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应用传递矩阵方法,从光强反射率和透射率得到苯胺等离子体聚合膜的复数折射率和复数介电函数。在0.5μm~2.5μm波长范围内,膜的折射率nf不随波长明显变化,其最佳值为1.65±0.05。由复数介电函数的虚部得到膜的光学能隙为1.8ev,与从吸收谱得到的结果(E0=1.76ev)基本一致。 相似文献
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以苯胺为单体在等离子体条件下进行聚合,测量所合成的有机膜经100keV、5×1015cm ̄(-2)Ar ̄+注入后电阻率的变化,并用FTIR、XPS和核分析方法对离子注入引起的结构和成分改变进行了探讨。结果表明,在等离子体环境下,聚合膜内仍含有大量环结构。由于Ar ̄+的注入,聚合膜表面损伤而碳化,使注入层内的体电阻率降低11个数量级。 相似文献
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苯胺的等离子体聚合薄膜特性研究 总被引:3,自引:1,他引:3
采用苯胺的等离子体聚合法,得到致密高、化学稳定性好的自支撑膜。IR光谱和导电性研究表明,它与化学法聚合得到的聚苯胺有明显不同的结构和特性,而且研究结果提示用此方法可得到中红外区的红外吸收材料。鉴于等离子体聚合产物大多是非结晶的无定形结构,我们通过SEM和HEED研究发现,该聚合产物单晶存在,这对等离子体聚合的理论和实验研究有着积极的意义。. 相似文献
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周金芳 《真空科学与技术学报》2001,21(4):311-314
用化学气相沉积方法制备了超薄有机硅膜.研究了等离子体聚合工艺过程中,工艺条件对膜的特性和沉积速率的影响.结果表明沉积掺有苯环的有机硅膜增强了膜的强度和耐腐蚀性能.最近研制的膜已成功地用于一些工程中. 相似文献
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介绍了研制的等离子体聚合装置,及用该装置聚合六甲基二硅氧烷制备的膜的部分结果。分析了膜的组份、结构,研究了膜的性能及可能的用途。结果表明:制备的膜具有优异的抗氧化性能,可用作一些材料的抗氧化保护膜。 相似文献
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对于等离子体浸没离子注入(PIII)技术,球形靶鞘层尺度预测对真空室设计、批量处理研究等是十分有用的。但由于球形靶鞘层Child-Langmuir定律数学表达的非线性使得工程应用较为困难。本文对球形靶的鞘层尺度进行了数值求解、讨论了注入参数对鞘层尺度的影响。计算结果表明,鞘层厚度(包括离子阵鞘层和稳态鞘层)随球体半径或注入电压增加而增加,随等离子体密度增加而减小。但对于不同的参数区间,鞘层特性对参数的变化表现出不同的敏感性。当等离子体密度较高、注入电压较低时,稳态鞘层厚度对于靶体半径的变化极不敏感。相反鞘层厚度对靶体大小变化较为敏感。虽然平面靶与球形靶的离子阵鞘层尺度比值与等离子体密度及球体半径有关,但平面靶稳态鞘层尺度总是大于球形靶的。这对于实际的PIII应用具有重要的指导意义。 相似文献
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自由体积理论在离子注入聚对苯膜导电机理研究中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
采用离子注入掺杂技术 ,研究了聚对苯 (PPP)薄膜的离子束效应。当 2 0~ 70 ke V的 Ar+和 N+注入后 ,聚对苯薄膜的电导率随着剂量的增加而迅速增加。当剂量为 1× 10 1 7ions/cm2时 ,电阻率下降 7个数量级。FT- IR光谱图显示了 Ar+注入使聚对苯分子链部分 C- C和 C- H的 σ键断裂 ,从而改善了它的导电性能。通过超高阻测试仪研究了聚对苯薄膜表面电导率与温度的关系 ,从高分子自由体积理论的角度对离子注入聚对苯薄膜离子注入导电机理进行了研究。 相似文献
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本文使用电子回旋共振等离子体增强化学沉积方法生长GaN。利用气体分配器产生一种局域高反应物浓度环境,在此环境下,测量了等离子体的电子温度Te1等离子体密度ni以及饱和离子流密度J1与微波功率,气体压力的关系,根据这些参数,优选了沉积得到纯净的纤锌矿结构的GaN薄膜,并具有很好的光学特性,AES和XPS的实验表明薄膜中的氮空位及伴生镓被抑制,根据膜厚值,计算出的沉积速度为1μm/hr,比通常的速度大 相似文献
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温度对离聚体中离子聚集的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
应用红外光谱考察了不同离子含量的丁基橡胶磺酸锌盐离聚体温度变化的行为,结果发现,不稳定的离子对聚集体对温度变化十分敏感,而稳定多重离子对在低温下有较好的稳定性,在较高温度下分解,当离聚体中形成离子簇后,离聚体结构的热稳定性增加。 相似文献
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低能离子注入聚醚砜薄膜光学、电学性质的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了利用低能离子注入聚醚砜薄膜进行了光学、电学性能改性的研究。实验结果表明,注入后PES薄膜的光吸收性和表面电导率都发生变化,苯环大π键上的激发态与基态之间的能隙随注入剂量的增加而降低;薄膜表面电导率提高了4个数量级。通过样品的红外光谱分析,讨论了聚醚砜薄膜在离子注入前后的结构变化。 相似文献