｇＣｄＯ产品，试制的ＡｇＣｄＯ１２ＳＭ通过ＴＥ公司的检测，成功地应用于ＣＪＸ４接触器。     

多晶硅片氧化前后方块电阻的变化实验研究

通过实验发现,多晶硅片在不同温度下氧化后方块电阻的变化情况不同。温度较高时,氧化后方块电阻降低;温度较低时,氧化后方块电阻升高;单晶硅在任何温度下氧化后方块电阻都是降低的。通过分析认为是多晶硅的结构使其氧化后方块电阻的变化情况与单晶硅不同。     

SUS430合金连接体在模拟SOFC阳极气氛下的氧化

研究了SUS430合金在模拟SOFC阳极气氛下高温氧化(750℃和850℃)500 h的氧化动力学及其表面氧化膜的形貌。利用SEM、EDS及XRD,分析了样品氧化膜的形貌、成分及晶体结构。在不同的氧化温度下,样品氧化动力学都具有阶段氧化特性;每一阶段都具有不同的Kp,都遵循Wagnar抛物线定律。在所有氧化膜中,Cr2O3为主要氧化产物,并都存在MnCr2O4尖晶石。当在850℃下氧化时,FeO也是主要的氧化产物,并有一定量的Fe分布于其中。