在Ag基体上用MOCVD法连续制备YBCO超导带

用ＭＯＣＶＤ法在Ａｇ基体上以－１５ｃｍ／ｈ的带速连续制备ＹＢＣＯ超导带，在８００－８５０℃之间沉积的样品均呈强裂ｃ－轴取向；而在７５０－８００℃间，ｃ－轴取向明显减弱，前者为不规则排列的大片状晶结构，而后者为不规则排列的小棒状晶和发育不育的片状晶，或者为小粒状晶集，所制亲品的Ｊｃ（７８Ｋ，ｏ）一般在０．５－１×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２之间，最好的达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２。     

O＋HO2反应碰撞的理论研究

使用多体项展式分析势能函数，研究了Ｏ＋ＨＯ２反应碰撞的经典轨迹，指出存在二个反应通道，即（１）Ｏ＋ＨＯ２→ＯＨ＋Ｏ２和（２）Ｏ＋ＨＯ２→ＨＯ２＋Ｏ。在室温下，求得反应（１）的近似速度常数为（４．１±０．０６）×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｃｃｕｌｅ＾－１·Ｓ＾－１，与实验值（５．４±０．９）×１０＾１１符合甚好；反应（２）的速度常数为５．４×１０＾－１３。对反应（１），总能量的７２．５％分配于产物     

无槽镀锌在生产中的应用

１镀槽设计油箱尺寸为：１．５ｍ×１．５ｍ×１．２ｍ，要求内面镀锌，外面刷漆。由于没有大的镀槽。经研究，决定对其进行无槽电镀，见图。图铁条做的阳极１．铜挂勾２．阳极铜棒３．与工件连接的阴极铜棒４．铁条做的阳极５．被镀工件６．突出螺栓７．锌锭８．铁阳极导...     

理疗级超声裂解水分子产生羟自由基的计量

我们曾在一系列研究工作中，采用对苯二甲酸（ＴＡ）作为超声裂解水分子产生羟自由基（ＯＨ） 的指示剂，通过对羟基对苯二甲酸（ＨＴＡ）的荧光检测来研究超声空化的化学效应。本文则报道， 用钻６０γ放射源辐照ＴＡ试液，以对荧光光谱仪进行校准，进而在实验上获得了一系列大于空化 阈值的超声剂量与其所产生的羟自由基数量之间的关系曲线。如强度为０．６４ Ｗ／ｃｍ２的超声波辐 照ＴＡ试液１ｍｉｎ，使每ｍｌ中产生（０．５３±０．１１）×１０１４个ＯＨ自由基；而强度为２．１０Ｗ／ｃｍ２的超 声波辐照１０ｍｉｎ，使每ｍｌ产生（１０．４±１．３６）×１０１４个ＯＨ自由基。     

低温下固体材料导热系数的测定

研制了一套能在４～３００Ｋ温区和１×１０￣（－４）～１×１０￣２Ｗ．ｃｍ￣（－１）·Ｋ￣（－１）导热系数范围内，测出各种固体材料导热系数的装置。本文介绍了装置的原理、结构、几种工程材料导热系数的测试结果。该装置具有结构简单、操作方便等优点。     

等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AIN薄膜的低温生长

使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡＩＮ多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ＾－２,脉冲频率ｆ＝５Ｈｚ,氮气气压ＰＮ２＝１．３３×１０＾４Ｐａ,基底温度ｔｓｕｂ＝２００℃,放电电压Ｖ＝６５０,基靶距离ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时薄膜的生长速度等于６ｎｍ／ｍｉｎ。ＡＩＮ薄膜的折射率为２．０５,和基底的取向关系分别为：ＡＩＮ     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

快离子导体Na1＋xZr2—yV0.8ySixP3—xO12系统的制备与电性能研究

Ｎａｓｉｃｏｎ型快离子导体Ｎａ１＋ｘＺｒ２－ｙＭ０．８ｙＳｉｘＰ３－ｘＯ１２系统采用高温固相合成，春合成温度在１３７３Ｋ左右完成，该的合成温度在ｘ不变的情况下，随着ｙ的增大而降低，大多烽合成物为单斜晶系；空间群为Ｃ３／ｃ。当ｙ不变，ｘ增大地基地率的变化是先增大，后减小。最佳导一的起始组成为ｘ＝１．５、ｙ＝０．１，其电导率在室温时为３．２０×１０＾－４Ｓ／ｃｍ，在６７３Ｋ时为６．８８×１０＾－２Ｓ／     

红外激光波长计的原理及其研制

本文简介红外激光波长计的原理、结构及其技术参数．最后，对该仪器的数据处理进行了讨论．目前，仪器的测量范围在０．４μｍ～４μｍ，读数值为１×１０－６μｍ，波长测量的不确定度≤２×１０－６．     

铜在夹封中的出气

本文描述了对铜管在夹封中出气的研究工作。所释气体约为９９．５％的ＣＯ２和０．５％的Ｏ２。气体量随着铜的型号、尺寸以及夹封前对铜管的处理的不同而不同。气体量可以在这样的范围内变化：对于未经清洗和烘烤过的、外径０．２５０时、内径０．１８２时的无氧铜管，是１×１０－６ｃｍ３（ＳＴＰ） ；对于先经化学清洗，后在真空系统中烘烤过的同样的铜管，则有 ３ ×１０－９ｃｍ３（ＳＴＰ）。冷拉管子表现出相同的初始出气量，但甚至在清洗之后仍释气 ３ × １０－８ｃｍ（ＳＴＰ）。（译者注：应是 ３ × １０－８ｃｍ３（ＳＴＰ）之误。）经过细致的处理之后，外径０．１２５时 ×内径０．０８０时的无氧铜管在夹封中释出的ＣＯ２－Ｏ２混合气体少于 ３ × １０－１０ ｃｍ３ （ＳＴＰ）。     

对JJG52—1999规程的几点建议

ＪＪＧ５２—１９９９《弹簧管式一般压力表、压力真空表和真空表》计量检定规程的实施。给检定工作带来了便利 ,效率更高。然而本人对规程的内容还有一些不同的看法 ,提出供同行参考。１ ９９规程中第４ １ ４条对压力表、压力真空表和真空表规定了测量上限量值数字应符合系列 :１×１０ｎ ,１×１ ６ｎ,２ ５×１０ｎ,４×１０ｎ,６×１０ｎ 的要求。而实际上 ,根据ＧＢ１２２６—１９８６《一般压力表》国家标准所生产的压力真空表 ,它的测量上限不符合上述系列要求。例如 :符合ＧＢ１２２６—１９８６标准的（ -０ １～１ ５）ＭＰａ压…     

一氧化碳和苯乙烯交替共聚物的合成与表征

利用乙酸钯和２，２′－联吡啶组成的催化剂体系催化一氧化碳和苯乙烯交替共聚合成出聚（１－氧代－２－苯基丙撑）（ＳＴＣＯ）。采用ＩＲ、ＮＭＲ、元素分析以及广角Ｘ光散射对该聚合物以表征。该共聚物晶体为单斜晶胞，晶胞参数为ａ＝１５．７×１０－１０ｍ，ｂ＝６．１７×１０－１０ｍ，ｃ＝７．４５×１０－１０ｍ，α＝９０．０°，β＝１０４．３°，γ＝９０．０°；晶胞体积为６９７．２×１０－３０ｍ３；空间点群为Ｐ２１／ｃ。此外，对该共聚物热降解进行了初步研究。     

检测123：3只美能达α系列镜头测试简评（下）

３．２美能达ＡＦ８５ｍｍ ｆ／１．４Ｇ 这款镜头镜头号为：２０８０１１９１。最大光圈Ｆ１．４,采用浮动对焦设计,圆形９瓣光圈叶片,有特宽的橡胶对焦环、焦点固定按钮。 主要性能规格 焦距：８５ｍｍ光圈范围： Ｆ１．４至Ｆ２２镜头组成： ６组７片视场角： ２８°３０’最短摄影距离： ０．８５ｍ最大摄影倍率： ０．１２８滤镜尺寸： ７２ｍｍ外形尺寸： ７８ｍｍ（最长）× ７２． ５ｍｍ（直径）重量： ５５０ｇ 焦距实测值为８５．７５ｍｍ。与标称值的相对误差为０．９％。 摄影分辨率测试条件同上,该款镜头的分辨率如表２。…     

MsISIMs五嵌段镶嵌荷电膜的研制

以五嵌段聚合物ＭｓＩＳＩＭｓ为原料，ＰＰ微孔膜为基膜制备复合膜，再经化学改性而 一种新型镶嵌荷电膜，测试结果表明，该膜具有精细的微观相分离结构，由阴离子交换区域，中性区域，阳离子交换区域交替排列组成，其阴，阳离了交换区域尺寸为０．０１μｍ，十分有利于提高离子迁移效率和分离效果，该膜的膜面电阻为９．７×１０＾２Ω．ｃｍ＾２，电压渗析系数值β＝１．４×１０＾－９Ｖ／Ｐａ基膜的接触度θ＝６９°表明该膜具     

Na2Mo0.1S0.9O4（α）—Pr2（SO4）3二元系的相关系与导电性

应用差热分析、Ｘ射线粉末衍射及电测量技术对Ｎａ２Ｍｏ０．１Ｓ０．９Ｏ４（α）－Ｐｒ２（ＳＯ４）３体系进行了研究，结果表明，在Ｎａ２Ｍｏ０．１Ｓ０．９Ｏ４相中加入少量的Ｐｒ２（ＳＯ４）３就可以形成完全固熔体，且无任何相变存在，当Ｐｒ２（ＳＯ４）３含量达到４ｍｏｌ％时，电导率较纯Ｎａ２Ｍｏ０．１Ｓ０．９Ｏ４提高两个数量级（５５３Ｋ时，σ＝１．０９×１０＾－３Ｓｃｍ＾－１），同时还证明了该类导体的导电机     

氢、氦需求量增加

氢、氦需求量增加据估计，近１０年内美国氢需求量将有较大增长。这是由于防止大气污染法要求相对应的汽油高品质化、以及燃料量增加的缘故。在北美，一年消费的氢量为（８．４９～１１．３３）×１０ｍ３，购销量只不过为（４．２～５．７）×１０９ｍ３。其中１／３即约...     

V2O3系新型PTC热敏元件的实用研究

对Ｖ２Ｏ３系新型ＰＴＣ热敏元件进行实用性研究。结果表明，元件的性能指标达到：常温电阻率８．０×１０＾－４Ωｃｍ，升阻比３８０倍，电阻纱数６％／℃，额定电流密度１Ａ／ｍｍ＾２，响应时间０．５ｓ。该元件用作大电流过流保护元件。     

等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AlN薄膜的低温生长

使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡｌＮ多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ－２,脉冲频率ｆ＝５Ｈｚ,氮气气压ＰＮ２＝１．３３×１０４Ｐａ,基底温度ｔｓｕｂ＝２００℃,放电电压Ｖ＝６５０Ｖ,基靶距离ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时薄膜的生长速度等于６ｎｍ／ｍｉｎ。ＡｌＮ薄膜的折射率为２．０５,和基底的取向关系分别为：ＡｌＮ（１１０）∥Ｓｉ（１１１）和ＡｌＮ（１００）∥Ｓｉ（１００）。     

高性能PZNFTSI陶瓷热释电材料与小面积红外探测器的研制

本探讨了小面积红外热释电探测器的探测率与热释电材料性能参数之间的关系，制备了热释电系数高达５．１×１０＾－４Ｃ·ｍ＾－２℃＾－１的ＰＺＮＦＴＳＩ型陶瓷热释电材料，并用其制作了一系列φ０．３ｍｍ的小面积探测器，性能最高达５．９×１０＾８ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，远远超过同样尺寸的ＬｉＴａＯ３晶体探测器。探测率Ｄ＾＊的测量结果与理论预测值符合得较好，克服了晶体热释电材料在小面积应用时的局限，为进一步     

Si晶体临界切应力的一种求法

研究了Ｓｉ晶体中微印压和氧沉淀应力场开动位错的临界切应力τｃ结果表明，在充分大的距离内，微印压或氧沉淀连同邻近的位错群可视为一个集中应力芯；其应力场随距离增大而趋于零．在此基础上获得了求τｃ的公式，求得区熔和直拉Ｓｉ单晶在９００℃时的τｃ为３．１×１０３和５．３×１０３Ｎ．ｃｍ－２．