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半导体材料的发展现状 总被引:4,自引:0,他引:4
在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。 相似文献
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GaN-第三代半导体的曙光 总被引:2,自引:0,他引:2
在半导体产业的发展中,一般将Si、Ge称为第1代电子材料;而将GaAs、InP、GaP、InAs、AlAs及其合金等称为第2代电子材料;宽禁带(Eg>2.3eV)半导体材料近年来发展十分迅速,成为第3代电子材料,主要包括SiC、ZnSe、金刚石和GaN等。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和 相似文献
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宽禁带半导体金刚石、SiC和某些Ⅲ-Ⅴ碳氮化物的电学、热学、光学及力学特性优异,文中介绍了这些材料的电子学特性、器件应用和所存在的问题。 相似文献
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正一、碳化硅单晶特性以碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材料相比较,Si C具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点[1]。Si C是目前发展最为成熟的宽禁带半导体材料之一,Si C在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方 相似文献
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SiC的主要优势是它有着较宽的带隙。4H-SiC的带隙Eg为3.2eV,而GaAs、Si的Eg分别为1.43eV和1.12eV;GaN和金刚石的Eg更宽,分别为3.4eV和5.6eV;较宽Eg材料中本征载流子浓度低,所制器件可在较高温度下工作、漏电流小。原则上,宽带隙材料适合于制作耐高温、高频/紫外光探测、高结电场强度和高频开关等器件。对SiC的研究、开发己历20年,在某些应用领域己商品化。GaN在RF(射频)电子学应用方面很受关注,对GaN的研发也有10来年。某些实验室己做出了若干金刚石器件但离实用尚有较大距离。 相似文献
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GaN纳米线材料的特性和制备技术 总被引:3,自引:0,他引:3
GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中,并可用于大功率微波器件.最近几年,由于GaN蓝光二极管的成功研制,使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课题.简要介绍了GaN纳米线材料的制备技术;综述了GaN纳米线材料的制备结果和特性.用CVD法研制的GaN纳米线的直径已经达到5~12nm,长度达到几百个微米.纳米线具有GaN的六方纤锌矿结构,其PL谱具有宽的发射峰,谱峰中心在420nm.GaN纳米线已经在肖特基二极管的研制中得到应用. 相似文献
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<正>微波功率器件是指工作频段在300M~300GHz这个微波波段内的电子器件,主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能,是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第1代半导体材料硅(Si)、锗(Ge)和第2代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)。20世纪90年代,基于第3代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)的高频、大功率微波器件 相似文献