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聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)是少数与聚偏氟乙烯(PVF_2)热力学相容的聚合物之一。对于PVF2/PMMA共混体系相容性的研究较为广泛,但对其晶相结构的研究却少见报道。本工作采用特殊的熔体拉伸方法制备高取向PVF_2/PMMA共混物薄膜,并用透射电子显微镜(TEM)和富里叶变换红外光谱(FTIR)等方法研究了PMMA对高取向PVF_2薄膜形态结构的影响。 TEM结果表明,在熔体拉伸的PVF_2薄膜中,含有高度取向的片晶结构,其生长方向垂直与拉伸方向。而在PVF_2/PMMA共混物薄膜中除PVF_2片晶外,还出现了与拉伸方向平行的纤维晶,纤维晶的数量随PMMA分子量的提高而增多。 相似文献
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高分辨率定量电子显微学 总被引:1,自引:0,他引:1
本文将在综述高分辨率定量电子显微学及相关技术发展现状的基础上,讨论材料结构和缺陷的原子尺度直接观察与计算机模拟对比研究的意义及影响高分辨率定量电子显微学测量结果的几种因素的研究现状。 相似文献
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聚丙烯/聚乙烯共混物形态结构的电子显微学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用相差成像技术,结合衍射反差成像及电子束辐照破坏引起的反差变化,研究了等规聚丙烯及聚丙烯与聚乙烯共混物的微结构。同时提出了相差成像技术是研究结晶聚合物及结晶/结晶聚合物共混物形态结构的可靠方法,并扼要叙述了相差成像原理。 相似文献
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LaAlO_3晶体作为良好的超导膜基底受到人们的重视。在此主要报导LaAlO_3晶体的结构特点。在Philips EM420,EM430上观察了LaAlO_3晶体。在130℃、24小时退火后的晶体呈综色。LaAlO_3晶体是铁弹体,电镜中观察到的铁弹畴如图1所示。取单畴做会聚束电子衍射(CBED),得到[001]方向的带轴图如图2a所示,其中给出4mm对称性,同时测得a=b=c=0.753nm;[111]带轴图如图2b所示,其中显示3m对称。由此得出点群m3m。进而对样品在电镜中进行原位加热,当温度升至400℃左右时,畴 相似文献
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煤基(Co+H_2)合成燃料型混合低碳醇是煤碳化学深加工,以煤代油用于新型汽车燃料的重大课题。本文旨在运用SEM、TEM、u-D、HREM等分析手段,对我所开发特征及结晶学特性上研究与其催化活性中心等的内在关系,为该类催化剂的研制及评价提供依据。从SEM图中可以看到其表面呈多空的疏松结构,并且表面有较多的小颗粒沉积,形成不规则的外形。从TEM图中可以看到大量的微孔结构形成的疏松体,但在某些局部区域可以看到少量致密结构,这表明该催化剂体系从形态上看处于比较多孔的结构,并说明其晶相可能处于较复杂结构,这种表面形态特 相似文献
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纳米钙化物棒的电子显微学研究徐晓林俞大鹏冯孙齐段晓峰*张泽*(北京大学物理系,北京100871*中科院北京电子显微镜实验室,北京100080)随着科学技术向低维和介观尺度发展,对微观尺度的物理现象,如纳米尺度的结构,光谱与能谱特征等提出了越来越高的要... 相似文献
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本文简单介绍了利用高分辨电子显微学方法,研究CAD金刚石薄膜与硅衬底之间的界面显微。结果表明,金刚石可直接在硅衬底上形成局部外延生长,也可在二者之间的非晶过渡层上成核长大。对非晶层的成分及外延界面的失配缺陷进行了探讨。 相似文献
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面向二十一世纪的电子显微学 总被引:5,自引:1,他引:4
第14届国际电子显微学大会(简称ICEM-14),于1998年8月31日至9月4日,在墨西哥国Cancun市举行。这是国际电子显微学联合会举办的四年一届的国际盛会。参加ICEM-14会议人数约1700名,会上交流论文共1682篇,其中综合性论文21篇... 相似文献
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本文从取样原理出发讨论了数字电子显微学中利用CCD数值电子探测器成像时选取成像尺寸或分辨率的判据、发展了利用快速Fourier变换在倒易空间中提高取样率或分痃率的方法。 相似文献
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有关金标记技术在病毒学中的应用,国内外已有报道。但迄今为止,未见有将该技术同时应用于液体样品及感染细胞内病毒抗原际记,并对各种不同实验条件下进行对比研究的报道。本研究将金标记技术同时应用于液体样品及感染细胞中脊髓灰质炎、猴轮状病毒、SV_(40)和单纯疱疹等病毒抗原的标记。对反应物混合标记同悬浮标记、低温包埋标记同常觇包埋标记法以及标记条件、反应物浓度等不同实验条件进行了摸索,比较了不同实验方法和条件标记的结果。目的在于建立一种稳定的,可用于多种病毒检测的方法。液体样品阴性染色标记结果表明,反应物混合标记明显优于悬浮法。实验中,只要控制好琼脂扩散时间,注 相似文献
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根据电镜观察,结合在两栖类胚胎进行的在体和离体实验的结果,认为,在胚胎发育的早期,“决定”和“分化”两个过程中细胸间的相互关系不同,不但相互作用的细胞类别不同,方式也不一样。在“决定”过程中,主要的影响自相邻细胞,也就是不同类别的细胞,方式可能是多样的。 相似文献
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Si3N4是一种用途广泛的功能材料,Si3N4纳米线有望在电子、光学和机械领域展现其特殊性能:在没有催化剂情况下,我们在硅衬底上直接合成了Si3N4/SiO2同轴纳米线。生长条件:氮气氛.生长温度1250℃.1.5h,自然冷却。利用电子衍射、高分辨像和电子X射线能谱技术,我们用Tacnai F30场发射电子显微镜研究了Si3N4/SiO2同轴纳米线的微观组织结构,探讨了这种纳米线的生长机制。 相似文献