银纳米线的溶剂热合成与表征

以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面活性剂、乙二醇为溶剂,通过简易的溶剂热方法合成了银纳米线.结果表明,在反应体系中乙二醇不仅能作为溶剂,而且还能起到还原剂的作用.用XRD、SEM对产物进行了表征.考察了乙二醇和PVP用量等对银纳米线合成的影响;找出了合成的较佳条件.对银纳米线的合成机理进行了初步探讨.     

溶剂热法中Na_2S浓度对银纳米线合成的影响

系统地探讨了溶剂热法中不同Na2S浓度对制备银纳米线的影响。采用扫描电镜、X射线衍射仪和紫外-可见分光光度计对样品进行表征及分析。结果表明,Na2S浓度对银纳米线的合成有着重要的影响,在一定浓度范围内,随着Na2S浓度的增加,银纳米线逐渐增加;当Na2S浓度为1mmol/L时,可以得到尺度均匀的纯银纳米线,浓度过大时又会出现类球状银纳米颗粒。     

一步溶剂热法合成锶掺杂羟基磷灰石超长纳米线

羟基磷灰石超长纳米线可用于构建不同种类的生物材料, 如高柔性生物医用纸和弹性多孔骨缺损修复支架, 在生物医学领域具有良好的应用前景。锶元素作为一种微量元素, 在骨代谢过程中起着重要作用。本研究通过一步溶剂热法合成了具有不同锶掺杂量的羟基磷灰石超长纳米线; 研究了不同锶掺杂量对羟基磷灰石超长纳米线的形貌和物相的影响。所制备的锶掺杂羟基磷灰石超长纳米线具有高柔韧性和超长一维纳米结构。能量色散谱、X射线粉末衍射和傅里叶变换红外光谱分析表明, 锶元素成功地掺杂到了羟基磷灰石超长纳米线中。本研究发展的制备方法可以制备锶/(锶+钙)摩尔比从0到100%任一比例的锶掺杂羟基磷灰石超长纳米线, 大幅拓展了羟基磷灰石超长纳米线在骨缺损修复和牙科修复等生物医学领域中的应用。     

CdSe薄膜的溶剂热制备及其光电化学性能研究

以CdCl2.2.5H2O为镉源,以Se粉为硒源,在苄胺体系中,180℃溶荆热条件下制备了CdSe纳米晶薄膜.并用XRD、SEM、TEM、UV-vis等对产物进行了一系列的表征,结果表明在该条件下可以得到粒径在10～20nm、较为均匀的CdSe纳米晶薄膜.同时在标准的三电极体系下,测试了CdSe纳米晶薄膜电极的光电化学...     

强静磁场对溶剂热合成纳米Bi形态的影响

研究了强静磁场对溶剂热合成纳米Bi形态的影响.实验中选用乙二醇或乙二醇与乙醇的混合液作溶剂、硝酸铋作铋源.结果表明,磁场能促进Bi纳米呈各向异性生长,并诱导合成纳米线.随着磁场强度的提高,产物中纳米线的比例逐步增大;反应温度越高,产物中获得全部纳米线所对应的磁场强度越低;在150℃、磁场强度达到12T时,产物中没有得到全部纳米线,在180℃和210℃时,产物中全部纳米线所对应的磁场强度分别为12T和8T.采用乙二醇与乙醇的混合液作溶剂时,产物中纳米线所对应的磁场强度提高.最后讨论了磁场诱导合成Bi纳米线的原因.     

溶剂热法合成ZnSe纳米材料

以乙酸锌为锌源, Na₂SeO₃•5H₂O或Se粉为硒源, 采用溶剂热法在乙醇胺(EA)溶剂中一步合成晶型和形貌可控的闪锌矿和纤锌矿结构的ZnSe纳米材料。利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线谱 (EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物的晶型、成分和形貌进行了表征。结果表明, Se源的选取直接决定了ZnSe纳米材料的晶型和形貌: 以Na₂SeO₃•5H₂O为源, 产物为立方相闪锌矿结构的ZnSe纳米颗粒, 直径30 nm左右; 以Se粉为源, 产物为六方相纤锌矿结构的ZnSe纳米片, 厚度约50 nm。进一步的研究表明, 具有合适配位能力的乙醇胺溶剂和Se源对ZnSe纳米结构的合成起重要作用。通过紫外-可见光谱(UV-Vis)和室温光致发光光谱(PL)表征了产物的光学性质。     

不同形貌低维纳米／微米CdSe／ZnSe的溶剂热法合成

利用溶剂热法．通过添加不同种类的溶剂及改变反应温度、反应时间．成功合成了具有片状、棒状、球技，圆锥花序状等不同形貌的纳米/微米级硒化镉、硒化锌半导体材料.简单讨论了表面活性剂、反应温度及反应时间对产物形貌及尺寸的影响。所得产物进行了扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、能谱（EDS）、X射线折射（XRD）等表征.     

聚丙烯酰胺的合成及应用研究进展

聚丙烯酰胺是一种水溶性高分子材料,在水处理、石油开采工业、造纸、生物医药等领域都有广泛的应用。传统制备聚丙烯酰胺的方法,有水溶液聚合、反相乳液聚合、反相微乳液聚合、分散聚合等。近年来发展的一些新兴聚合技术也成功应用于聚丙烯酰胺的制备,如辐射聚合、活性/可控聚合等。文中综述了聚丙烯酰胺的合成方法,并对其生产工艺、理论研究以及潜在的应用等进行了展望。     

不同形貌低维纳米/微米CdSe/ZnSe的溶剂热法合成

利用溶剂热法,通过添加不同种类的溶剂及改变反应温度、反应时间,成功合成了具有片状、棒状、球状、圆锥花序状等不同形貌的纳米/微米级硒化镉、硒化锌半导体材料.简单讨论了表面活性剂、反应温度及反应时间对产物形貌及尺寸的影响.所得产物进行了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)等表征.     

部分交联聚丙烯酰胺的合成机理

采用水溶液聚合合成出一种新型部分交联结构的聚丙烯酰胺。通过实时红外追踪、二维红外相关光谱分析和动态流变测试,揭示了由三官能度功能单体形成支化结构的反应历程和交联反应受动力学控制的独特机理。因支化活性链端偶合终止形成部分交联聚丙烯酰胺的反应,受急剧增大的体系黏度的影响,使支化活性端链的运动受到不同程度的抑制,耦合终止难以发生,部分支化链得以保留。这为深入理解部分交联的聚丙烯酰胺结构的形成机理和有效调控部分交联聚丙烯酰胺的支化和交联的比率提供了依据。     

Surfactant Assisted Hydrothermal Synthesis of CdSe Nanostructural Materials

CdSe/CTAB composite nanostructural materials were successfully synthesized at 160-200 ℃ for 2 days through a facile surfactant(cetyl trimethyl ammonium bromide-CTAB) assisted hydrothermal method using cadmium acetate and sodium selenate as precursor.The obtained products were characterized by X-ray diffraction,energy dispersive X-ray analysis,Fourier transform infrared spectroscopy and thermo gravimetric analysis.Optical properties were studied by photoluminescence and UV-visible spectroscopy and morphology was investigated by scanning electron microscopy.     

Bent Polytypic ZnSe and CdSe Nanowires Probed by Photoluminescence

Nanowires (NWs) have witnessed tremendous development over the past two decades owing to their varying potential applications. Semiconductor NWs often contain stacking faults due to the presence of coexisting phases, which frequently hampers their use. Herein, it is investigated how stacking faults affect the optical properties of bent ZnSe and CdSe NWs, which are synthesized using the vapor transport method. Polytypic zinc blende–wurtzite structures are produced for both these NWs by altering the growth conditions. The NWs are bent by the mechanical buckling of poly(dimethylsilioxane), and micro‐photoluminescence (PL) spectra were then collected for individual NWs with various bending strains (0–2%). The PL measurements show peak broadening and red shifts of the near‐band‐edge emission as the bending strain increases, indicating that the bandgap decreases with increasing the bending strain. Remarkably, the bandgap decrease is more significant for the polytypic NWs than for the single phase NWs. This work provides insights into flexible electronic devices of 1D nanostructures by engineering the polytypic structures.     

巯基包覆CdSe和CdSe/CdS核壳纳米晶的水相合成与表征

利用水相合成的方法制备了巯基包覆的具有较高荧光量子产率的CdSe和CdSe／CdS纳米晶．水相合成方法的优点是原料低廉、安全可靠和重复性高，缺点是纳米晶的尺寸分布较宽，发光效率不是很高．采用X-射线粉末衍射、吸收和荧光等光谱手段对纳米晶的平均尺度、粒径分布、晶体结构及发光特性进行了表征。在77K到300K的温度范围内，随着温度降低，CdSe纳米晶的发光峰逐渐蓝移，而CdSe／Cds纳米晶发光峰位基本不随温度变化而变化．此外，在325nm激光辐照下，CdSe／CdS纳米晶的荧光寿命比CdSe纳米晶延长了6倍左右，稳定性大幅度提高．以上结果表明，核壳结构的CdSe／CdS纳米晶具有较高的发光效率和良好的稳定性，具有广阔的应用前景．     

胶体法制备CdSe纳米晶

采用胶体软化学方法,用磷酸三丁酯(TBP)溶解硒粉和氯化镉,在辅助溶剂三辛基氧化磷(TOPO)中加热分解前驱物并化学键合,制备出了边长约为60nm三角锥型的CdSe纳米晶.用TEM、AFM和UV-vis吸收光谱对所得纳米晶进行了表征.     

聚苯乙烯微球表面合成CdSe纳米晶

以聚苯乙烯(PS)单分散微球为模板, 利用表面化学沉积, 在PS微球表面合成了CdSe纳米晶. 透射电子显微镜(TEM)观察发现, CdSe纳米晶以岛状形貌分布在PS微球表面, X射线衍射(XRD)分 析显示合成CdSe纳米晶具有立方相结构. 通过对产物形貌的演变过程进行观察分析表明, PS球周围的双电层结构对该形貌的形成起决定作用.     

羧基CdSe荧光量子点的制备及其荧光特性研究

以氯化镉、硒粉为前驱体,巯基乙酸(TGA)为稳定剂,制备了羧基CdSe量子点,并研究了其荧光特性与影响因素。结果表明,反应温度、反应时间与反应体系的pH值是影响量子点生长和荧光性能的主要因素。制备羧基CdSe量子点的最优条件为反应温度90℃、pH=11、n(Cd)∶n(Se)=2∶1。制备的羧基CdSe量子点的粒径随反应时间的延长而逐渐增大,量子点荧光稳定性好,荧光强度高,光漂白时间延长。