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《电子技术与软件工程》2016,(18)
随着人们生活水平的不断提高,对电能提出了更高的要求,为了满足人们的要求,多数供电单位对电接触设备进行了完善和更新,但是在使用过程中电接触设备的接触系统会出现一些问题,本文对电接触设备接触系统存在的问题进行了研究和分析,并且给出了有效的解决措施,希望对供电单位有所帮助。 相似文献
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在易燃易爆等特殊环境下,传统供电装置的安全性能难以得到保证。文章讨论了新型的无接触供电装置的基本原理,对无接触供电装置的主电路结构进行了研究,并且分析设计了装置主电路中的整流电路、全桥逆变电路的结构。同时,文章也结合目前无接触供电技术的研究现状,探讨了无接触供电技术的发展方向。 相似文献
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一种用于无线鼠标的无接触供电电路,它包括无接触供电原边电路和副边电路两部分。供电装置采用USB供电,电压为5 V,原边电路通过自激振荡电路产生138 kHz左右的振荡电压,经鼠标垫内置的无接触耦合原边线圈输出能量。无线鼠标内置副边线圈,用感应耦合方式获取电能,并由稳压芯片稳压得到3.1 V的直流电压。通过数学分析建立系统模型,得到无接触电能传输设计方案。采用了升压整流电路,克服了低电压条件下无接触耦合副边线圈电压低的缺陷,实验证明电路可行。 相似文献
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《电子元件与材料》2016,(10):45-48
基于R.holm电接触理论建立了毛刷电接触对的接触电阻模型。采用有限元仿真确定了毛刷电接触对在插拔过程中只有弹性变形,并得到了接触电阻模型中的M值为1/2,进行了毛刷电接触对不同插拔深度上的接触电阻试验,通过试验数据拟合确定了毛刷电接触接触电阻模型中的K值为248。进行了毛刷、麻花针、线簧孔接触对在不同插拔深度的接触电阻对比试验,得到了毛刷电接触插拔深度的最优范围为2~2.2 mm,进行了毛刷电接触在2~2.2mm插拔深度时接触电阻寿命试验,基于接触电阻寿命曲线提出了预插拔工艺以提高接触电阻及插拔力的稳定性。毛刷电接触接触电阻研究为毛刷电接触的扩展设计、制造提供了参考。 相似文献
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地铁列车受电弓-接触网之间接触电阻是由弓网之间滑动电接触造成的,与车辆运行工况密切相关.本文通过试验测试不同接触压力、接触电流和滑动速度下的弓网接触电阻,研究了接触电阻的变化趋势,分析了这3个因素对接触电阻的影响,通过试验数据和理论分析建立了弓网接触电阻数学模型,并验证了模型的有效性.该模型对增强地铁列车弓网之间的受流... 相似文献
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本文对发射装置中导电零部件电接触可靠性问题进行了分析研究。对影响触柱与电底火接触的主要因素 ,进行了测试、计算、分析 ,指出了在工程设计和使用中降低接触电阻的方法。 相似文献
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利用新颖的自维持动态解谐控制方法解决了非接触通用供电平台多负载情况下,单个负载突然变动或波动较大时,对其他用电器的功率影响问题,避免了系统的崩溃,为多负载非接触感应耦合电能传输系统的稳定运行提供了保障.理论分析与PSpice仿真实验验证了该方法的可行性. 相似文献
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接触电阻和接触热阻是影响温差电器件性能的两个重要的工艺参数,直接反映器件制造的工艺水平。因此,对器件的接触电阻和接触热阻进行测试分析,将能够定量地了解现行工艺对器件温差电性能的影响程度。本文首先介绍接触电阻的测试方法和实验结果,然后利用所测的数据,再通过对器件输出功率特性的测试,间接地导出器件的接触热阻。据笔者所知,这是温差电器件接触热阻实测数值的首次报道。 相似文献
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本文以非接触电能传输技术中的阻抗变换作为电路教学案例,阐述了这些案例与电路教学内容的联系.掌握这些联系,能够使学生加深对阻抗变换概念的理解,了解阻抗变换的用途,认识阻抗变换的频率相关性和负载相关性,具备初步的电路设计能力.从而在教学上做到理论与实践相互结合. 相似文献
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为了保证锡及其合金镀层在电接触表面能无故障、有效和安全可靠地接触,就必须清楚地了解锡及其合金镀层作为电接触表面材料的特性和特征;同时,还应考虑锡及其合金镀层在电接触表面的使用功能、使用条件和使用环境.实践证明:锡及其合金镀层的电接触表面只要与电接触表面润滑保护材料如LP-38T或SP-32T等有效地配合使用就可以更为合理地配置、利用和节约有限的贵金属自然资源,就能使人类社会达到持续、稳定和文明地向前发展. 相似文献
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给出了非合金接触情况下 ,PNP型 HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律 ,并给出了集总元件电路模型 相似文献
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在制作X35电路系列中,发现PtSi接触合金化是Al/Ti/PtSi/Si欧姆接触的关键。光刻双电极孔,完成Pt溅射之后,在H_2N_2混合气中,采用三种温度(200~300~550℃)一次热处理合金化,不但促进PtSi的形成,而且大大改善了其上面薄氧化层的质量,从而可以得到良好的欧姆接触,提高了电路的成品率和参数。 相似文献
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研究了Co/4H-SiC结构的电学特性。通过直流溅射的方式在金属Co 薄膜 与SiC之间淀积了一层碳薄膜,极大地改善了欧姆特性。采用两步快速退火工艺,即500 °C 退火 10 分钟 再 1050 °C 退火 3 分钟,形成了良好的欧姆接触,接触电阻率为2.30×10-6 Ω.cm2。X射线衍射(XRD)分析表明高温退火后Co基金属接触层中的硅化物更加稳定,接触层下形成的富碳层有效地降低了电子输运的势垒高度,对欧姆接触的形成起了关键作用。通过对Au/Co/C/SiC 欧姆接触的热稳定性测试,结果表明经过500oC下20小时的热测试,掺杂浓度为2.8×1018 cm-3的 n型4H-SiC保持了良好的欧姆特性。 相似文献