退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

过硫酸钾—脲氧化还原引发的甲基丙烯酸乙酯基三甲基氯化铵反…

研究了以ｓｐａｎ－８０为乳化剂和过硫酸钾－脲引发体系下，甲基丙烯酸乙酯基三甲基氯化铵反相乳液聚合的动力学，得出在「Ｋ２Ｓ２Ｏ８」为１２．３－７３．８μｍｏｌ．Ｌ＾－１．「ＣＯ（ＮＨ２）２」ｏ为０－０．９５ｍｍｏｌＬ＾－１，乳化剂为４１．７５－６６．８０ｇ．Ｌ＾－１范围内的聚合速率表达式：Ｒｐ＾∞「ＤＭ．ＭＣ」＾１．７１「Ｋ２Ｓ２Ｏ８」＾０．２８「ＣＯ（ＮＨ２）２」＾０．０１「３」＾－１．１８，ＢＣ     

(Ca,Mg)-α-Sialon的致密化,形成特性和显微结构

利用热压工艺制备了组份为（Ｃａ,Ｍｇ）ｘＳｉ１２－３ｘＡｌ３ｘＯｘＮ１６－ｘ（ｘ＝０．３、０．６、１．０和１．４）的（Ｃａ,Ｍｇ）－α－Ｓｉａｌｏｎ。研究结果发现,当ｘ≥１．０时,材料的主晶相为α－Ｓｉａｌｏｎ和含Ｍｇ的ＡｌＮＡ多型体。多型体的含量随ｘ值的增加而变大。以复合添加剂取代单一添加剂,不仅改善了α－Ａｉａｌｏｎ的烧结性能,ＴＥＭ和ＥＤＡＸ的结果还进一步表明添加的Ｃａ＾＋＋离子进入α－Ｓｉ     

快离子导体Na1＋xZr2—yV0.8ySixP3—xO12系统的制备与电性能研究

Ｎａｓｉｃｏｎ型快离子导体Ｎａ１＋ｘＺｒ２－ｙＭ０．８ｙＳｉｘＰ３－ｘＯ１２系统采用高温固相合成，春合成温度在１３７３Ｋ左右完成，该的合成温度在ｘ不变的情况下，随着ｙ的增大而降低，大多烽合成物为单斜晶系；空间群为Ｃ３／ｃ。当ｙ不变，ｘ增大地基地率的变化是先增大，后减小。最佳导一的起始组成为ｘ＝１．５、ｙ＝０．１，其电导率在室温时为３．２０×１０＾－４Ｓ／ｃｍ，在６７３Ｋ时为６．８８×１０＾－２Ｓ／     

应用带HSV－TK基因的重组腺病毒的肺癌基因治疗的研究

带有单纯疱疹病毒脱氧胸苷激酶基因（ＨＳＶ－ｔｋ）的腺病毒结合ｇａｎｃｉｃｌｏｖｉｒ（ＧＣＶ）对分裂细胞有很强的杀伤作用。本文报道在感染复数（Ｍ．Ｏ．Ｉ,ＭｕｌｔｉＰｌｉｃｉｔｙｏｆＩｎｆｅｃｔｉｏｎ）达到１０００时对人体肺腺癌细胞Ａ５４９的杀伤几乎达到回１００％。四种人体肺癌细胞株（Ａ５４９,ＬＡＸ,ＳＰＣ,ＳＫＹ）对带ＨＳＶ－ｔｋ的腺病毒（ＡＤＶ／ＲＳＶ－ｔＫ）的杀伤作用表现不同的敏感性。另外,Ａｃｙｃｌｏｖｉｒ（ＡＣＶ）和ＧＣＶ对感染了重组腺病毒ＡＤＶ／ＲＳＶ－ｔＫ的细胞都有一定杀伤作用,但杀伤效果有很大差别;就Ａ５４９而言,ＧＣＶ的杀伤作用比ＡＣＶ高７—８倍。此外ＡＤＶ／ＲＳＶ－ｔｋ结合ＧＣＶ杀伤肿瘤细胞时有“旁观者效应”,即感染了ＡＤＶ／ＲＳＶ－ｔｋ的细胞与未感染细胞混合后,后者也明显地遭到杀伤。     

NdFe7—xMox薄膜的制备和磁性研究

利用对向靶溅射，同时对基片进行退火进行处理的方法，在玻璃基片上成功地制备出了ＮｄＦｅ７－ｘＭｏｘ（ｘ＝０，０．５）薄膜，并对其进行了磁性研究，ＶＳＭ测量结果表明，，Ｍｏ掺入导致了材料矫顽力ＨＣ的增大，却相应降低了饱和磁化强度Ｍｓ。随着退火温度Ｔ 提高，Ｈ随之增大，当Ｔ－５７３Ｋ时，出现一极大值为３７．８ｌＡ／ｍ，此时的热磁测量表明，样品具有最高居里温度，ＴＣ＝７７５Ｋ。     

Sm8Fe83Si2C5Cu0.5Nb1.5非晶合金的晶化动力学

用差热分析（ＤＴＡ）,结合Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了Ｓｍ８Ｆｅ８３Ｓｉ２Ｃ５Ｃｕ０．５Ｎｂ１．５非晶合金的晶化动力学。结果表明：温度在０￣１０００℃范围内,该合金的晶化相为α－Ｆｅ和Ｓｍ２（ＦｅＳｉ）１７Ｃｘ,α－Ｆｅ相的晶化表观激活能力３４９．５３ｋＪ／ｍｏｌ,Ｓｍ２（ＦｅＳｉ）１７Ｃｘ的晶化表观激活能力３１６．１９ｋＪ／ｍｏｌ,两相在晶化初期激活能量小,随晶化量（ｘｃ）的增加激活能增大,当α－     

复合添加(Ca,Mg)-α-Sialon的晶胞参数研究

利用高分辨率的Ｇｕｉｎｉｅｒ－Ｈａｇｇ相机和计算机控制的底片扫描及数据处理程序系统,测定了复合添加,组份为（Ｃａ_０．５Ｍｇ_０．５）_xＳｉ_{１２－３ｘ}Al_3xＯ_ｘＮ１_６－ｘ（ｘ＝０．３、０．６、１．０和１．４）的α－Ｓｏａｌｏｎ的晶胞参数．材料由热压工艺制备而得．研究结果表明,当ｘ≥１．０时,材料的主晶相为α－Ｓｉａｌｏｎ和含Ｍｇ的ＡlＮ多型体．（Ｃａ,Ｍｇ）－α－Ｓｉａｌｏｎ的晶胞参数明显低于相同组份下的Ｃａ－α－Ｓｉａｌｏｎ的晶胞参数·ＥＤＡＸ的结果进一步给出固溶进入α－Ｓｉａｌｏｎ的包括名义组份中９０％的Ｃａ^＋＋和少量的Ｍｇ^＋＋,而大部分Ｍｇ^＋＋进入ＡlＮ多型体,这一结果为净化α－Ｓｉａｌｏｎ陶瓷的晶界提供了新的有效途径．     

氘束轰击石墨化学腐蚀的实验进展

在ＳＭＦ－８００石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上诸多进一步测试了Ｇ３石墨，ＳＭＦ－８００高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ镀层等在３ｋｅＶ／１，３μＡ氘束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２－氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其中ＣＤ４产额较ＳＭＦ－８００高纯石墨的降低一个量级以上，ＣＤ４产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。     

衬底及生长工艺对Hg1—xCdxTe液相外延薄膜的影响

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、能量散射Ｘ射线分析（ＥＤＸ）及Ｘ射线双晶摇摆曲线（ＤＣＲＣ）方法对衬底及Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延（ＬＰＥ）薄膜的生长表面进行了研究。发现采用生长前衬底表面覆盖、回熔ＬＰＥ生长措施，可以防止衬底沾污对液相外延层形貌的影响，大大改善Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延层的晶体质量。     

共聚物电解质MA－Na_2／AA－Na水溶液的粘度特性

对共聚物电解质ＭＡ－Ｎａ２（顺丁烯二酸钠）／ＡＡ－Ｎａ（丙烯酸钠）水溶液ηＳＰ／Ｃ（比浓粘度）与浓度的关系、中性盐及溶液ｐＨ对ηＳＰ／Ｃ的影响进行了研究。结果表明，稀释ＭＡ－Ｎａ２／ＡＡ－Ｎａ溶液时，ηＳＰ／Ｃ急剧上升，而稀释含中性盐（ＫＣｌ或ＣａＣｌ２）的ＭＡ－Ｎａ２／ＡＡ－Ｎａ溶液体系时（中性盐含量保持０．０１ｍｏｌ／Ｌ），ηＳＰ／Ｃ的变化却不大。添加极少量（＜０．０５％）中性盐，可使ＭＡ－Ｎａ２／ＡＡ－Ｎａ溶液体系的ηＳＰ／Ｃ大幅度下降，当中性盐浓度大于０．０５％时，ηＳＰ／Ｃ趋于稳定。溶液ｐＨ＝８时，ηＳＰ／Ｃ最高，ｐＨ＜８或ｐＨ＞８时，ηＳＰ／Ｃ迅速降低。     

衬底及生长工艺对Hg_1－_xCd_xTe液相外延薄膜的影响

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、能量散射Ｘ射线分析（ＥＤＸ）及Ｘ射线双晶摇摆曲线（ＤＣＲＣ）方法对衬底及Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延（ＬＰＥ）薄膜的生长表面进行了研究。发现采用生长前衬底表面覆盖、回熔ＬＰＥ生长措施，可以防止衬底沾污对液相外延层形貌的影响，大大改善Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延层的晶体质量     

PPO作为PPO-PDMS-PHS_n/PS增容剂的研究

导了一种新的共混增容体系，以均聚物ＰＰＯ作为不相容共混体系ＰＰＯ－ＰＤＭＳ－ＰＨＳ／ＰＳ的增容剂。ＤＳＣ和ＤＭＡ的研究结果表明，ＰＰＯ对ＰＰＯ－ＰＤＭＳ－ＰＨＳ／ＰＳ共混体系确有增容作用，ＰＰＯ的含量在１３．５％以下时，ＰＳ、ＰＰＯ和ＰＰＯ－ＰＤＭＳ－ＰＨＳ中的硬段相容为一相；ＰＰＯ的含量在２３．８％以上时，ＰＰＯ分布在ＰＳ相和ＰＰＯ－ＰＤＭＳ－ＰＨＳ中的硬段相中，经ＰＰＯ增容后，材料的拉伸性能明显提高。     

博士信箱

问：我想对现有的ＯＮＥ牌ＶＣＤ－Ｋ１７０机加装ＤＡＣ摩机板增设ＣＤ模拟输出．不知是否可行？ 另想设计一款惠威惊鸿８号信箱．单元为ＳＳ８＋与ＳＳＩ＋套件．因市面上昌牌伪劣产品太多，不易购得真货（买过一次．经惠威公司证实为假货）．不知贵刊是否有售。另外请问有没有６Ａ套件（ＭＳＳ６.５＋ＳＳＩ＋），这两套件用自制的６Ｌ６Ｇ单管Ａ类胆机推．表现如何，是否合理？６Ｌ６Ｇ单管Ａ类机再配以和田茂氏前级将会如何？或用国产何种功放推这两款会更为合理？以上几点恳请回答。 （深圳冯福成） 答：用ＤＡＣ摩机板对ＶＣＤ进行改…     

红外焦平面阵列用信号处理电路技术探讨

简要介绍了红外焦平面阵列的信号处理电路的发展概况，重点描述ＣＣＤ多路传输器（ＣＣＤ－ＭＵＸ）时间延迟积分ＣＣＤ（ＴＤＩ－ＣＣＤ），ＭＯＳＦＥＴ，ＣＭＯＳ等路传输器（ＣＭＯＳ－ＭＵＸ）等的基本结构，工作方式及应用领域。     

高类金属含量Ni基非晶态合金的电阻温度特性

Ｎｉ７２－ｘＳｉ１５Ｂ１３＋ｘ（ｘ＝８，２，４，６，８）非晶合金电阻特性曲线表明它们在高于室温时电阻随温度呈线性变化，其室温电阻率θｏ和电阻率温度系数Ｃｆ与合金总传导电子浓度Ｃｅ有关。采用Ｎａｇｅｌ推广的液态金属Ｚｉｍａｎ理论对此作出了较好的解释。当与其它Ｎｉ其非晶合金的实验结果比较时，发现可以根据ＴＭ－Ｍ非晶合金总传导电子浓度Ｃｅ判断和预言和非晶合金的ρｏ和Ｃｒ的大小及正负。     

文摘

文摘１３，５－二硝基苯甲酸与３，５－二硝基苯甲酸铝盐的分解热研究（英文）Ｃ９２３３１９０３ＲＥＤＤＹＧＯ，ＲＡＶＩＫＵＭＡＲＫＳ（ＩＤＬＣｈｅｍｉｃａｌｓＬｔｄ，Ｂａｎｇａｌｏｒｅ，ＩＮＤ）：Ｅ０３５０ＣＴｈｅｒｍｏｃｈｉｍＡｃｔａ（ＮＬＤ）１９８（...     

氘束轰击石墨化学腐蚀的实验进展

在ＳＭＦ－８００石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上，进一步测试了Ｇ３石墨、ＳＭＦ－８００高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ镀层等在１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其ＣＤ４产额较ＳＭＦ－８００高纯石墨降低一个量级以上，ＣＤ４产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。用小角度转动样品法，初步地观察了氘束轰击下石墨释放ＣＤ４的角分布特性，为托卡马克偏滤器实验中建立ＣＤ４辐射区的定位及其控制等可行性进行了探索。     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相     

前驱气体CH4,N2的流量比对CHx,膜Raman谱的影响

沉积在Ｓｉ（１００）基片上的ＣＮｘ膜是用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＷＰＣＶＤ）制备的，本文着重探讨了ＣＨ４，Ｎ２的流量比对ＣＮｘ膜的Ｒａｍａｎ谱的影响，并采用Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法分析了ＣＮｘ膜的化学状态。