赝三元半导体致冷烧结材料致密性和强度的研究

研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处理,获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。     

赝三元系半导体致冷材料及器件的研制

研制出高优值系数的Ｐ型和Ｎ型赝三元系Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ３半导体致冷材料，在室温附近最高优值系数达到３．３×１０＾－３／Ｋ，致冷器件制作结果表明，热电性能高于二元系半导体致冷材料。     

反应烧结压力对Bi2Te3半导体材料组织与性能的影响

以Bi和Te的单质为原料,用固相反应烧结法制备Bi2Te3P型半导体制冷材料.实验采用X射线衍射仪、莱卡光学显微镜分析压制工艺对材料组织性能的影响.实验结果表明:压力增加,塞贝克系数减少.压力较小时有BiTe存在,压力增加BiTe减少,Bi2Te3增加,300KN时基本为纯Bi2Te3     

Ni-Al-Cu粉末合金激光点火反应烧结的致密化研究

主要研究了激光点火反应烧结Ni—Al—CU系粉末材料的致密化机理。随体系中Cu含量的增多,大颗粒的Ni—Al—Cu粉末压坯在激光快速点火和烧结下实现了无压致密,最终产物并没有发生显著地改变。液相和被瓦解的固相小晶粒或颗粒的共同填充是导致最终致密的主要机理。     

微波场中烧结BaTiO3系半导体陶瓷的研究

采用ＴＥ３１０３单模腔微波炉烧结ＢａＴｉＯ３系半导体陶瓷，对微波与陶瓷材料相互作用机制进行了探讨，分析了ＢａＴｉＯ３陶瓷微波结过程中各损耗随温度的变化规律；同时，分别在体系中引入受主杂质Ｃｒ＾３＋和施主杂质Ｎｂ＾５＋，研究微波场中杂质浓度对钛酸钡陶瓷晶粒生长的影响。     

半导体超晶格材料和光电子器件的研究和发展

半导体超晶格材料和以这些材料为基础的光电子器件是半导体科学和技术的一个新生长点。 超晶格材料是新一代半导体材料,它为新一代光电子器件奠定了基础。而这些新一代光电子器件正是廿一世纪光电子产业的核心。 半导体超晶格材料的研究和发展,把半导体光电子器件的研究和发展推进到一个崭新的阶段。可以预言,正如廿世纪是电子产业的时代一样,廿一世纪必定是光电子产业的时代。     

TiO_2/ZrO_2掺杂MAS系LTCC生带的烧结致密化研究

文章以掺杂TiO2/ZrO2的MAS(MgO-Al2O3-SiO2)系微晶玻璃作为功能相,采用流延法制成生带并最终烧结成型。系统地研究了掺杂、粉体粒径、烧结条件等对LTCC基板收缩性能和致密性的影响。结果表明:通过成核剂TiO2/ZrO2的掺杂,能有效降低基板烧结温度,提高烧结致密性;粉体粒径对生带烧结后的致密性影响较大,粒径越小生带致密化程度越高,同时收缩率也越大。同时通过对比不同烧结条件下样品的致密性,确定了MAS系LTCC生带的最佳烧结曲线。     

半导体材料研究的新进展

首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述.最后,提出了发展我国半导体材料的建议.本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se.CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等.     

激光束与半导体材料相互作用机理的研究

讨论了半导体材料四种类型的激光吸收机理,着重研讨了半导体材料激光微细加工中常用的低强度激光辐照下材料表面的光能吸收机制。介绍了一种有效的实验研究方法。     

SiC半导体材料和工艺的发展状况

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围.阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势.     

图象分析技术在半导体材料和器件上的应用

半导体中缺陷是多种多样的,它们的存在对材料的性质和器件的性能均有重要影响。围绕缺陷与性质的关系,发展了多种测试手段,应用范围各异。本文用图象分析技术,能博采众长地测量缺陷的大小、数目、形状及分布等,从而建立村料组织、结构参数和性质,性能间更为本质的定量关系。     

在磁场中生长半导体致冷晶体的研究

本文阐述了在磁场中生长B_(i2)T_(e3)——Sb_2T_(e3)——SbS_(e3)三元半导体致冷晶体的方法与设备,实验研究了晶体的强度,在理论上初步探讨了磁场在晶体生长中起的作用。     

Ⅲ—V族磁半导体材料的研究与发展

Mn、Fe等过渡金属元素的Ⅲ-V族磁半导体（DMS）材料和铁磁/半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性，可望广泛应用于未来的磁（自旋）电子器件，从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述。